盖板结构、芯片结构及气密性芯片结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种盖板结构、芯片结构及气密性芯片结构，该盖板结构，包括盖板圆片，所述盖板圆片的正面设置有第一金属层，所述第一金属层上设置有与所述第一金属层电连接的第一电路图形，得到盖板晶圆。实施本实用新型专利技术，通过将盖板和芯片进行晶圆级封装，得到盖板晶圆和芯片晶圆，在进行气密性封装时，通过盖板晶圆对芯片晶圆的需密封区域或者传感区进行气密性封装，实现芯片的气密封装，体积小，有利于应用于便携式产品中，成本低。

【技术实现步骤摘要】
盖板结构、芯片结构及气密性芯片结构
本技术涉及电子芯片封装
，尤其涉及一种盖板结构、芯片结构及气密性芯片结构。
技术介绍
很多的芯片封装需要高气密，体积小的封装形态。传统的气密封装包括金属管壳封装和陶瓷管壳封装，其体积大，厚度大，成本高，工艺过程复杂。金属管壳封装和陶瓷管壳封装，其主要特点为：将裸片(Die)放置与金属管壳或者陶瓷管壳内部，通过焊线(Wirebond)引线到管壳内部的焊垫(Pad)上，在管壳上设置密封盖，隔绝外界大气环境。然而，现有的金属管壳封装或者陶瓷管壳封装由于封装管壳的体积偏大，导致封装后的芯片结构比较厚，一般厚度都在2毫米以上，不利于应用于一些便携式产品中，同时，由于金属管壳或者陶瓷管壳的成本普遍比较高，导致芯片的气密封装成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术芯片的气密封装体积大，成本高的不足，提供一种盖板结构、芯片结构及气密性芯片结构。本技术的技术方案提供一种盖板结构，包括盖板圆片，所述盖板圆片的正面设置有第一金属层，所述第一金属层上设置有与所述第一金属层电连接的第一电路图形，得到盖板晶圆。进一步的，所述第一金属层与所述第一电路图形之间设置有覆盖所述第一金属层的第一重布线层。进一步的，在所述第一电路图形对应的位置设置有覆盖所述第一电路图形的用于粘附吸气剂的第二电路图形。本技术的技术方案还提供一种芯片结构，包括芯片，所述芯片的正面设置有第二金属层，在所述芯片的焊垫和如前所述的盖板晶圆的所述第一电路图形对应的位置设置有与所述第二金属层电连接的第三电路图形，得到芯片晶圆。进一步的，所述第二金属层与所述第三电路图形之间设置有覆盖所述第二金属层的第二重布线层。进一步的，所述芯片为专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。本技术的技术方案还提供一种气密性芯片结构，包括如前所述的盖板结构、如前所述的芯片结构、以及承载板，所述盖板结构的所述盖板晶圆、所述芯片结构的所述芯片晶圆和所述承载板采用晶圆级气密性封装。进一步的，所述承载板为基板，所述盖板晶圆的正面和所述芯片晶圆的正面通过所述第一金属层和所述第二金属层电连接，使所述盖板晶圆的所述第一电路图形包裹所述芯片晶圆的需密封区域或者传感区，所述芯片晶圆的背面贴合在所述基板的正面上，且所述基板与所述芯片晶圆的焊垫电连接，所述盖板晶圆、所述芯片晶圆和所述基板埋置在有机树脂内。进一步的，所述盖板晶圆的第二电路图形上设置有吸气剂。进一步的，所述承载板为引线框架，所述芯片晶圆的正面通过所述第二金属层与所述引线框架键合，使所述引线框架包裹所述芯片晶圆，所述芯片晶圆与所述引线框架电连接，所述盖板晶圆设置在所述引线框架的顶部，使所述盖板晶圆与所述引线框架围拢闭合，所述芯片晶圆、所述盖板晶圆和所述引线框架埋置在有机树脂内。进一步的，所述承载板的背面设置有焊球阵列球。采用上述技术方案后，具有如下有益效果：通过将盖板和芯片进行晶圆级封装，得到盖板晶圆和芯片晶圆，在进行气密性封装时，通过盖板晶圆对芯片晶圆的需密封区域或者传感区进行气密性封装，实现芯片的气密封装，体积小，有利于应用于便携式产品中，成本低。附图说明参见附图，本技术的公开内容将变得更易理解。应当理解：这些附图仅仅用于说明的目的，而并非意在对本技术的保护范围构成限制。图中：图1是本技术实施例一提供的一种盖板结构的结构示意图；图2是本技术实施例二提供的一种芯片结构的结构示意图；图3是本技术实施例三提供的一种气密性芯片结构的结构示意图；图4是本技术实施例四提供的一种气密性芯片结构的结构示意图。具体实施方式下面结合附图来进一步说明本技术的具体实施方式。容易理解，根据本技术的技术方案，在不变更本技术实质精神下，本领域的一般技术人员可相互替换的多种结构方式以及实现方式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本技术的技术方案的示例性说明，而不应当视为本技术的全部或视为对技术技术方案的限定或限制。在本说明书中提到或者可能提到的上、下、左、右、前、后、正面、背面、顶部、底部等方位用语是相对于各附图中所示的构造进行定义的，它们是相对的概念，因此有可能会根据其所处不同位置、不同使用状态而进行相应地变化。所以，也不应当将这些或者其他的方位用语解释为限制性用语。实施例一如图1所示，图1是本技术实施例一提供的一种盖板结构，包括盖板圆片101，盖板圆片101的正面设置有第一金属层102，第一金属层102上设置有与第一金属层102电连接的第一电路图形104，得到盖板晶圆。具体的，盖板结构采用以下步骤进行封装而成：步骤S11，化学镀铜：通过化学镀铜、溅射或者蒸镀Ti、TiW、Cr、Co等金属在盖板101的正面电镀金属层，起到阻挡层和粘附层作用，该盖板101的材料可以为硅、玻璃、金属等圆片材料；步骤S12，电镀掩膜：通过涂布光刻胶、曝光、显影等工艺在第一金属层102上电镀第一掩膜；步骤S13，金属沉积：在第一掩膜的间隙内采用电镀或者蒸镀工艺进行厚金属沉积，形成第一电路图形104，使第一电路图形104与第一金属层102电互连，该金属沉积采用Au、Ag、Sn、Pb、Ni等金属；步骤S14，内层布线层制作：去除第一掩膜，并通过快速蚀刻工艺将电镀金属层蚀刻掉，去除电镀线路图形以外的化学镀铜层，得到盖板晶圆。本技术提供的盖板结构，通过将盖板进行晶圆级封装，得到盖板晶圆，在进行气密性封装时，通过盖板晶圆对芯片晶圆的需密封区域或者传感区进行气密性封装，实现芯片的气密封装，体积小，有利于应用于便携式产品中，成本低。在其中一个实施例中，第一金属层102与第一电路图形104之间设置有覆盖第一金属层102的第一重布线层。具体的，通过化学镀铜、溅射或者蒸镀Ti、TiW、Cr、Co等金属在第一金属层102上再电镀一层金属层，形成种子层，便于进行金属沉积。在其中一个实施例中，在第一电路图形104对应的位置设置有覆盖第一电路图形104的用于粘附吸气剂的第二电路图形106。具体的，为了使盖板晶圆能够应用于真空环境中，第二电路图形106采用以下步骤进行封装而成：步骤S15，电镀掩膜：通过涂布光刻胶、曝光、显影等工艺在第一电路图形104对应的位置电镀覆盖第一电路图形104的第二掩膜；步骤S16，金属沉积：在第二掩膜的间隙内采用电镀或者蒸镀工艺进行厚金属沉积，形成用于粘附吸气剂的第二电路图形106，使盖板晶圆能够应用于真空环境中，该金属沉积采用Au、Ag、Sn、Pb、Ni等金属，该吸气剂的材料可以为金属，如Ti、Zr、Co等或者其他合金，从而提高气密性；步骤S17，内层布线层制作：去除第二掩膜，并通过快速蚀刻工艺将电镀金属层蚀刻掉，去除电镀线路图形以外的化学镀铜层。实施例二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种盖板结构，其特征在于，包括盖板圆片，所述盖板圆片的正面设置有第一金属层，所述第一金属层上设置有与所述第一金属层电连接的第一电路图形，得到盖板晶圆。/n

【技术特征摘要】
1.一种盖板结构，其特征在于，包括盖板圆片，所述盖板圆片的正面设置有第一金属层，所述第一金属层上设置有与所述第一金属层电连接的第一电路图形，得到盖板晶圆。


2.如权利要求1所述的盖板结构，其特征在于，所述第一金属层与所述第一电路图形之间设置有覆盖所述第一金属层的第一重布线层。


3.如权利要求2所述的盖板结构，其特征在于，在所述第一电路图形对应的位置设置有覆盖所述第一电路图形的用于粘附吸气剂的第二电路图形。


4.一种芯片结构，其特征在于，包括芯片，所述芯片的正面设置有第二金属层，在所述芯片的焊垫和如权利要求1-3任一项所述的盖板结构的所述第一电路图形对应的位置设置有与所述第二金属层电连接的第三电路图形，得到芯片晶圆。


5.如权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述第二金属层与所述第三电路图形之间设置有覆盖所述第二金属层的第二重布线层。


6.如权利要求4或5所述的芯片结构，其特征在于，所述芯片为专用集成电路芯片或者微机电系统芯片。


7.一种气密性芯片结构，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的盖板结构、如权利要求4-6任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玲玲，
申请(专利权)人：北京万应科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11