一种DC/DC变换电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种DC/DC变换电路，包括全桥逆变器，所述全桥逆变器的变压器T1副边绕组的一端经MOS管S1漏极、MOS管S1源极接负载电阻R0的一端，变压器T1副边绕组的另一端经MOS管S3漏极、MOS管S3源极接MOS管S1源极与电阻R0的公共端，变压器T1副边绕组的中心抽头与电阻R0的另一端相连，所述DC/DC变换电路还包括电容C1、二极管D1、电阻R1、MOS管S2，MOS管S1的漏极依次经电容C1、二极管D1的正极、二极管D1的负极与MOS管S1的源极相连，电容C1、二极管D1的公共端依次经电阻R1、MOS管S2与MOS管S1的源极相连。本实用新型专利技术构建了同步整流MOS管的可控吸收回路，吸收尖峰电压的效果显著、损耗低、能量回馈效率高且方便控制。

【技术实现步骤摘要】
一种DC/DC变换电路
本技术涉及电力电子
，尤其涉及一种DC/DC变换电路。
技术介绍
全桥DC/DC电路的变压器双向励磁，容易实现大功率输出，通过合理控制能实现开关管的零电压开通，大大降低了损耗，在大功率工业用电、电动汽车行业得到了广泛应用。同步整流开关管导通阻抗小，解决了传统二极管整流压降所导致的损耗，常用于全桥DC/DC电路的输出整流。目前，针对同步整流开关管的吸收回路主要用RC、RCD等，用于降低开关管的应力，但上述RC、RCD等吸收回路均存在不可控、吸收效果差、能量回馈效率低的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出了一种DC/DC变换电路，以解决传统同步整流开关管吸收回路不可控、吸收效果差、能量回馈效率低的问题。本技术的技术方案是这样实现的：本技术提供了一种DC/DC变换电路，包括全桥逆变器，所述全桥逆变器的变压器T1副边绕组的一端经MOS管S1漏极、MOS管S1源极接负载电阻R0的一端，变压器T1副边绕组的另一端经MOS管S3漏极、MOS管S3源极接MOS管S1源极与电阻R0的公共端，变压器T1副本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DC/DC变换电路，包括全桥逆变器，所述全桥逆变器的变压器T1副边绕组的一端经MOS管S1漏极、MOS管S1源极接负载电阻R0的一端，变压器T1副边绕组的另一端经MOS管S3漏极、MOS管S3源极接MOS管S1源极与电阻R0的公共端，变压器T1副边绕组的中心抽头与电阻R0的另一端相连，其特征在于，所述DC/DC变换电路还包括电容C1、二极管D1、电阻R1、MOS管S2，MOS管S1的漏极依次经电容C1、二极管D1的正极、二极管D1的负极与MOS管S1的源极相连，电容C1、二极管D1的公共端依次经电阻R1、MOS管S2与MOS管S1的源极相连。/n

【技术特征摘要】
1.一种DC/DC变换电路，包括全桥逆变器，所述全桥逆变器的变压器T1副边绕组的一端经MOS管S1漏极、MOS管S1源极接负载电阻R0的一端，变压器T1副边绕组的另一端经MOS管S3漏极、MOS管S3源极接MOS管S1源极与电阻R0的公共端，变压器T1副边绕组的中心抽头与电阻R0的另一端相连，其特征在于，所述DC/DC变换电路还包括电容C1、二极管D1、电阻R1、MOS管S2，MOS管S1的漏极依次经电容C1、二极管D1的正极、二极管D1的负极与MOS管S1的源极相连，电容C1、二极管D1的公共端依次经电阻R1、MOS管S2与MOS管S1的源极相连。


2.如权利要求1所述的DC/DC变换电路，其特征在于，还包括电容C2、二极管D2、电阻R2、MOS管S4，MOS管S3的漏极依次经电容C2、二极管D2的正极、二极管D2的负极与MOS管S3的源极相连，电容C2、二极管D2的公共端依次经电阻R2、MOS管S4与MOS管S3的源极相连。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坚，
申请(专利权)人：武汉市整流器研究所，
类型：新型
国别省市：湖北;42