纳米级氧化镓的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种纳米级氧化镓的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明专利技术一种纳米级氧化镓的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、A溶液配制：制备硝酸镓溶液，将硝酸镓溶液稀释至镓含量为25~55g/L，游离硝酸浓度为0.1%~10%，然后加入表面活性剂，得到A溶液；S2、B溶液配制：将沉淀剂配制成质量分数为5%~15%的溶液，得到B溶液；S3、底液C溶液配制：将B溶液加入纯水中，配制成底液C溶液，底液C溶液的温度为15~40℃；S4、沉淀反应：将A溶液和B溶液同时加入底液C溶液中进行沉淀反应；S5、然后经陈化反应、离心洗涤、煅烧，得到纳米级氧化镓。本发明专利技术制备得到的椭球形纳米级氧化镓具有较高的流动性和分散性。

【技术实现步骤摘要】
纳米级氧化镓的制备方法
本专利技术涉及一种纳米级氧化镓的制备方法，属于半导体材料

技术介绍
氧化镓(Ga2O3)是一种重要的宽禁带半导体材料，其具有五种晶体结构：α-Ga2O3、β-Ga2O3、γ-Ga2O3、ε-Ga2O3和δ-Ga2O3，在一定条件下可以相互转变。其中β-Ga2O3最为稳定，室温下呈单斜结构，空间结构为C2/m，a=12.214Å、b=3.037Å、c=5.798Å、β=103.83°。Ga2O3具有优良的光致发光性能、化学和热稳定性能等特性，广泛应用于敏材料、催化剂、光电子材料和荧光粉等领域。近年来，IGZO(氧化铟镓锌)在TFT-LCD显示器领域的应用，使得晶体管数量减少，提高了每个像素的透光率，使得显示器具有更高的能效水平，且效率更高。目前，射频/直流电（RF/DC）溅镀系统是主流的薄膜生长设备，影响溅镀透明导电薄膜品质的因素除了薄膜沉积工艺外，靶材的密度、导电性、晶粒大小、微结构与纯度起着至关重要的作用。例如靶材的密度低，即靶材表面或内部有微孔，镀膜过程会在靶材表面出现凸起，引起靶材局部能量过高，氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米级氧化镓的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：/nS1、A溶液配制：制备硝酸镓溶液，并将硝酸镓溶液稀释至镓含量为25~55g/L，游离硝酸浓度为0.1%~10%，然后加入表面活性剂，得到A溶液；/nS2、B溶液配制：将沉淀剂配制成质量分数为5%~15%的溶液，得到B溶液；/nS3、底液C溶液配制：将B溶液加入纯水中，配制成底液C溶液，底液C溶液的温度为15~40℃；/nS4、沉淀反应：将A溶液和B溶液同时加入底液C溶液中进行沉淀反应；/nS5、然后经陈化反应、离心洗涤、煅烧，得到纳米级氧化镓。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米级氧化镓的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1、A溶液配制：制备硝酸镓溶液，并将硝酸镓溶液稀释至镓含量为25~55g/L，游离硝酸浓度为0.1%~10%，然后加入表面活性剂，得到A溶液；
S2、B溶液配制：将沉淀剂配制成质量分数为5%~15%的溶液，得到B溶液；
S3、底液C溶液配制：将B溶液加入纯水中，配制成底液C溶液，底液C溶液的温度为15~40℃；
S4、沉淀反应：将A溶液和B溶液同时加入底液C溶液中进行沉淀反应；
S5、然后经陈化反应、离心洗涤、煅烧，得到纳米级氧化镓。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S1中，硝酸镓溶液的制备方法为：将硝酸镓晶体溶解于纯化水中，然后加入硝酸调整溶液游离酸含量。


3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属镓与表面活性剂的质量比为（100~200）：1。


4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中，表面活性剂为十二烷基苯磺酸、烷基苯磺酸钠、α-烯烃磺酸盐、仲烷基磺酸钠中的至少一种。

【专利技术属性】
技术研发人员：康冶，王波，朱刘，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44