助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法。所述补充机构包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，所述承装密封腔与导流部件通过导流管路连通，所述导流部件设置于助熔剂法生长氮化物体单晶的反应容器内壁，且所述导流管路至少延伸至所述反应容器底部。较之现有技术，本发明专利技术通过增加设置生长原料补充系统，可以在进行助熔剂法制备氮化物体单晶的液相外延生长过程中，实现生长原料的连续补充，及氮化物单晶的连续生长，从而获得连续生长的大尺寸、高质量液相外延氮化物体单晶。

【技术实现步骤摘要】
助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法
本专利技术涉及一种氮化物体单晶的制备方法，特别涉及一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用生长原料补充机构、系统及方法。
技术介绍
助熔剂法(NaFluxmethod)生长氮化镓(GaN)单晶技术是目前国际上公认的获得低成本、高质量、大尺寸氮化镓体单晶的生长方法之一。氮化镓体单晶的一般生长过程为：选取适当原料成分配比，将装有生长原料(主要为金属镓、金属钠、碳添加剂等)和氮化镓籽晶的坩埚置于承压设备中，在半封闭的生长体系内，给与一定生长温度、生长压力，从而，在氮化镓籽晶上液相外延获得氮化镓体单晶。生长过程中，随着生长时间的推移，氮化镓单晶不断长大、长厚，坩埚内的生长原料也不断被消耗(主要是金属镓消耗)，一定生长时间后，当生长原料液面高度不足以覆盖氮化镓外延生长面，生长将停滞(如图1所示)。为了获得大尺寸氮化镓体单晶，延长生长时间是有效的方法之一，但是，随着生长时间的延长，坩埚内原料被消耗、氮化镓单晶长厚，一方面会使生长原料液面高度不足以覆盖氮化镓外延生长面，导致生长停滞；另一方面会使生长体系内原料的配本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构，其特征在于包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，所述承装密封腔与导流部件通过导流管路连通，所述导流部件设置于助熔剂法生长氮化物体单晶的反应容器内壁，且所述导流管路至少延伸至所述反应容器底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构，其特征在于包括：用以容置待补充生长原料的承装密封腔、导流管路、导流部件及压力供给组件，所述承装密封腔与压力供给组件连通，所述承装密封腔与导流部件通过导流管路连通，所述导流部件设置于助熔剂法生长氮化物体单晶的反应容器内壁，且所述导流管路至少延伸至所述反应容器底部。


2.根据权利要求1所述的原料补充机构，其特征在于：所述导流管路一端设于所述承装密封腔内，另一端设于所述反应容器内。


3.根据权利要求1所述的原料补充机构，其特征在于：所述导流部件固定设置于所述反应容器内壁，且与所述反应容器之间密封配合。


4.根据权利要求1所述的原料补充机构，其特征在于：所述压力供给组件包括氩气控制系统。


5.根据权利要求4所述的原料补充机构，其特征在于：所述承装密封腔与压力供给组件通过气体管路相连通。


6.一种助熔剂法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宗亮，徐科，任国强，王建峰，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32