阵列基板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:24942883 阅读:38 留言:0更新日期:2020-07-17 22:03
本申请提供一种阵列基板及显示装置,阵列基板包括基板、阵列层、钝化层以及发光元件,阵列层设置于基板上,发光元件设置于阵列层上,钝化层形成于阵列层远离基板的一侧,钝化层包括依次叠置的第一介质层、第二介质层以及第三介质层,第一介质层靠近阵列层,第三介质层远离阵列层,第一介质层的折射率与第二介质层的折射率相异,第二介质层的折射率与第三介质层的折射率相异。本申请钝化层起到反射作用,相对于涂覆白油作为一道单独制程,节省阵列基板的制造成本且提升阵列基板的良率。相对于传统反射层由两个不同折射率介质层组成,本申请钝化层对波长为450纳米的光的反射率更高。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
目前,在亚毫米发光二极管(mini-LED)组成的背光模组上涂覆白油用来反射亚毫米发光二极管发出的光的同时,且能起到防刮伤的作用。然而,涂覆白油作为一道单独的制程会增加背光模组的制造成本。因此,有必要提出一种技术方案以制作反射层的同时能降低制造成本。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,以解决传统白油作为反射层需要单独制程导致制造成本高的问题。为实现上述目的,本申请提供一种阵列基板,所述阵列基板包括基板、阵列层、钝化层以及发光元件,所述阵列层设置于所述基板上,所述发光元件设置于所述阵列层上;所述钝化层形成于所述阵列层远离所述基板的一侧,所述钝化层包括依次叠置的第一介质层、第二介质层以及第三介质层,所述第一介质层靠近所述阵列层,所述第三介质层远离所述阵列层,所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率相异,所述第二介质层的折射率与所述第三介质层的折射率相异。在上述阵列基板中,所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板、阵列层、钝化层以及发光元件,/n所述阵列层设置于所述基板上,所述发光元件设置于所述阵列层上;/n所述钝化层形成于所述阵列层远离所述基板的一侧,所述钝化层包括依次叠置的第一介质层、第二介质层以及第三介质层,所述第一介质层靠近所述阵列层,所述第三介质层远离所述阵列层,所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率相异,所述第二介质层的折射率与所述第三介质层的折射率相异。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括基板、阵列层、钝化层以及发光元件,
所述阵列层设置于所述基板上,所述发光元件设置于所述阵列层上;
所述钝化层形成于所述阵列层远离所述基板的一侧,所述钝化层包括依次叠置的第一介质层、第二介质层以及第三介质层,所述第一介质层靠近所述阵列层,所述第三介质层远离所述阵列层,所述第一介质层的折射率与所述第二介质层的折射率相异,所述第二介质层的折射率与所述第三介质层的折射率相异。


2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第二介质层的折射率大于所述第一介质层的折射率和所述第三介质层的折射率。


3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二介质层的折射率与所述第一介质层的折射率的差值大于或等于1且小于或等于3,所述第二介质层的折射率与所述第三介质层的折射率的差值大于或等于1且小于或等于3。


4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一介质层和所述第三介质层为氮化硅层,所述第二介质层为非晶硅层,所述第一介质层的厚度为640埃-660埃,所述第二介质层的厚度为160埃-180埃,所述第三介质层的厚度为600埃-1200埃。


5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层还包括第四介质层,所述第四介质层形成于...

【专利技术属性】
技术研发人员:张骢泷宋奥奇张婷
申请(专利权)人:TCL华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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