一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，利用三极管和同步整流控制IC的驱动输出端内建的10K下拉电阻组成一个模块电路，三极管的发射极连接在同步整流MOSFET的栅极的驱动电阻端即第一电阻以及三极管的集电极连接及同步整流MOSFET的源极，进而起到在同步整流控制IC未工作时，将同步整流控制IC的GS端电压拉低。从而避免同步整流控制IC关断时Vds在G&S极间的分压超过Vgs(th)而引起的误触发动作。本实用新型专利技术克服了Flyback电路开机时，输出电压还未建立，同步整流控制IC供电电压未达到开启门限电压时，同步整流受控MOSFET处于失控状态的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。
技术介绍
如图1所示，目前Flyback拓扑结构二次侧的同步整流控制IC,栅极驱动输出端一般采用Push-pull结构，且在输出端对地集成10KΩ～100KΩ电阻。在开机时，Flyback二次侧输出电压还没建立，同步整流控制IC的Vdd未达到开启的门限电压，此时同步整流控制IC之栅极驱动端对地只有10KΩ，相当于受控MOSFET的GS端外接10KΩ电阻。而受控MOSFET在关断时，Vds上升，此Vds电压经MOSFET内在的Crss，Ciss及驱动IC驱动引脚对地的10KΩ电阻分压，会在GS端产生电压Vgs，如果此Vgs电压过大超过MOSFET的Vgs(th),将造成二次侧受控MOSFET误导通，从而初次级MOSFET同时导通，影响同步整流控制回路的可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。本技术采用的技术方案是：一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，电源连接同步整流MOSFET的漏极，同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端，电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端，同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端，同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端，电路包括二极管、三极管，二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极；二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连，三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。进一步地，同步整流控制IC的型号为MF6908。进一步地，同步整流MOSFET采用的型号为MTE011N10RFP-0-UB-S。进一步地，第一电阻采用1%的2Ω电阻。进一步地，第二电阻采用100Ω的电阻。进一步地，第三电阻采用1/8W的100KΩ电阻。进一步地，第一电容采用50V0.47μF的电容。进一步地，二极管的型号为SCS0520P。进一步地，三极管为PNP三极管。进一步地，三极管的型号为MMBT3905。本技术采用以上技术方案，利用三极管和同步整流控制IC的驱动输出端内建的10K下拉电阻组成一个模块电路，三极管的发射极连接在同步整流MOSFET的栅极的驱动电阻端即第一电阻以及三极管的集电极连接及同步整流MOSFET的源极，进而起到在同步整流控制IC未工作时，将同步整流控制IC的GS端电压拉低。从而避免同步整流控制IC关断时Vds在G&S极间的分压超过Vgs(th)而引起的误触发动作。本技术克服了Flyback电路开机时，输出电压还未建立，同步整流控制IC供电电压未达到开启门限电压时，同步整流受控MOSFET处于失控状态的问题。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本技术做进一步详细说明；图1为现有Flyback拓扑结构二次侧结构示意图；图2为本技术一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路的结构示意图。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。如图2所示，本技术公开了一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，电源VD连接同步整流MOSFETQ902的漏极D，同步整流MOSFETQ902的源极S连接同步整流控制ICU906的接地端VSS，电源VD通过第二电阻R952连接同步整流控制ICU906的电源VD端和稳压输入端HVC，同步整流控制ICU906的SLEW端通过第三电阻R953连接其接地端VSS，同步整流控制ICU906的稳压输出端VDD通过第一电容C901连接其接地端VSS，电路包括二极管D924、三极管Q907，二极管D924的阳极分别连接同步整流控制ICU906的驱动输出端VG和三极管Q907的基极；二极管D924的阴极分别连接三极管Q907的发射极和第一电阻R954的一端，第一电阻R954的另一端连接同步整流MOSFETQ902的栅极相连，三极管Q907的集电极分别连接同步整流控制ICU906的接地端VSS。进一步地，同步整流控制ICU906的型号为MF6908。进一步地，同步整流MOSFETQ902采用的型号为MTE011N10RFP-0-UB-S。进一步地，第一电阻R954采用1%的2Ω电阻。进一步地，第二电阻R952采用100Ω的电阻。进一步地，第三电阻R953采用1/8W的100KΩ电阻。进一步地，第一电容C901采用50V0.47μF的电容。进一步地，二极管D924的型号为SCS0520P。进一步地，三极管Q907为PNP三极管Q907。进一步地，三极管Q907的型号为MMBT3905。工作原理介绍：当Flyback电路开机时，输出电压从0V上升，此时由于输出电压较低，同步整流控制ICU906的Vdd还没有达到开启的门限电压，所以同步整流控制ICU906的驱动输出端VG没有输出，其对接地端Vss的阻抗为10KΩ(因为IC的VG对Vss内建一个10KΩ的电阻)。而此时如果同步整流MOSFETQ902关断，则其Vds电压将上升，且此Vds电压将通过同步整流MOSFETQ902内部的Crss对G极的Ciss充电，将在GS端间产生分压Vgs_Q902，此分压如果大于三极管Q907的BE结电压，将有电流流经三极管Q907BE及同步整流控制ICU906的驱动输出端VG内建的10KΩ电阻到同步整流MOSFETQ902的源极S，三极管Q907导通，将同步整流MOSFETQ902的Vgs拉低，将同步整流MOSFETQ902的Vgs控制在小于其Vgs(th),则同步整流MOSFETQ902就不会误导通。当同步整流控制ICU906的稳压输出端VDD达到其开启的门限电压时，同步整流控制ICU906工作，同步整流控制ICU906的驱动输出端VG输出高电平，二极管D924导通，三极管Q907的BE结反偏而截止，此电路不影响同步整流控制电路的正常工作。基于以上原理，此电路可以保证在开机时，同步整流控制ICU906正常工作前同步整流MOSFETQ902不会误动作，从而提高电路的可靠性。本技术采用以上技术方案，利用三极管Q907和同步整流控制ICU906的驱动输出端VG内建的10K下拉电阻组成一个模块电路，三极管Q907的发射极连接在同步整流MOSFETQ902的栅极的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，电源连接同步整流MOSFET的漏极，同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端，电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端，同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端，同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端，其特征在于：电路包括二极管、三极管，二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极；二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连，三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。/n

【技术特征摘要】
1.一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，电源连接同步整流MOSFET的漏极，同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端，电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端，同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端，同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端，其特征在于：电路包括二极管、三极管，二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极；二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端，第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连，三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。


2.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，其特征在于：同步整流控制IC的型号为MF6908。


3.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路，其特征在于：同步整流M...

【专利技术属性】
技术研发人员：王星光，
申请(专利权)人：福建捷联电子有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35