一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块，属于机载电子设备技术领域。本实用新型专利技术基于多个NMOS管并联，设计了一种电路原理简单、可靠性高、结构紧凑、导通电流30A的大功率浪涌抑制模块，其中通过在每个NOMS场效应管的栅极端串接一个5.1Ω电阻(电阻R1、R2、R3)，消除了三个NOMS场效应管的器件参数差异的多场效应管并联防振荡电路设计方案，整个电路原理简单，易于实现，产品可靠性高，浪涌抑制模块的通流量大，达到30A通流量；浪涌抑制模块导通内阻低，发热量小，电压降小。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块
本技术属于机载电子设备
，具体涉及一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块。
技术介绍
国家军用标准GJB181-86、GJB181A-2003等标准规定了机载电子设备必须能够承受一定的瞬态浪涌电压(如80V/50ms)。因此，机载电子设备均需要安装瞬态浪涌抑制模块。瞬态过压浪涌具有源阻抗低(0.5Ω)、持续时间长(50ms)、总能量比较大等特点，瞬态浪涌抑制模块都是基于功率场效应管的控制电路来实现浪涌电压保护。目前基于功率场效应管设计的过压浪涌抑制模块有两种类型：NMOS管浪涌抑制模块和PMOS管浪涌抑制模块。NMOS管浪涌抑制模块电路原理框图如图1所示。NMOS管浪涌抑制模块电路工作原理为：由采用稳压二极管和限流电阻构成的稳压电路给振荡电路供电。振荡电路采用NE555芯片，产生振幅12V的高频方波。由二极管、电阻与电容构成的电荷泵进行峰值检波和电平移位给栅极端电容充电。采样电路将输出端采样电压与电压控制电路的基准电压进行比较，控制场效应管栅极端的三极管的导通与截本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块，其特征在于，包括瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2、过压保护控制芯片U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，场效应管Q1、Q2、Q3，电容C1、C2、C3，其中R5为限流电阻；C3为定时电容；稳压二极管D2和限流电阻R5构成稳压电路；/nD1正极与D2正极连接；D1负极与R5一端，Q1、Q2、Q3的漏极连接；Q1、Q2、Q3的源极连接在一起并连接U1、R6一端、C2的正极；Q1的栅极通过R1连接R4一端，Q2的栅极通过R2连接R4一端，Q3的栅极通过R3连接R4一端；R4另一端连接C1一端以及U1；D2的负极连接U1；R6另一端...

【技术特征摘要】
1.一种基于三NMOS管并联的大功率浪涌电压抑制模块，其特征在于，包括瞬态抑制二极管D1、稳压二极管D2、过压保护控制芯片U1、电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7，场效应管Q1、Q2、Q3，电容C1、C2、C3，其中R5为限流电阻；C3为定时电容；稳压二极管D2和限流电阻R5构成稳压电路；
D1正极与D2正极连接；D1负极与R5一端，Q1、Q2、Q3的漏极连接；Q1、Q2、Q3的源极连接在一起并连接U1、R6一端、C2的正极；Q1的栅极通过R1连接R4一端，Q2的栅极通过R2连接R4一端，Q3的栅极通过R3连接R4一端；R4另一端连接C1一端以及U1；D2的负极连接U1；R6另一端连接R7一端以及U1，R7另一端连接C2的负极；C3的两端与U1连接。


2.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块，其特征在于，U1为LT4363型过压保护控制芯片。


3.如权利要求1所述的大功率浪涌电压抑制模块，其特征在于，D1用于抑制电源输入端的尖峰电压。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周成龙，张梓超，陈晓薇，薛峰，郭艳辉，刘强，赵少琼，赵炜铭，李子森，苏醒，党丽，
申请(专利权)人：中国兵器工业新技术推广研究所，北京中北创新科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11