一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件制造技术

技术编号:25072425 阅读:48 留言:0更新日期:2020-07-29 06:03
本实用新型专利技术属于太阳能电池器件领域,公开了一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。所述肖特基结太阳电池器件包括由上至下依次设置的Ag顶电极、单层石墨烯层、InAs量子点阵列层、单层石墨烯层、GaAs衬底层和Au背电极。本实用新型专利技术通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯层,有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散,有效地抑制了量子点结构异化、失活的现象,有效的提升了由其制备的肖特基结太阳电池器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件
本技术属于太阳能电池器件领域,具体涉及一种远程外延结构及肖特基结太阳电池器件。
技术介绍
能源问题是现今世界各国共同面对的巨大挑战,太阳能高效光伏技术作为支撑国民经济、可持续发展战略性技术以及提高我国国际竞争力的重要先进生产力,早已成为国家科学技术长期发展规划中至关重要的发展方向。因此,发展太阳能高效光伏技术、提高太阳能电池光伏转换效率,增强太阳能电池实用性刻不容缓。迄今为止,采用以GaAs为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物在光伏领域的应用得到了充分的重视与推广,以GaAs基体系制备的太阳电池效率无论是多结叠层电池还是单结电池都获得了最高的光电转换效率,并在航空航天领域中得到了应用,但是目前太阳电池的光电转换效率的提升受到了叠层结构的晶格匹配与带隙匹配之间的矛盾的限制;上世纪末,InAs量子点中间带太阳电池的概念被提出,以其提供中间能带的特性将单结太阳电池的理论极限效率提升至63.2%。目前,InAs量子点结构较低的尺寸与位置分布均匀性是影响量子点晶体质量、降低电池短路电流和光电转换效率的主要缺陷。...

【技术保护点】
1.一种远程外延结构,其特征在于:所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。/n

【技术特征摘要】
1.一种远程外延结构,其特征在于:所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列层。


2.一种包括权利要求1所述的远程外延...

【专利技术属性】
技术研发人员:李国强余粤锋林静梁敬晗
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:新型
国别省市:广东;44

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