【技术实现步骤摘要】
基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置
本专利技术涉及一种治疗脑部疾病的装置，特别涉及一种基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置。
技术介绍
使用低功率激光照射治疗(Low-levellasertherapy，或Low-levellighttherapy，LLLT)人体皮肤下30cm以内的组织疼痛已经有了几十年的历史。迄今为止，世界各地的研究者已经完成了超过500多项各种临床试验和4000多项实验室内的动物研究，证实这种波长在600nm-1400nm的红光和红外光可在缓解疼痛，减少炎症、调节免疫反应、促进伤口愈合、刺激人体穴位、促进毛发生长等方面发挥有效的作用。其生物物理原理是：利用具有窄带光谱的红色至近红外波长的中低功率密度(mW/cm2)和大能量密度(J/cm2)的准单色光，以非破坏性和非热性的方式在细胞层面产生光生物调节作用(Photobiomodulation,PBM)。PBM使用中低强度的窄带光对人体组织进行无创或非损伤照射，在细胞层面调节一系列生物化学作用，包括提高细胞色素氧化酶的活性、细胞氧气消耗量、一...
【技术保护点】
1.一种基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，包括头盔(100)、半导体激光发生器(300)、至少一根传能光纤(210)以及电源及主控制盒(400)；其特征在于：/n所述头盔(100)包括头盔外层以及设置在头盔外层内侧的至少一根散射光纤；/n所述传能光纤(210)与散射光纤连接；/n所述半导体激光发生器(300)用于产生波长为600nm-1400nm的激光；/n所述半导体激光发生器(300)与所有传能光纤(210)分别连接，用于向所有散射光纤输出平均功率总计在5W-200W的激光，或者使散射光纤照射在皮肤表面的平均激光功率密度在30-500mW/cm
【技术特征摘要】
1.一种基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，包括头盔(100)、半导体激光发生器(300)、至少一根传能光纤(210)以及电源及主控制盒(400)；其特征在于：
所述头盔(100)包括头盔外层以及设置在头盔外层内侧的至少一根散射光纤；
所述传能光纤(210)与散射光纤连接；
所述半导体激光发生器(300)用于产生波长为600nm-1400nm的激光；
所述半导体激光发生器(300)与所有传能光纤(210)分别连接，用于向所有散射光纤输出平均功率总计在5W-200W的激光，或者使散射光纤照射在皮肤表面的平均激光功率密度在30-500mW/cm2之间。
2.根据权利要求1所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述头盔(100)还包括设置在头盔外层内侧的出光体(200)；
所述散射光纤设置在出光体(200)上。
3.根据权利要求2所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述出光体(200)为立体结构，且靠近皮肤一面为出光面(202)，其余面为光反射面(203)；
所述散射光纤为高散射光纤(211)；
所述散射光纤设置在出光体(200)内。
4.根据权利要求3所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述高散射光纤(211)的结构包括无包覆层光纤纤芯(281)和被腐蚀或磨砂处理过的无包覆层光纤表面(283)。
5.根据权利要求2所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述出光体(200)为柔性垫；
所述散射光纤为低散射光纤(220)；
所述散射光纤设置在柔性垫的内侧面。
6.根据权利要求2所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述出光体(200)为立体结构，且靠近皮肤一面为出光面(202)，其余面为光反射面(203)；
所述散射光纤为低散射光纤(220)；
所述散射光纤设置在出光体(200)内。
7.根据权利要求5或6所述的基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置，其特征在于：
所述低散射光纤(220)包括散射光纤纤...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆力越，杨冰，贺大林，鲁怀安，魏周文，孟涛，刘启，刘琦，陈荣，
申请(专利权)人：西安蓝极医疗电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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