【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于独立存储器库维护的方法和采用所述方法的存储器装置和系统相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月29日提交的美国临时申请第62/612,004号的权益，所述美国临时申请通过引用整体并入本文。
本公开总体上涉及半导体存储器装置，并且更具体地涉及用于独立存储器库维护的方法和采用所述方法的存储器装置和系统。
技术介绍
存储器装置广泛地用于存储与如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置相关的信息。存储器装置通常以计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可移动装置的形式提供。存在许多不同类型的存储器，包含易失性存储器和非易失性存储器。包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器可能需要施加电力的电源以维护其数据。相比之下，非易失性存储器即使在没有外部供电的情况下也可以保持其存储的数据。非易失性存储器可用于多种技术，包含闪速存储器(例如，与非和或非)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置通常可以包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度或以其它方式降低操作等待时间、增加可靠性、增加数据保留、降低功耗或降低制造成本以及其它度量。附图说明图1是示意性地展示了根据本专利技术技术的实施例的存储器装置的框图。图2是示意性地展示了根据本公开的一方面的用...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：/n多个存储器库；以及/n电路系统，所述电路系统被配置成：/n存储多个值，所述多个值中的每个值对应于所述多个存储器库中的一个存储器库，/n刷新存储于所述多个存储器库中的第一存储器库中的第一数据，并且/n至少部分地基于刷新所述第一数据来更新所述多个值中与所述多个存储器库中的所述第一存储器库相对应的第一值。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171229 US 62/612,0041.一种存储器装置，其包括：
多个存储器库；以及
电路系统，所述电路系统被配置成：
存储多个值，所述多个值中的每个值对应于所述多个存储器库中的一个存储器库，
刷新存储于所述多个存储器库中的第一存储器库中的第一数据，并且
至少部分地基于刷新所述第一数据来更新所述多个值中与所述多个存储器库中的所述第一存储器库相对应的第一值。
2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路系统被进一步配置成：
在刷新所述第一数据之后并且在刷新存储于所述多个存储器库中的所有其它存储器库中的数据之前，刷新所述多个存储器库中的所述第一存储器库中的第二数据，并且
至少部分地基于刷新所述第二数据来更新所述多个值中的所述第一值。
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二数据对应于所述多个存储器库中的所述第一存储器库的第二行。
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一数据对应于所述多个存储器库中的所述第一存储器库的第一行。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个值中的每个值对应于所述多个存储器库中的对应存储器库中的行地址。
6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述电路系统被配置成通过用所述多个存储器库中的所述对应存储器库的另一个行地址代替经过刷新的第一数据的所述行地址来更新所述多个值中的所述第一值。
7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述电路系统被进一步配置成：
刷新存储于所述多个存储器库中的第二存储器库中的第二数据；并且
至少部分地基于刷新所述第二数据来更新所述多个值中与所述多个存储器库中的所述第二存储器库相对应的第二值。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中单个半导体管芯包括所述多个存储器库和所述电路系统。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个存储器库包括动态随机存取存储器DRAM库、铁电随机存取存储器FeRAM库、磁阻式存储器MRAM库、相变存储器PCM库或其组合。
10.一种方法，其包括：
存储多个值，所述多个值中的每个值对应于存储器装置的多个存储器库中的一个存储器库；
刷新存储于所述多个存储器库中的第一存储器库中的第一数据；以及
至少部分地基于刷新所述第一数据来更新所述多个值中与所述多个存储器库中的所述第一存储器库相对应的第一值。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
在刷新所述第一数据之后并且在刷新存储于所述多个存储器库中的所有其它存储器库中的数据之前，刷新所述多个存储器库中的所述第一存储器库中的第二数据；以及
至少部分地基于刷新所述第二数据来更新所述多个值中的所述第一值。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一数据对应于所述多个存储器库中的所述第一存储器库的第一行。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述多个值中的每个值对应于所述多个存储器库中的对应存储器库中的行地址。
14.根据权利要求13所述的方法，其中更新所述多个值中的所述第一值包括用所述多个存储器库中的所述对应存储器库的另一个行地址代替经过刷新的第一数据的所述行地址。
15.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
刷新存储于所述多个存储器库中的第二存储器库中的第二数据；以及
至少部分地基于刷新所述第二数据来更新所述多个值中与所述多个存储器库中的所述第二存储器库相对应的第二值。
16.一种方法，其包括：
发送用于刷新存储于存储器装置的多个存储器库中的第一存储器库中的第一数据的第一命令；以及
在发送所述第一命令之后并且在发送用于刷新存储于所述多个存储器库中的所有其它存储器库的数据的一或多个命令之前，发送用于刷新存储于所述多个存储器库中的所述第一存储器库中的第二数据的第二命令。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一命令被配置成指示所述存储器装置对少于所有所述多个存储器库执行刷新操作。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一命令被配置成指示所述存储器装置仅对所述多个存储器库中的所述第一存储器库执行刷新操作。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一命令由可操作地连接到所述存储器装置的主机装置发送到所述存储器装置。
20.根据权利要求16所述的方法，其中所述存储器装置包括控制器，并且其中所述第一命令由所述控制器发送。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述控制器至少部分地基于由所述控制器执行的在刷新存储于所述多个存储器库中的所有其它存储器库中的数据之前刷新所述第二数据的确定来发送所述第二命令。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述控制器跟踪对所述第一存储器库...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·B·雷德，J·S·帕里，J·S·雷赫迈耶，T·B·考尔斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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