一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜制造技术

本实用新型专利技术涉及保护膜技术领域，更具体地，本实用新型专利技术涉及一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜。由上至下依次包括第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层和胶层。本实用新型专利技术所述的用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜安全环保、具有极佳的耐老化性、抗静电性和稳定粘力，同时该膜材料的散热能力好，可满足其在各个领域应用的需求。

A multifunctional protective film for cutting semiconductor and optical glass

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜
本技术涉及保护膜
，具体地，本技术涉及一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜。
技术介绍
保护膜在各领域的应用都非常广泛，如电子类产品、家电、建材、装饰材料等，在半成品和成品装配和物流运输过程中，都要使用到保护膜。特别是在半导体、光学玻璃、高端金属板材的保护上起着重要的作用。目前，市场上形形色色、琳琅满目的类似保护膜的产品很多，但大多数产品的性能都不是很完善，不能满足安全环保的要求，另外其不耐老化、易起静电、持粘力和散热能力差，保护膜撕下后容易有残胶或鬼影。因此，迫切需要研发生产一种具有极佳的扩张性、耐老化、抗静电和散热能力好且安全环保的保护膜。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术提供一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，由上至下依次包括第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层和胶层。在一种实施方式中，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括硅油层；所述硅油层与第一电晕层的上表面相连接。在一种实施方式中，所述硅油层的厚度为5-100μm。在一种实施方式中，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括PET层；所述PET层与胶层的下表面相连接。在一种实施方式中，所述PET层的厚度为25-50μm。在一种实施方式中，所述第一电晕层和第二电晕层的厚度均为5-50μm。在一种实施方式中，所述光亮层和哑光层的厚度为8-30μm。在一种实施方式中，所述抗静电层和抗氧化层的厚度均为10-40μm。在一种实施方式中，所述芯层厚度为10-100μm。在一种实施方式中，所述胶层的厚度为5-200μm。本技术的有益效果：本技术的产品中第一电晕层和第二电晕层的作用是保证和硅油层、胶层更加贴合，使得膜材料具有稳定粘力；光亮层和哑光层是改善产品的整体外观性能；抗静电层、芯层、抗氧化层是保证膜材料具有极佳的扩张性、耐老化性和抗静电性。同时该膜材料的散热能力好，可满足其在各个领域应用的需求。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1：用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜的示意图。符号说明：1：第一电晕层；2：光亮层；3：抗静电层；4：芯层；5：抗氧化层；6：哑光层；7：第二电晕层；8：胶层。图2：隔离层为硅油层的用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜的示意图。符号说明：0：硅油层；1：第一电晕层；2：光亮层；3：抗静电层；4：芯层；5：抗氧化层；6：哑光层；7：第二电晕层；8：胶层。图3：隔离层为PET层的用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜的示意图。符号说明：1：第一电晕层；2：光亮层；3：抗静电层；4：芯层；5：抗氧化层；6：哑光层；7：第二电晕层；8：胶层；9：PET层。具体实施方式参选以下本技术的优选实施方法的详述以及包括的实施例可更容易地理解本技术的内容。除非另有限定，本文使用的所有技术以及科学术语具有与本技术所属领域普通技术人员通常理解的相同的含义。当存在矛盾时，以本说明书中的定义为准。下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。本技术中所述的“和/或”的含义指的是各自单独存在或两者同时存在的情况均包括在内。本技术中所述的“连接”的含义可以是部件之间的直接连接也可以是部件间通过其它部件的间接连接。本技术提供一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，由上至下依次包括第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层和胶层。在一种实施方式中，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括硅油层；所述硅油层与第一电晕层的上表面相连接。在一种实施方式中，所述硅油层的厚度为5-100μm。在一种优选的实施方式中，所述硅油层的厚度为40-60μm。在一种最优选的实施方式中，所述硅油层的厚度为50μm。在一种实施方式中，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括PET层；所述PET层与胶层的下表面相连接。在一种实施方式中，所述PET层的厚度为25-50μm。在一种优选的实施方式中，所述PET层的厚度为30-42μm。在一种最优选的实施方式中，所述PET层的厚度为36μm。在一种实施方式中，所述第一电晕层和第二电晕层的厚度均为5-50μm。在一种优选的实施方式中，所述第一电晕层和第二电晕层的厚度均为20-30μm。在一种最优选的实施方式中，所述第一电晕层和第二电晕层的厚度均为25μm。在一种实施方式中，所述光亮层和哑光层的厚度为8-30μm。在一种优选的实施方式中，所述光亮层和哑光层的厚度为14-24μm。在一种最优选的实施方式中，所述光亮层和哑光层的厚度为19μm。在一种实施方式中，所述抗静电层和抗氧化层的厚度均为10-40μm。在一种优选的实施方式中，所述抗静电层和抗氧化层的厚度均为20-30μm。在一种最优选的实施方式中，所述抗静电层和抗氧化层的厚度均为25μm。在一种实施方式中，所述芯层厚度为10-100μm。在一种优选的实施方式中，所述芯层厚度为45-65μm。在一种最优选的实施方式中，所述芯层厚度为55μm。在一种实施方式中，所述胶层的厚度为5-200μm。在一种优选的实施方式中，所述胶层的厚度为20-80μm。在一种最优选的实施方式中，所述胶层的厚度为50μm。下面结合具体实施例来进一步说明本技术。实施例1：如图1所述，一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，由上至下依次包括第一电晕层1、光亮层2、抗静电层3、芯层4、抗氧化层5、哑光层6、第二电晕层7、胶层8。所述第一电晕层1、第二电晕层7的厚度均为25μm；所述光亮层2和哑光层6的厚度均为19μm；所述抗静电层3和抗氧化层5的厚度均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，其特征在于，由上至下依次包括第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层和胶层；所述芯层的厚度为10-100μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，其特征在于，由上至下依次包括第一电晕层、光亮层、抗静电层、芯层、抗氧化层、哑光层、第二电晕层和胶层；所述芯层的厚度为10-100μm。


2.根据权利要求1所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，其特征在于，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括硅油层；所述硅油层与第一电晕层的上表面相连接。


3.根据权利要求2所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，其特征在于，所述硅油层的厚度为5-100μm。


4.根据权利要求1所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜，其特征在于，所述用于半导体、光学玻璃切割的多功能保护膜还包括PET层；所述PET层与胶层的下表面相连接。...

【专利技术属性】
技术研发人员：张程，
申请(专利权)人：上海固柯胶带科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31