摄像元件和摄像装置制造方法及图纸

本发明专利技术披露了一种摄像元件，其设置有：第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括受光部和聚光部，所述受光部包括光电转换元件，所述聚光部被构造成使入射光能够朝着所述受光部聚集；凹槽，所述凹槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间；第一遮光膜，所述第一遮光膜被埋入所述凹槽中；以及第二遮光膜，所述第二遮光膜被形成于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处，且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。

【技术实现步骤摘要】
摄像元件和摄像装置本申请是申请日为2014年3月20日、专利技术名称为“摄像元件和摄像装置”的申请号为201480016380.6的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及具有焦点检测功能的摄像元件和包括该摄像元件的摄像装置。
技术介绍
摄影机、数码相机等采用了由诸如电荷耦合器件(CCD：ChargeCoupledDevice)、或互补金属氧化物半导体(CMOS：ComplementaryMetal-OxideSemiconductor)等图像传感器构成的半导体摄像装置(摄像装置)。在这些摄像装置中，各元件设置有包括光电二极管的受光部。在所述受光部中，入射光被光电转换从而生成信号电荷。近年来，已经开发了其中将摄像装置中的一些摄像像素用于相位检测以便提高自动聚焦(AF：automaticfocusing)速度的系统(成像面相位差检测系统)。该相位差检测系统涉及到利用二维传感器以光瞳分割方式进行的焦点检测，在该二维传感器中，图像传感器内的各像素设置有片上透镜。在这样的摄像装置中，已经对用于获得在摄像用像素(摄像像素)和焦点检测用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像元件，其包括：/n第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括受光部和聚光部，所述受光部包括光电转换元件，且所述聚光部被构造成使得入射光能够朝着所述受光部聚集；/n沟槽，所述沟槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间；/n第一遮光膜，所述第一遮光膜被埋入所述沟槽中；以及/n第二遮光膜，所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处，且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。/n

【技术特征摘要】
20130329 JP 2013-0735321.一种摄像元件，其包括：
第一像素和第二像素，所述第一像素和所述第二像素均包括受光部和聚光部，所述受光部包括光电转换元件，且所述聚光部被构造成使得入射光能够朝着所述受光部聚集；
沟槽，所述沟槽被设置于所述第一像素与所述第二像素之间；
第一遮光膜，所述第一遮光膜被埋入所述沟槽中；以及
第二遮光膜，所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的受光表面的一部分处，且所述第二遮光膜是与所述第一遮光膜连续的。


2.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述第二遮光膜被设置于所述第二像素的所述受光部的所述受光表面上。


3.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述第二遮光膜被埋入所述第二像素的所述受光部中。


4.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述第一像素和所述第二像素能够让各自的入射光聚集在沿深度方向的相同水平面处。


5.根据权利要求1所述的摄像元件，其中所述受光部包括n型半导体区域和p型半导体区域，所述n型半导体区域充当所述光电转换元件，且所述p型半导体区域被设置于所述受光表面上且从所述沟槽的壁表面延伸到所述沟槽的底面。


6.根据权利要求5所述的摄像元件，其中所述受光部的所述受...

【专利技术属性】
技术研发人员：野村宏利，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP