光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法技术

本发明专利技术提供一种光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法。所述光电探测器包括光敏层、薄膜晶体管和感应电极，所述感应电极与所述薄膜晶体管的源漏电极相连，将所述光敏层感光产生的信号传导至所述薄膜晶体管；所述光敏层和所述薄膜晶体管之间设置有阻氢层，用以抑制所述光敏层的氢到达所述薄膜晶体管。阻氢层能够对光敏层内的氢进行吸附和/或阻挡，降低氢对薄膜晶体管的阈值电压的影响，改善薄膜晶体管的性能。

【技术实现步骤摘要】
光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法
本专利技术涉及光电探测领域，尤其涉及一种光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法。
技术介绍
光电探测器是一种重要的光电传感器，在工业、国防、医学以及日常生活中都有着广泛的应用。常见的光电探测器包括PIN光电探测器、PN光电探测器及MSM(Metal-Semiconductor-Metal，金属-半导体-金属)光电探测器等。以MSM光电探测器为例，其具有响应速度快、电容小、工艺简单以及容易集成等优点，因而广泛应用于光电探测领域中。但MSM光电探测器的制作工艺会对薄膜晶体管(TFT)的性能造成影响，进而影响光电探测器的检测性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种改善薄膜晶体管性能的光电探测器、显示基板及光电探测器的制作方法。本专利技术提供一种光电探测器，所述光电探测器包括光敏层、薄膜晶体管和感应电极，所述感应电极与所述薄膜晶体管的源漏电极相连，将所述光敏层感光产生的信号传导至所述薄膜晶体管；所述光敏层和所述薄膜晶体管之间设置有阻氢层，用以抑制所述光敏层的氢到达所述薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括光敏层、薄膜晶体管和感应电极，所述感应电极与所述薄膜晶体管的源漏电极相连，将所述光敏层感光产生的信号传导至所述薄膜晶体管；/n所述光敏层和所述薄膜晶体管之间设置有阻氢层，用以抑制所述光敏层的氢到达所述薄膜晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括光敏层、薄膜晶体管和感应电极，所述感应电极与所述薄膜晶体管的源漏电极相连，将所述光敏层感光产生的信号传导至所述薄膜晶体管；
所述光敏层和所述薄膜晶体管之间设置有阻氢层，用以抑制所述光敏层的氢到达所述薄膜晶体管。


2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述阻氢层的材料包括非晶氧化物。


3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括位于薄膜晶体管和感应电极之间的遮光图案，所述遮光图案对照射所述薄膜晶体管的至少部分光线进行遮挡，所述阻氢层位于所述遮光图案和所述光敏层之间。


4.根据权利要求3所述的光电探测器，其特征在于，所述阻氢层形成于所述遮光图案上，所述阻氢层和所述遮光图案通过同一掩膜版进行图案化所形成。


5.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括位于感应电极和光敏层之间的绝缘介质层，所述阻氢层位于所述绝缘介质层和所述光敏层之间。


6.根据权利要求5所述的光电探测器，其特征在于，所述阻氢层在所述光敏层上的投影与所述光敏层重叠。


7.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述阻氢层位于所述感应电极和所述光敏层之间，所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈江博，孟凡理，李凡，张硕，李达，李泽源，李延钊，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11