一种太赫兹三推环形振荡器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太赫兹三推环形振荡器：一号MOS场效应晶体管、二号MOS场效应晶体管、三号MOS场效应晶体管源极接地；一号MOS场效应晶体管栅极经四号微带传输线连接三号MOS场效应晶体管漏极，二号MOS场效应晶体管栅极经五号微带传输线连接一号MOS场效应晶体管漏极，三号MOS场效应晶体管栅极经六号微带传输线连接二号MOS场效应晶体管漏极；一号MOS场效应晶体管、二号MOS场效应晶体管、三号MOS场效应晶体管漏极分别经一号微带传输线、二号微带传输线、三号微带传输线连接公共节点，公共节点经输出端电感连接直流电压源，经输出端电容连接输出端点。本实用新型专利技术能够获得更高的输出功率和更低的相位噪声。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹三推环形振荡器
本技术涉及太赫兹信号源
，更具体的说，是涉及一种太赫兹三推环形振荡器。
技术介绍
太赫兹技术被认为是“未来改变世界的十大技术之一”。目前，国际上对太赫兹辐射波段两侧的电磁波技术，即红外技术和微波技术的研究水平已经非常成熟。由于缺乏有效的太赫兹辐射产生和检测手段,并且此波段既不完全适合用光学理论来处理，也不完全适合用微波电子学理论来研究，所以目前科学界对于该波段的了解一直比较有限,于是太赫兹成为电磁波谱中最后一个未被全面研究的频率窗口,以致于它被业内称为电磁波谱中的“太赫兹空隙(terahertzgap)”。从二十多年前开始,随着太赫兹辐射源和太赫兹探测器的相继问世及快速发展,太赫兹技术的研究和应用才有了较快发展,因为太赫兹辐射的量子能量很低，信噪比很高，频谱极宽，具有一系列特殊的性质，在基础研究、核技术、医疗诊断、安全检测、射电天文、物体成像、宽带移动通信和国防军事等领域显示了重大的科学价值及实用前景,与此同时,其他方面的工程应用潜力也受到关注。因此，设计高性能的太赫兹信号源显得尤为必要。传统的信号源如振荡器、倍本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹三推环形振荡器，其特征在于，包括一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)；所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的源极均接地；所述一号MOS场效应晶体管(M1)的栅极经四号微带传输线(L4)连接至三号MOS场效应晶体管(M3)的漏极，所述二号MOS场效应晶体管(M2)的栅极经五号微带传输线(L5)连接至一号MOS场效应晶体管(M1)的漏极，所述三号MOS场效应晶体管(M3)的栅极经六号微带传输线(L6)连接至二号MOS场效应晶体管(M2)的漏极；/n所述一号MOS场效...

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹三推环形振荡器，其特征在于，包括一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)；所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的源极均接地；所述一号MOS场效应晶体管(M1)的栅极经四号微带传输线(L4)连接至三号MOS场效应晶体管(M3)的漏极，所述二号MOS场效应晶体管(M2)的栅极经五号微带传输线(L5)连接至一号MOS场效应晶体管(M1)的漏极，所述三号MOS场效应晶体管(M3)的栅极经六号微带传输线(L6)连接至二号MOS场效应晶体管(M2)的漏极；
所述一号MOS场效应晶体管(M1)、二号MOS场效应晶体管(M2)、三号MOS场效应晶体管(M3)的漏极分别经一号微带传输线(L1)、二号微带传输线(L2)、三号微带传输线(L3)连接至公共节点(Q)，该公共节点(Q)经输出端电感(Lo)连接至直流电...

【专利技术属性】
技术研发人员：白红梅，吴淘锁，
申请(专利权)人：呼伦贝尔学院，
类型：新型
国别省市：内蒙;15