【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容式运动传感器相关申请的交叉引用本申请是2018年3月20日提交的申请号为15/926,175的美国专利申请的国际申请,其根据35U.S.C.119(e)要求享有于2017年12月14日提交的序列号为62/598,618的美国临时专利申请的优先权的权益,所有这些申请文件通过引用以其整体并入本文。
本公开总体上涉及运动传感器,且更具体地,涉及包括感测单元阵列并使用空间频率检测来检测表面相对于阵列的运动的电容式运动传感器。背景能够跟踪手指或触笔在表面上的移动的运动传感器是众所周知的,并且广泛用于系统(诸如手指导航系统)中,以移动光标或输入数据。一般来说,常规的运动传感器可以根据手指或触笔的表面被感测的方式(光学地或电容性地)而被分为两种类型中的一种。光学导航传感器使用激光或LED光源和光电二极管阵列,基于手指表面的图像或通过从粗糙表面散射相干光生成的被称为散斑(speckle)的随机光强分布来检测运动。然后,可以通过使用图像相关性的算法通过检测手指表面的图像的移动或者通过对散斑的空间频率计算,来确定运动。光学导航传感器通常具有高成本和相对较大的尺寸,这是由于需要激光器或光源,该激光器或光源必须在内部与光电二极管阵列屏蔽开,并且需要精确的光学组件来将从手指表面反射的光投射到光电二极管阵列上。光学导航传感器对环境照明也很敏感,并且当没有表面存在时由于背景光的变化,其会错误地检测到运动。最后,图像相关性运动计算可能是计算密集型的,并且需要昂贵的处理电路。最常见类型的电容式运动传感器是电容式触控板, ...
【技术保护点】
1.一种运动传感器,包括:/n感测单元的阵列,所述阵列电容性地感测在表面的结构接近所述阵列时的电容变化;和/n处理电路,所述处理电路包括复用器和处理器,以处理来自所述阵列的用于测量所述表面在平行于所述阵列的表面的方向上的运动的运动相关输出信号,/n其中,所述处理器适于执行用于以下操作的程序:控制所述复用器以互连所述阵列中的所述感测单元,从而将所述阵列配置为梳状滤波器,以检测所述电容变化的至少一个空间频率分量,以及测量所述表面在平行于所述阵列的方向上的运动。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171214 US 62/598,618;20180320 US 15/926,1751.一种运动传感器,包括:
感测单元的阵列,所述阵列电容性地感测在表面的结构接近所述阵列时的电容变化;和
处理电路,所述处理电路包括复用器和处理器,以处理来自所述阵列的用于测量所述表面在平行于所述阵列的表面的方向上的运动的运动相关输出信号,
其中,所述处理器适于执行用于以下操作的程序:控制所述复用器以互连所述阵列中的所述感测单元,从而将所述阵列配置为梳状滤波器,以检测所述电容变化的至少一个空间频率分量,以及测量所述表面在平行于所述阵列的方向上的运动。
2.根据权利要求1所述的运动传感器,其中,所述阵列包括感测区域,所述感测区域比相对于所述阵列移动的所述表面小。
3.根据权利要求1所述的运动传感器,其中,所述阵列是二维阵列,所述二维阵列包括沿着至少两个非平行轴布置的感测单元。
4.根据权利要求3所述的运动传感器,其中,所述处理电路还包括差分检测器,所述差分检测器耦合在复用器和所述处理器之间,以根据来自所述二维阵列的输出信号生成包括同相信号和正交信号的四个信号,所述输出信号是由沿着所述两个非平行轴的运动引起的。
5.根据权利要求4所述的运动传感器,其中,所述处理器还适于处理所述四个信号,以生成在沿着所述两个非平行轴的每个方向上的矢量,其中,所述矢量的幅度代表所述正交信号的强度,并且所述矢量的方向的改变代表沿着所述两个非平行轴的运动。
6.根据权利要求5所述的运动传感器,其中,所述处理器还适于控制所述复用器改变所述感测单元的互连,进而改变由所述阵列中的所述感测单元感测的所述空间频率分量的频率。
7.根据权利要求6所述的运动传感器,其中,所述处理器还适于比较所述四个信号在由所述阵列中的所述感测单元感测的所述空间频率分量的不同频率处的强度,并且控制所述复用器来选择对于运动正在被检测的所述表面具有最大强度的输出信号的频率。
8.根据权利要求1所述的运动传感器,其中,所述阵列是互电容阵列,包括在第一方向上延伸的多个接收(Rx)电极和在不平行于所述第一方向的第二方向上延伸的多个发射(Tx)电极,所述多个Rx电极通过绝缘体与所述Tx电极分开,并且其中,Tx电极和Rx电极的每个交叉部形成所述阵列中的互电容感测单元。
9.根据权利要求1所述的运动传感器,其中,所述阵列是自电容阵列,包括耦合到所述处理电路并在第一方向上延伸的多个第一电极、以及耦合到DC电压电平并在不平行于所述第一方向的第二方向上延伸的多个第二电极,所述多个第一电极通过绝缘体与所述第二电极隔开,并且其中,第一电极和第二电极的每个交叉部形成所述阵列中的自电容感测单元。
10.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:约翰·佛瑞姆,维克特·奎曼,安德理·里须顿,德米特罗·普伊达,
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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