【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用作RC滤波器的单个电容器
所公开的方面涉及具有电阻器与电容器(RC)滤波器的半导体装置。
技术介绍
RC滤波器(或RC网络)是用于多种不同的集成电路(IC)、特别是模拟电路的通用电路单元。一个实例是用于实现低通(LP)滤波器，所述低通滤波器用于滤除高频噪声、抑制电磁干扰(EMI)或提供更稳定的输出信号。然而，RC滤波器也可以被配置为高通滤波器。形成一阶(单极)RC滤波器的传统方法是在管芯上并排使用两个分立装置(包含单独的R和串联连接的C)，并且在低通滤波器情况下，来获得RC滤波器在C板上的输出。通常，R的电阻需要为高值，典型地在数十欧姆到数十兆(106)欧姆的范围内。薄层电阻(以欧姆/平方(sq)为单位)是用于表征不同材料的与R层厚度成反比的R区域独立电阻测量结果。对于不同的材料，薄层电阻显著变化，从对于金属层的几毫欧姆/平方到对于未掺杂的多晶硅层的几十千欧姆/平方。当知道了R的形状(因此其长度和宽度)时，就知道了平方数，所述平方数使得能够使用薄层电阻乘以平方数来计算R的电阻值。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种在集成电路IC上形成电阻器电容器RC滤波器的方法，其包括：/n提供衬底，所述衬底至少具有半导体表面，其中第一介电层位于所述半导体表面上；/n在所述第一介电层下方形成掺杂扩散层；/n在所述第一介电层上形成图案化的掺杂多晶硅层，包含形成用于所述RC滤波器的电容器的多晶硅板；/n在所述多晶硅板上形成第二介电层；/n形成触点，所述触点包含RC滤波器的与所述多晶硅板的一端接触的输入触点、所述RC滤波器的与所述多晶硅板的相对端接触的输出触点，以及/n形成金属层，所述金属层提供至少与所述输入触点和所述输出触点的接触。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在集成电路IC上形成电阻器电容器RC滤波器的方法，其包括：
提供衬底，所述衬底至少具有半导体表面，其中第一介电层位于所述半导体表面上；
在所述第一介电层下方形成掺杂扩散层；
在所述第一介电层上形成图案化的掺杂多晶硅层，包含形成用于所述RC滤波器的电容器的多晶硅板；
在所述多晶硅板上形成第二介电层；
形成触点，所述触点包含RC滤波器的与所述多晶硅板的一端接触的输入触点、所述RC滤波器的与所述多晶硅板的相对端接触的输出触点，以及
形成金属层，所述金属层提供至少与所述输入触点和所述输出触点的接触。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述IC包含模拟电路，并且其中所述RC滤波器耦接到所述模拟电路上的输入节点或输出节点。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅板是所述电容器的顶板，其中所述掺杂扩散层是所述电容器的底板，并且其中所述触点也包含接触所述掺杂扩散层的触点。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅板是所述电容器的底板，所述方法进一步包括在所述多晶硅板上的所述第二介电层上形成顶部金属板，以提供所述电容器的顶板。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述参杂多晶硅层上、包含在所述多晶硅板上形成硅化物层。
6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括仅在所述掺杂多晶硅层的一部分上形成硅化物层，包含阻挡所述在所述多晶硅板上形成所述硅化物层。
7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括在形成所述掺杂多晶硅层之后进行源极和漏极注入以在所述半导体表面形成掺杂区域，包含在所述IC上用于金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极和漏极，同时阻挡所述源极和漏极注入物注入所述多晶硅板。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅板在形状上为矩形。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述RC滤波器不包含分立电阻器。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅板是所述电容器的中间板，其中所述掺杂扩散层是掺杂半导体底板以提供所述电容器的底板，并且其中所述触点也包含接触所述掺杂扩散层的触点，
所述方法进一步包括在所述多晶硅板上的所述第二介电层上形成顶部金属板，以为所述电容器提供顶板，所述顶板与接触所述掺杂扩散层的所述触点接触。
11.一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：李霖，李晓明，董贤辉，景卫兵，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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