一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法技术

本发明专利技术涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法，该中红外电压可调节滤波器包括衬底层；夹层结构层，位于所述衬底层上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层、六方氮化硼层和第二石墨烯层，所述第一石墨烯层的一端具有第一延伸部，所述第一延伸部表面镀有第一金属膜，所述第二石墨烯层的一端具有第二延伸部，所述第二延伸部的表面镀有第二金属膜；包层，位于所述夹层结构层上。该中红外电压可调节滤波器可以在中红外波段进行滤波，滤除空间中的噪声信号等干扰信号，允许中红外波段中的一部分波通过，避免了干扰信号对信息传递产生不利影响。

【技术实现步骤摘要】
一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法
本专利技术属于纳米光学器件
，具体涉及一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法。
技术介绍
随着纳米光子学的发展和纳米光学器件集成度的提高，光电数字集成电路技术存在物理性能优化和工艺制造的难题，如较低的调制深度所造成的高误码率、高动态功耗、低调制带宽以及高工艺容限差的问题。为解决上述问题，各种新型器件结构、材料和工作机理被不断提出，用于实现更高的性能、更低的功耗以及更快的速度。滤波器作为红外光谱检测的重要无源器件，具有特征选频和滤噪等作用，在微波通信、雷达、微波测量等领域具有重要的应用价值而被广泛研究。然而，由于大气透射窗口和多数气体分子的具有指纹特征基频反射带均分布于中红外波段，空间中的噪声信号会混在有用的信号中形成较强的干扰信号，从而对实际应用中的信息传递产生不利的影响。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种中红外电压可调节滤波器及其制备方法、滤波方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中红外电压可调节滤波器，其特征在于，包括：/n衬底层(1)；/n夹层结构层，位于所述衬底层(1)上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层(2)、六方氮化硼层(3)和第二石墨烯层(4)，所述第一石墨烯层(2)的一端具有第一延伸部(21)，所述第一延伸部(21)表面镀有第一金属膜(22)，所述第二石墨烯层(4)的一端具有第二延伸部(41)，所述第二延伸部(41)的表面镀有第二金属膜(42)；/n包层(5)，位于所述夹层结构层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种中红外电压可调节滤波器，其特征在于，包括：
衬底层(1)；
夹层结构层，位于所述衬底层(1)上，其中，所述夹层结构层自下而上依次包括第一石墨烯层(2)、六方氮化硼层(3)和第二石墨烯层(4)，所述第一石墨烯层(2)的一端具有第一延伸部(21)，所述第一延伸部(21)表面镀有第一金属膜(22)，所述第二石墨烯层(4)的一端具有第二延伸部(41)，所述第二延伸部(41)的表面镀有第二金属膜(42)；
包层(5)，位于所述夹层结构层上。


2.如权利要求1所述的中红外电压可调节滤波器，其特征在于，所述衬底层(1)的宽度为100nm-300nm，高度为5nm-20nm。


3.如权利要求1所述的中红外电压可调节滤波器，其特征在于，所述第一石墨烯层(2)的宽度为100nm-300nm，高度为0.7nm。


4.如权利要求1所述的中红外电压可调节滤波器，其特征在于，所述六方氮化硼层(3)的宽度为100nm-300nm，高度为10nm-100nm。


5.如权利要求1所述的中红外电压可调节滤波器，其特征在于，所述第二石墨烯层(4)的宽度为100nm-300nm，高度为0.7nm。


6.如权利要求1所述的中红外电压可调节滤波器，其特征在于，所述包层(5)的宽度为100nm-300nm，高度为5nm-200nm。


7.一种中红外电压可调节滤波器的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S1、制备衬底层(1)；
S2、在所述衬底层(1)上转移形成第一石墨烯层(2)，其中，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王树龙，蔡鸣，杜林，吴振杰，胡泽宇，王银娣，韩涛，刘红侠，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61