具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器制造技术

本发明专利技术公开了具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，设置有P端DAC（102）、N端DAC（104）、比较器（106）、SAR逻辑电路（108）、校正逻辑电路（110）及校正控制电路（112），所述P端 DAC（102）的输出端和N端DAC（104）的输出端分别连接比较器（106）的两个输入端，比较器（106）的输出连接接SAR逻辑电路（108），SAR逻辑电路（108）控制连接P端DAC（102）、N端DAC（104）及校正逻辑电路（110），校正控制电路（112）控制连接SAR逻辑电路（108）和校正逻辑电路（110）。

【技术实现步骤摘要】
具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器
本专利技术涉及模拟集成电路技术等领域，具体的说，是具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器。
技术介绍
SAR_ADC(逐次逼近型模数转换器)是ADC(模数转换器)的一种常见架构。而采用电容阵列的电荷重分布型SAR_ADC由于良好的电容匹配和较低的静态功耗而成为目前SAR_ADC的主流结构。通常，N位SAR_ADC包含一个N位的二进制电容阵列，即1C、2C、4C、…、2N-1C，其中C为单位电容，2N-1C对应于MSB(最高位)，1C对应于LSB(最低位)。对于高分辨率SAR_ADC，例如N＝14或16，二进制电容阵列将占用很大的芯片面积，且最大电容和最小电容相差很大，难以实现较好的匹配。在这种情况下，通常会采用分段电容阵列结构，即通过耦合电容将两段或多段电容阵列进行级联。耦合电容的取值使得低段电容阵列最高位的权重等于高段电容阵列最低位权重的一半，因此可以等效地实现二进制电容阵列。对于高分辨率SAR_ADC，电容匹配精度通常无法满足系统要求。虽然增大电容值可以改善匹配，但过大的电容会本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：设置有P端DAC（102）、N端DAC（104）、比较器（106）、SAR逻辑电路（108）、校正逻辑电路（110）及校正控制电路（112），所述P端 DAC（102）的输出端和N端DAC（104）的输出端分别连接比较器（106）的两个输入端，比较器（106）的输出连接接SAR逻辑电路（108），SAR逻辑电路（108）控制连接P端DAC（102）、N端DAC（104）及校正逻辑电路（110），校正控制电路（112）控制连接SAR逻辑电路（108）和校正逻辑电路（110）。/n

【技术特征摘要】
1.具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：设置有P端DAC（102）、N端DAC（104）、比较器（106）、SAR逻辑电路（108）、校正逻辑电路（110）及校正控制电路（112），所述P端DAC（102）的输出端和N端DAC（104）的输出端分别连接比较器（106）的两个输入端，比较器（106）的输出连接接SAR逻辑电路（108），SAR逻辑电路（108）控制连接P端DAC（102）、N端DAC（104）及校正逻辑电路（110），校正控制电路（112）控制连接SAR逻辑电路（108）和校正逻辑电路（110）。


2.根据权利要求1所述的具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：在所述P端DAC（102）上进行模拟输入信号的输入，在N端DAC（104）上连接信号地。


3.根据权利要求1或2所述的具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：所述P端DAC（102）、N端DAC（104）的采用相同的DAC电路结构，且所述DAC电路结构包括高段电容阵列（202）、低段电容阵列（204）、小数电容阵列（206）以及CC校正电容阵列（208），所述CC校正电容阵列（208）连接小数电容阵列（206），小数电容阵列（206）连接低段电容阵列（204），所述高段电容阵列（202）与低段电容阵列（204）之间通过电容CC进行耦合。


4.根据权利要求3所述的具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：在所述高段电容阵列（202）和低段电容阵列（204）内设置有至少一个二进制电容阵列。


5.根据权利要求4所述的具有电容失配校正功能的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：当所述高段电容阵列（202）和低段电容阵列（204）内设置有2个或以上二进制电容阵列时，每个二进制电容阵列最低位后面设置有一个冗余电容，且冗余电容与它前一个二进制电容阵列的最低位电容大小相同。


6.根据权利要求3所述的具...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜翎，李昌红，吴霜毅，
申请(专利权)人：成都铭科思微电子技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51