阵列基板及其液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其液晶显示面板，阵列基板包括基底，基底具有若干阵列式排布的像素区域，每一像素区域包括：第一电极、第二电极、绝缘凸起与反射电极；其中，第二电极与第一电极之间适于形成电场，反射电极与第二电极之间也适于形成电场，第二电极包括狭缝电极，狭缝电极包括狭缝部以及位于相邻狭缝部之间的电极部，电极部至少包括第一条状部与第二条状部，第一条状部的延伸方向与第二条状部的延伸方向相交，每个电极部的第一条状部与第二条状部在弯折部连接；在基底所在平面的正投影上，第二电极的弯折部位于绝缘凸起内，反射电极位于绝缘凸起内。根据本发明专利技术的实施例，能利用环境光提升液晶显示面板的透过率、开口率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其液晶显示面板
本专利技术涉及显示设备
，尤其涉及一种阵列基板及其液晶显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)具有体积小，功耗低，无辐射等特点，近年来得到迅速发展，在当前的平板显示器市场中占据主导地位。目前，TFT-LCD按照显示模式可以分为：扭曲向列(TwistedNematic，TN)型、平面转换(InPlaneSwitching，IPS)型和高级超维场转换(AdvancedSuperDimensionSwitch，ADS)型。其中，ADS模式液晶显示器因具备广视角、高开口率、高穿透率、高分辨率、响应速度快、低功耗、低色差等优点而得到广泛的应用，成为液晶显示领域的重要技术之一。ADS模式显示的工作原理是利用狭缝电极产生多维电场，驱动液晶偏转。为防止被驱动的液晶分子为单畴模式，即液晶分子取向具有单一性，在不同角度观看时会存在色偏问题，相关技术中将狭缝电极的电极部设置成包括不同走向的条状电极，以形成多种方向的电场，进而驱动液晶分子多畴显示。然而，电极部的弯折处由于多种电场叠加，附近液晶偏转会出现紊乱，形成驱动“真空区”，即液晶不能实现有效驱动，在像素内形成“显示死区”。这降低了液晶的透过率进而降低了液晶显示面板的对比度，在高亮度环境光的场景使用时会出现灰度和对比度不足的现象，严重影响了显示效果。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其液晶显示面板，以解决相关技术中的不足。为实现上述目的，本专利技术实施例的第一方面提供一种阵列基板，包括基底，所述基底具有若干阵列式排布的像素区域，每一所述像素区域包括：第一电极；第二电极，位于所述第一电极远离所述基底的一侧；所述第二电极与所述第一电极之间适于形成电场，所述第二电极包括狭缝电极，所述狭缝电极包括狭缝部以及位于相邻所述狭缝部之间的电极部，所述电极部至少包括第一条状部与第二条状部，所述第一条状部的延伸方向与所述第二条状部的延伸方向相交，每个电极部的第一条状部与第二条状部在弯折部连接；绝缘凸起，位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述第二电极的弯折部在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内；反射电极，位于所述绝缘凸起远离所述第二电极的一侧；所述反射电极与所述第二电极之间适于形成电场，所述反射电极在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。可选地，所述反射电极与所述第一电极电连接。可选地，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。可选地，所述绝缘凸起沿行方向延伸，一行所述像素区域的所述第二电极的弯折部在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。可选地，所述反射电极沿行方向延伸，所述反射电极在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。可选地，各个所述像素区域的所述公共电极连接成一面电极。可选地，所述绝缘凸起的介电常数介于20～30；和/或所述绝缘凸起的材料包括：TiO2纳米粒子、Ti2O5纳米粒子以及BaTiO3纳米粒子中的至少一种。可选地，所述电极部的宽度范围包括：2μm～6μm；和/或所述狭缝部的宽度范围包括：2μm～8μm。可选地，所述绝缘凸起的高度与所述液晶层的厚度之比范围包括：0.4～0.6。可选地，在所述基底所在平面的正投影上，所述反射电极的同侧边缘与所述绝缘凸起的同侧边缘之间的间距范围包括：0.3μm～0.8μm。本专利技术实施例的第二方面提供一种液晶显示面板，包括：彩膜基板、上述任一项所述的阵列基板、以及设置在所述彩膜基板与所述阵列基板之间的液晶层。可选地，所述液晶层的材料为蓝相液晶。本专利技术实施例的第三方面提供一种显示装置，包括：上述任一项所述的液晶显示面板。根据本专利技术的上述实施例中，第二电极与第一电极之间适于形成电场，反射电极与第二电极之间也适于形成电场，使得液晶显示面板在显示灰度不为0的画面时，整个厚度液晶层内的液晶分子被诱导双折射，能够有效利用环境光提升液晶显示面板的透过率，提升液晶显示面板的开口率，还能根据环境光的强弱来自行调节透射光的强弱。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。图1是根据本专利技术一实施例示出的液晶显示面板的截面结构示意图；图2是图1中的阵列基板的俯视结构示意图；图3是图2中的阵列基板去除绝缘凸起与反射电极后的俯视结构示意图；图4是沿着图2中的AA线的剖视图；图5是图1中的液晶显示面板的驱动原理图；图6是图1中的液晶显示面板在驱动时的背光源透光与环境光反光的原理图；图7是透过率与驱动电压的关系图；图8是根据本专利技术另一实施例示出的液晶显示面板的截面结构示意图；图9是图8中的液晶显示面板在未被驱动时的背光源透光与环境光反光的原理图。附图标记列表：液晶显示面板1、2彩膜基板11阵列基板12液晶层13第一偏振片14第二偏振片15基底120像素区域120a第一电极121第二电极122狭缝电极123狭缝部123a电极部123b第一条状部124a第二条状部124b弯折部124c绝缘凸起125反射电极126间距D具体实施方式这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本专利技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本专利技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。图1是根据本专利技术一实施例示出的液晶显示面板的截面结构示意图。图2是图1中的阵列基板的俯视结构示意图。图3是图2中的阵列基板去除绝缘凸起与反射电极后的俯视结构示意图。图4是沿着图2中的AA线的剖视图。参照图1至图4所示，液晶显示面板1，包括：彩膜基板11；阵列基板12；液晶层13，设置在彩膜基板11与阵列基板12之间；第一偏振片14，设置在彩膜基板11远离液晶层13的一侧；第二偏振片15，设置在阵列基板12远离液晶层13的一侧。液晶层13的材料可以为向列相(Nematic)液晶。为了保证图像正常显示，彩膜基板11朝向液晶层13的一侧可以设置第一配向层(未图示)，阵列基板12朝向液晶层13的一侧可以设置第二配向层(未图示)，第一配向层与第二配向层用于使液晶分子具有初始的偏转角度。第二偏振片15远离阵列基板12的一侧可以设置背光源(未图示)。第一偏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底，所述基底具有若干阵列式排布的像素区域，每一所述像素区域包括：/n第一电极；/n第二电极，位于所述第一电极远离所述基底的一侧；所述第二电极与所述第一电极之间适于形成电场，所述第二电极包括狭缝电极，所述狭缝电极包括狭缝部以及位于相邻所述狭缝部之间的电极部，所述电极部至少包括第一条状部与第二条状部，所述第一条状部的延伸方向与所述第二条状部的延伸方向相交，每个电极部的第一条状部与第二条状部在弯折部连接；/n绝缘凸起，位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述第二电极的弯折部在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内；/n反射电极，位于所述绝缘凸起远离所述第二电极的一侧；所述反射电极与所述第二电极之间适于形成电场，所述反射电极在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底，所述基底具有若干阵列式排布的像素区域，每一所述像素区域包括：
第一电极；
第二电极，位于所述第一电极远离所述基底的一侧；所述第二电极与所述第一电极之间适于形成电场，所述第二电极包括狭缝电极，所述狭缝电极包括狭缝部以及位于相邻所述狭缝部之间的电极部，所述电极部至少包括第一条状部与第二条状部，所述第一条状部的延伸方向与所述第二条状部的延伸方向相交，每个电极部的第一条状部与第二条状部在弯折部连接；
绝缘凸起，位于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述第二电极的弯折部在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内；
反射电极，位于所述绝缘凸起远离所述第二电极的一侧；所述反射电极与所述第二电极之间适于形成电场，所述反射电极在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极与所述第一电极电连接。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘凸起沿行方向延伸，一行所述像素区域的所述第二电极的弯折部在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸起在所述基底所在平面的正投影内。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述反射电极沿行方向延伸，所述反射电极在所述基底所在平面的正投影位于所述绝缘凸...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦礼，李晓吉，吴海龙，陈刚，孙贺，王迪，王玉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11