【技术实现步骤摘要】
一种In2S3薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体材料
，具体涉及一种In2S3薄膜及其制备方法和应用。
技术介绍
In2S3(III-IV族半导体)，其具有大的带隙、优良的光敏性及光导电性、化学稳定性及低的毒性，引起人们的广泛关注。In2S3有三种晶相(α、β、γ)，其中，β-In2S3是典型的n型半导体，带隙是2.0-2.2eV，具有尖晶石缺陷结构。In2S3薄膜常见的合成方法包括有机金属化学蒸汽沉积、喷雾热解、热蒸发、电沉积及化学浴法等。这些方式大多需要苛刻的反应条件、高的反应温度或长的反应时间。微波辐射引起偶极子或离子在电场中不同分布，微波直接结合反应混合物分子导致迅速升温。由于微波加热有利于反应动力学及均相形成，比传统的反应方式，更易在短的时间达到理想的温度。然而，由于微波驱使的极其猛烈的能量导致反应物倾向于三维反应的三维生长，因而产物易于成簇而不易成膜。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术公开了一种In2S3薄膜及其制备方法和应用。利用水做溶剂，柠檬酸兼做pH调...
【技术保护点】
1.一种In
【技术特征摘要】
1.一种In2S3薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)利用连续离子层吸附法将InCl3·4H2O和Na2S·4H2O分别沉积在FTO上；
(2)配制含有铟源和硫源的混合水溶液，并将步骤(1)沉积好的FTO置于混合水溶液中，以柠檬酸调节体系pH为强酸性，进行微波反应，反应结束后经冲洗、干燥，即可得到所述In2S3薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述微波反应的条件为100～400W、80～90℃下反应10～60min。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述InCl3·4H2O和Na2S·4H2O的浓度均为0.005～0.02mol/L；所述InCl3·4H2O和Na2S·4H2O的浓度比为1:1。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述连续离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：岳文瑾，魏飞宇，王子尧，聂光军，
申请(专利权)人：安徽工程大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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