【技术实现步骤摘要】
一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路
本技术涉及电子电路
,尤其涉及一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。
技术介绍
如图1所示,目前Flyback拓扑结构二次侧的同步整流控制IC,栅极驱动输出端一般采用Push-pull结构,且在输出端对地集成10KΩ~100KΩ电阻。在开机时,Flyback二次侧输出电压还没建立,同步整流控制IC的Vdd未达到开启的门限电压,此时同步整流控制IC之栅极驱动端对地只有10KΩ,相当于受控MOSFET的GS端外接10KΩ电阻。而受控MOSFET在关断时,Vds上升,此Vds电压经MOSFET内在的Crss,Ciss及驱动IC驱动引脚对地的10KΩ电阻分压,会在GS端产生电压Vgs,如果此Vgs电压过大超过MOSFET的Vgs(th),将造成二次侧受控MOSFET误导通,从而初次级MOSFET同时导通,影响同步整流控制回路的可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路。本技术采用的技 ...
【技术保护点】
1.一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,电源连接同步整流MOSFET的漏极,同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端,电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端,同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端,同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端,其特征在于:电路包括二极管、三极管,二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极;二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端,第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连,三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。/n
【技术特征摘要】
1.一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,电源连接同步整流MOSFET的漏极,同步整流MOSFET的源极连接同步整流控制IC的接地端,电源通过第二电阻连接同步整流控制IC的电源端和稳压输入端,同步整流控制IC的SLEW端通过第三电阻连接其接地端,同步整流控制IC的稳压输出端通过第一电容连接其接地端,其特征在于:电路包括二极管、三极管,二极管的阳极分别连接同步整流控制IC的驱动输出端和三极管的基极;二极管的阴极分别连接三极管的发射极和第一电阻的一端,第一电阻的另一端连接同步整流MOSFET的栅极相连,三极管的集电极分别连接同步整流控制IC的接地端。
2.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:同步整流控制IC的型号为MF6908。
3.根据权利要求1所述的一种改善Flyback同步整流控制电路可靠性的电路,其特征在于:同步整流M...
【专利技术属性】
技术研发人员:王星光,
申请(专利权)人:福建捷联电子有限公司,
类型:新型
国别省市:福建;35
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