本申请公开了一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、无线充电线圈以及装置，属于无线充电领域。其中，一种无线充电串联谐振腔，包括谐振单元，所述谐振单元与所述桥式整流芯片连接，所述谐振单元至少包括两个彼此串联的谐振腔，至少两个所述谐振腔可变更的接入所述桥式整流芯片，用于适应不同功率状态的需要。本申请还包括一种无线充电方法，一种无线充电线圈，以及一种无线充电装置；使用本申请的技术方案，当电流提高时，减少电感线圈所浪费的功耗，改善发热情况，提高了工作效率。
【技术实现步骤摘要】
一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、无线充电线圈以及装置
本专利技术属于无线充电领域，具体涉及一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、无线充电线圈以及装置。
技术介绍
在大电流无线充电中谐振腔电路设计中，通常情况下，为了使接收芯片IC能够正常工作，谐振腔(Ls&Cs)需要在DigitalPing(数字Ping)阶段收到足够高的电压，也就是需要Ls足够大。现在手机内接收线圈的通用的选择为8μH。但是，电感值与线圈绕制匝数成正比，Ls越大，线圈的寄生串联电阻就越大。例如8μH的线圈的寄生电阻大约为200mOhms。当电流提高时，由于电感线圈Ls的寄生电阻为200mOhms，而了开关器件M1～M4只有50mOhms。因此会使电感线圈浪费很大的功耗并且发热严重。
技术实现思路
为解决现有技术中的不足，本专利技术提出一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、线圈以及装置，解决了当电流提高时，电感线圈浪费很大功耗，并且发热的问题。一种无线充电串联谐振腔，包括谐振单元，所述谐振单元与所述桥式整流芯片连接，所述谐振单元至少包括两个彼此串联的谐振腔，至少两个所述谐振腔可变更的接入所述桥式整流芯片，用于适应不同功率状态的需要。所述谐振单元包括第一电感(Ls1)、第一电容(Cs1)，第二电感(Ls2)、第二电容(Cs2)；所述第一电感(Ls1)与所述第二电感串联，所述第一电感(Ls1)后串联所述第一电容(Cs1)和所述第二电容(Cs2)，其中第一电容(Cs1)和第二电容(Cs2)并联；所述第二电容(Cs2)所在支路上串联设置有第一开关；包括第二开关，所述第二开关的一端连接在所述第一电感(Ls1)与第二电感(Ls2)之间，另一端连接在所述桥式整流芯片的输入端相连接；还包括第三开关，所述第二电感(Ls2)与第三开关相连接，所述第三开关与所述桥式整流芯片的输入端相连接。所述第一电容Cs1与所述第二电容Cs2电容值相等。所述第一电感Ls1与所述第二电感Ls2电感值相等。所述第二开关，包括背靠背的两个场效应管，第二晶体管M8e与第三晶体管M9e；所述第二晶体管(M8e)的栅极与第三晶体管(M9e)的栅极相连接，并同时与桥式整流芯片第一驱动端(DRV_M8e)相连接，所述第二晶体管(M8e)的源极与第三晶体管(M9e)的源极相连接，所述第二晶体管(M8e)的漏极与所述第一电感(Ls1)和第二电感(Ls2)中间相连接，所述所述第三晶体管(M9e)的漏极与所述桥式整流芯片连接点ACN相连接。所述第三开关，包括背靠背的两个场效应管，第四晶体管M6e与第五晶体管M7e；所述第四晶体管(M6e)的栅极与第五晶体管(M7e)的栅极相连接，并同时与桥式整流芯片第二驱动端(DRV_M6e)相连接，所述第四晶体管(M6e)的源极五晶体管(M7e)的源极相连接，所述第四晶体管(M6e)的漏极与所述第二电感(Ls2)的一端相连接，所述所述第五晶体管(M7e)的漏极与所述桥式整流芯片连接点ACN相连接。所述桥式整流芯片的输入端并联有滤波电容(C3)。一种无线充电方法，使用所述的无线充电并联谐振腔实现；在第一工作状态下，当第一开关与第二开关均截止时，第三开关导通时，即第一开关M5e、第二晶体管M8e与第三晶体管M9e均为截止状态，第四晶体管M6e与第五晶体管M7e为导通状态，接入第一谐振腔；在第二工作状态下，当第一开关与第二开关均导通时，第三开关截止时，即第一开关M5e、第二晶体管M8e与第三晶体管M9e均为导通状态，第四晶体管M6e与第五晶体管M7e为截止状态时，接入第二谐振腔。一种无线充电线圈，从起始端开始，进行电感线的绕制，直到结束端为止，在结束端与起始端的中间位置引出中间引线，则起始端与中间引线之间的部分为所述第一电感Ls1，中间引线与结束端之间的部分为所述第二电感Ls2。一种无线充电装置，包括所述的无线充电串联谐振腔。本申请所达到的有益效果：本专利技术提出一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、线圈以及装置，当电流提高时，减少电感线圈所浪费的功耗，改善发热情况，提高了工作效率。附图说明图1本专利技术实施例的一种无线充电串联谐振腔原理图；图2本专利技术实施例的电感线圈绕制示意图；图3现有技术中无线充电中谐振腔驱动电路。具体实施方式下面结合附图对本申请作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本申请的保护范围。通常情况下，为了使接收芯片能够正常工作，谐振腔(Ls&Cs)需要在DigitalPing阶段收到足够高的电压，也就是需要Ls足够大。现在手机内接收线圈的通用的选择为8μH。但是，电感值与线圈绕制匝数成正比，Ls越大，线圈的寄生串联电阻就越大。例如8μH的线圈的寄生电阻大约为200mOhms。在大电流时，由于电感线圈Ls的寄生电阻为200mOhms，而M1～M4只有50mOhms。因此会使电感线圈浪费很大的功耗并且发热严重，如图3所示，为现有技术中无线充电谐振腔驱动电路。本专利技术提出一种无线充电串联谐振腔、无线充电方法、线圈以及装置，解决了当电流提高时，电感线圈浪费很大功耗，并且发热的问题。一种无线充电串联谐振腔，包括谐振单元，所述谐振单元与所述桥式整流芯片连接，所述谐振单元至少包括两个彼此串联的谐振腔，至少两个所述谐振腔可变更的接入所述桥式整流芯片，用于适应不同功率状态的需要。所述谐振单元包括第一电感(Ls1)、第一电容(Cs1)，第二电感(Ls2)、第二电容(Cs2)；所述第一电感(Ls1)与所述第二电感串联，所述第一电感(Ls1)后串联所述第一电容(Cs1)和所述第二电容(Cs2)，其中第一电容(Cs1)和第二电容(Cs2)并联；所述第二电容(Cs2)所在支路上串联设置有第一开关；包括第二开关，所述第二开关的一端连接在所述第一电感(Ls1)与第二电感(Ls2)之间，另一端连接在所述桥式整流芯片的输入端相连接；还包括第三开关，所述第二电感(Ls2)与第三开关相连接，所述第三开关与所述桥式整流芯片的输入端相连接。所述第一电容Cs1与所述第二电容Cs2电容值相等。所述第一电感Ls1与所述第二电感Ls2电感值相等。所述第二开关，包括背靠背的两个场效应管，第二晶体管M8e与第三晶体管M9e；所述第二晶体管(M8e)的栅极与第三晶体管(M9e)的栅极相连接，并同时与桥式整流芯片第一驱动端(DRV_M8e)相连接，所述第二晶体管(M8e)的源极与第三晶体管(M9e)的源极相连接，所述第二晶体管(M8e)的漏极与所述第一电感(Ls1)和第二电感(Ls2)中间相连接，所述所述第三晶体管(M9e)的漏极与所述桥式整流芯片连接点ACN相连接。所述第三开关，包括背靠背的两个场效应管，第四晶体管M6e与第五晶体管M7e；本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种无线充电串联谐振腔，包括谐振单元，所述谐振单元与所述桥式整流芯片连接，其特征在于，所述谐振单元至少包括两个彼此串联的谐振腔，至少两个所述谐振腔可变更的接入所述桥式整流芯片，用于适应不同功率状态的需要。/n
【技术特征摘要】
1.一种无线充电串联谐振腔，包括谐振单元，所述谐振单元与所述桥式整流芯片连接，其特征在于，所述谐振单元至少包括两个彼此串联的谐振腔，至少两个所述谐振腔可变更的接入所述桥式整流芯片，用于适应不同功率状态的需要。
2.根据权利要求1所述的无线充电串联谐振腔，其特征在于：所述谐振单元包括第一电感（Ls1）、第一电容（Cs1），第二电感（Ls2）、第二电容（Cs2）；
所述第一电感（Ls1）与所述第二电感串联，所述第一电感（Ls1）后串联所述第一电容（Cs1）和所述第二电容（Cs2），其中第一电容（Cs1）和第二电容（Cs2）并联；
所述第二电容（Cs2）所在支路上串联设置有第一开关；
包括第二开关，所述第二开关的一端连接在所述第一电感（Ls1）与第二电感（Ls2）之间，另一端连接在所述桥式整流芯片的输入端相连接；
还包括第三开关，所述第二电感（Ls2）与第三开关相连接，所述第三开关与所述桥式整流芯片的输入端相连接。
3.根据权利要求2所述的无线充电串联谐振腔，其特征在于：所述第一电容（Cs1）与所述第二电容（Cs2）电容值相等。
4.根据权利要求3所述的无线充电串联谐振腔，其特征在于：所述第一电感（Ls1）与所述第二电感（Ls2）电感值相等。
5.根据权利要求4所述的无线充电串联谐振腔，其特征在于：所述第二开关，包括背靠背的两个场效应管，第二晶体管（M8e）与第三晶体管（M9e）；
所述第二晶体管（M8e）的栅极与第三晶体管（M9e）的栅极相连接，并同时与桥式整流芯片第一驱动端（DRV_M8e）相连接，所述第二晶体管（M8e）的源极与第三晶体管（M9e）的源极相连...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭越勇，
申请(专利权)人：美芯晟科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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