阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板。阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，第一薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的栅极同层设置。可以在一道mask中同时形成第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的栅极，从而可以减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。另外，第二薄膜晶体管的栅极设置于第一薄膜晶体管的栅极绝缘层上，从而可以节省第二薄膜晶体管的缓冲层，进一步地减少制作薄膜晶体管混合型的阵列基板时所需要的工艺流程，进而降低了制作阵列基板的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板
本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示面板包括多个像素单元，每个像素单元包括多个薄膜晶体管组成的像素电路。薄膜晶体管可以有多种类型，多种类型的薄膜晶体管组成的像素电路使得制作显示面板的过程中工艺数变多，造成显示面板的制作工艺复杂，且成本高。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示面板，以简化阵列基板的制作工艺，降低阵列基板的生产成本。第一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。可选地，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；或者，所述第一薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管，所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；/n所述第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
所述第一薄膜晶体管为顶栅型晶体管，所述第二薄膜晶体管为底栅型晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第二薄膜晶体管的栅极同层设置。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管；或者，所述第一薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第一栅极，所述第一栅极与所述第一半导体层在所述阵列基板的厚度方向的投影至少部分交叠，以及设置在所述第一半导体层和所述第一栅极之间的第一栅极绝缘层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极和第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第二栅极远离所述第一栅极绝缘层的一侧，所述第二栅极与所述第二半导体层在所述阵列基板的厚度方向的投影至少部分交叠，以及设置在所述第二栅极和所述第二半导体层之间的第二栅极绝缘层。


4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极，复用为所述第一薄膜晶体管的第一层间绝缘层。


5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一源漏极；所述第一源漏极设置于所述第二栅极绝缘层上且与所述第一半导体层连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员：李勃，张明福，俞凤至，纪卢芳月，汪建平，
申请(专利权)人：合肥维信诺科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34