【技术实现步骤摘要】
一种氧空位含量可调的CeO2纳米材料的制备方法
本专利技术属于纳米材料制造领域，特别涉及一种氧空位含量可调的CeO2纳米材料的制备方法。
技术介绍
CeO2（二氧化铈）纳米材料因其良好的氧化还原性能、热稳定性，可作为电子助剂、金属催化剂载体、或者是独立的催化剂，在能源催化领域中得到广泛的关注和研究，具有广阔的潜在应用前景。在CeO2的晶体结构中，Ce占4a，O占8c，晶胞参数约为5.4Å。其中O容易在晶体内部移动或者是缺失，同时伴随着Ce的价态变化，因此CeO2可作为一种O缓冲剂，并且O缺失得越多，即氧空位越多，CeO2晶体内部三价Ce含量越多，O缓冲容量就越大。此外，丰富的氧空位可以赋予CeO2纳米材料更加优异的氧化还原性能，同时保持材料本身的结构特性，因此被广泛研究。目前调节CeO2氧空位含量的方法主要为控制异质原子的参杂；合成暴露特定晶面的CeO2，如（200）晶面；以及CeO2尺寸的调节。J.Phys.Chem.B,2005,109,24380-24385公开了一种调控CeO2的O缓冲容量的制备方法，首先通过...
【技术保护点】
1.一种氧空位含量可调的CeO
【技术特征摘要】
1.一种氧空位含量可调的CeO2纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将原料聚乙烯吡咯烷酮和六水硝酸铈溶于N,N-二甲基甲酰胺溶剂中混合均匀后得到原料混合物；将得到的原料混合物转移至聚四氟乙烯内衬中并用反应釜密封后进行溶剂热反应，反应后得到一种氧空位可控的CeO2纳米材料。
2.根据权利要求1所述的一种氧空位含量可调的CeO2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮的分子量为10,000-1300,000。
3.根据权利要求1所述的一种氧空位含量可调的CeO2纳米材料的制备方法，其特征在于，所述溶剂热反应温度为100-200摄氏度。
4.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹奎波，朱明芸，文一峰，宋淑贵，郑安琪，董麟，代云茜，孙立涛，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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