竖直石墨烯的生长装置制造方法及图纸

提供一种竖直石墨烯的生长装置，该装置包括反应腔室、支架和上、下电极板，其中反应腔室用于进行气相沉积反应，反应腔室包括进气端和封闭端，封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部；支架包括相对的两个侧板和连接两个侧板的底座，两个侧板上设有承载组件，承载组件包括相对设置的两个承载块；下电极板放置于底座上，上电极板放置于承载组件上，以使上电极板和下电极板之间具有间距，上电极板和下电极板分别连接有导线，导线通过通孔连接电源，以使上电极板和下电极板之间形成竖直方向的电场。通过向气相沉积反应体系引入竖直电场，使石墨烯可以严格沿竖直方向生长，得到完全垂直于基底的竖直石墨烯。

Vertical graphene growth device

【技术实现步骤摘要】
竖直石墨烯的生长装置
本公开涉及石墨烯领域，具体涉及一种竖直石墨烯的生长装置。
技术介绍
化学气相沉积法(CVD)是用来生长石墨烯薄膜的常规方法，但由于受到生长温度高和生长速率慢的限制，科学家们提出了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统，利用等离子体发生源的引入，为碳源前驱体的分解提供了额外的能量，特别是在相对较低的温度下，甚至在催化能力低于金属基底的非金属基底上也能生长出质量较高的石墨烯。PECVD法常被用来生长竖直石墨烯。就等离子源的种类而言可以将PECVD分为微波等离子源MW-PECVD(UedaK.etal.Jpn.J.Appl.Phys.2005,44,2074)、射频等离子体源RF-PECVD(SatoG.etal.Jpn.J.Appl.Phys.2006,45,5210)及直流等离子体源DC-PECVD(KehanYuetal.NanoscaleRes.Lett.2011,5,202)。在这些方法中最常用的还是RF-PECVD，然而，整体而言利用RF-PECVD制备的石墨烯都不是严格意义上垂直于基底的竖直石墨烯，且该本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种竖直石墨烯的生长装置，其特征在于，包括：/n反应腔室，用于进行气相沉积反应，所述反应腔室包括进气端和封闭端，所述封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部；/n支架，位于所述反应腔室内，所述支架包括相对的两个侧板和连接所述两个侧板的底座，所述两个侧板上设有承载组件，所述承载组件包括相对设置的两个承载块；及/n上电极板和下电极板，所述下电极板放置于所述底座上，所述上电极板放置于所述承载组件上，以使所述上电极板和所述下电极板之间具有间距，所述上电极板和所述下电极板分别连接有导线，所述导线通过所述通孔连接电源，以使所述上电极板和所述下电极板之间形成竖直方向的电场。/n

【技术特征摘要】
1.一种竖直石墨烯的生长装置，其特征在于，包括：
反应腔室，用于进行气相沉积反应，所述反应腔室包括进气端和封闭端，所述封闭端设有开设至少两个通孔的封闭部；
支架，位于所述反应腔室内，所述支架包括相对的两个侧板和连接所述两个侧板的底座，所述两个侧板上设有承载组件，所述承载组件包括相对设置的两个承载块；及
上电极板和下电极板，所述下电极板放置于所述底座上，所述上电极板放置于所述承载组件上，以使所述上电极板和所述下电极板之间具有间距，所述上电极板和所述下电极板分别连接有导线，所述导线通过所述通孔连接电源，以使所述上电极板和所述下电极板之间形成竖直方向的电场。


2.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，所述两个侧板上设有至少两...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，许世臣，孙阳勇，高振飞，罗家俊，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：新型
国别省市：北京;11