一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法技术

技术编号:25116317 阅读:55 留言:0更新日期:2020-08-05 02:39
本发明专利技术公开了一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法,包括步骤1:制备激光焊接层预制件;步骤2:激光焊接层预制件与碳化硅预制件层压配合;步骤3:真空气压浸渗制备带激光焊接层的铝碳化硅坯体;步骤4:进行机械加工;所述激光焊接层预制件由颗粒增强的铝合金粉压制而成,具体为将所述铝合金粉置于石墨模具中,所述石墨模具包括凹模和凸模,将所述铝合金粉铺在凹模的底部,液压机经由凸模对凹模内的铝合金粉施以0.5‑2MPa的压力并保压,形成激光焊接层预制件,所述颗粒增强的铝合金粉的粒径大小为10~200μm,通过在铝碳化硅盒体的上端设计出该激光焊接层,有效解决铝碳化硅盒体与盖板的激光焊接难题,保证封焊后盒体的气密性。

【技术实现步骤摘要】
一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法
本专利技术涉及激光焊接电子封装领域,尤其涉及一种激光焊接层预制件及其和铝碳化硅盒体的制备方法。
技术介绍
伴随信息技术突飞猛进的发展,IC芯片集成度不断提高,使得其功率密度日益增加。因此,需要更为有效的热管理材料。然而,Kovar合金,Inva合金和W/Cu合金等传统的电子封装材料,由于昂贵的价格、高的密度和低的热导率已不能完全满足现代电子封装对材料的要求。作为高体积分数(60%~75%)碳化硅增强铝基复合材料(以下简称铝碳化硅),由于具有高的热导率和弹性模量,低的密度和适宜可调的膨胀系数,被广泛的应用于微波集成电路,功率模块,微处理器盖板和散热板等电子器件上。作为装有裸芯片的封装盒体,一方面要求盒体自身具有高的致密性;另一方面要求盒体与盖板之间的焊缝具有高的气密性。激光焊接具有能量高、热影响区小、使用灵活、成本低等特点被广泛用于电子封装盒体的封盖。但是,由于碳化硅增强相与铝基体的物理化学性质差异大,使得铝碳化硅壳体的激光气密性封盖非常具有挑战性。为解决电子封装用的高体积分数(碳化硅体积本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光焊接层预制件,其特征在于:由颗粒增强的铝合金粉压制而成,所述颗粒增强的铝合金粉的粒径大小为10~200μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光焊接层预制件,其特征在于:由颗粒增强的铝合金粉压制而成,所述颗粒增强的铝合金粉的粒径大小为10~200μm。


2.如权利要求1所述的激光焊接层预制件,其特征在于:所述铝合金粉选用粒径为50~80μm,增强相为6063的铝合金粉或粒径为100~150μm,增强相为3003的铝合金粉。


3.如权利要求1所述的激光焊接层预制件,其特征在于:所述压制具体包括通过液压机施以0.5-2MPa的压力压制。


4.一种如权利要求1-2任一项所述的激光焊接层预制件的制备方法,其特征在于:包括称取颗粒增强的铝合金粉,将所述铝合金粉置于石墨模具中,所述石墨模具包括凹模和凸模,将所述铝合金粉铺在凹模的底部,液压机经由凸模对凹模内的铝合金粉施以0.5-2MPa的压力并保压,以形成激光焊接层预制件。


5.一种带如权利要求1-2任一项所述的激光焊接层的铝碳化硅盒体的制备方法,其特征在于:包括,
步骤1:制备激光焊接层预制件;
步骤2:激光焊接层预制件与碳化硅预制件层压配合,形成双层的预制件;
步骤3:真空气压浸渗制备带激光焊接层的铝碳化硅坯体;
步骤4:对所述铝碳化硅坯体进行机械加工。


6.如权利要求5所述的铝碳化硅盒体的制备方法,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:高明起熊德赣肖静陈柯杨盛良束平何东
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第二十九研究所
类型:发明
国别省市:四川;51

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