半导体用粘合膜制造技术

技术编号:24895721 阅读:30 留言:0更新日期:2020-07-14 18:20
本发明专利技术涉及半导体用粘合膜,其包括:包含粘合粘结剂和散热填料的第一层;以及包含粘合粘结剂和磁性填料的第二层,第二层形成在第一层的至少一个表面上,其中粘合膜具有预定组成的在第一层和第二层中的每一者中包含的粘合粘结剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体用粘合膜
相关申请的交叉引用本申请要求于2018年2月2日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0013603号和于2018年12月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0157086号的申请日的权益,其全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及半导体用粘合膜。更具体地,本专利技术涉及这样的半导体用粘合膜:其能够以改善的物理固化特性改善半导体芯片的可靠性,并且能够实现改善的机械特性以及高的耐热性和粘合强度,并且能够进一步实现优异的热导率特性和电磁波吸收性能。
技术介绍
近来,随着电子设备趋向小型化、高功能化和大容量的趋势日益扩大,以及对半导体封装的致密化和高度集成的需求迅速增加,半导体芯片的尺寸变得越来越大。就改善集成度而言,用于多级堆叠芯片的堆叠封装法逐渐增加。随着多级半导体堆叠封装的使用,芯片的厚度变得更薄并且电路的集成度增加。结果,芯片本身的模量降低,从而引起制造过程或最终产品的可靠性方面的问题。为了解决这些问题,尝试增强半导体封装过程中使用的粘合剂的物理特性。此外,近来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体用粘合膜,包括:/n包含粘合粘结剂和散热填料的第一层;以及包含粘合粘结剂和磁性填料的第二层,所述第二层形成在所述第一层的至少一个表面上,/n其中所述第一层和所述第二层中的每一者中包含的所述粘合粘结剂包含:基于(甲基)丙烯酸酯的树脂,所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元;固化剂,所述固化剂包含酚树脂;和环氧树脂。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180202 KR 10-2018-0013603;20181207 KR 10-2018-011.一种半导体用粘合膜,包括:
包含粘合粘结剂和散热填料的第一层;以及包含粘合粘结剂和磁性填料的第二层,所述第二层形成在所述第一层的至少一个表面上,
其中所述第一层和所述第二层中的每一者中包含的所述粘合粘结剂包含:基于(甲基)丙烯酸酯的树脂,所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂包含含有基于环氧的官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元和含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的重复单元;固化剂,所述固化剂包含酚树脂;和环氧树脂。


2.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜,
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂的羟基当量为0.15eq/kg或更小。


3.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜,
其中所述基于(甲基)丙烯酸酯的树脂中的所述含有芳族官能团的基于(甲基)丙烯酸酯的官能团的含量为2重量%至40重量%。


4.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜,
其中所述散热填料包括选自以下的至少一者:氧化铝(Al2O3)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化镁(MgO)、氧化锌(ZnO)和氢氧化铝(Al(OH)3)。


5.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜,
其中第一层包含0.1重量%至50重量%的所述散热填料。


6.根据权利要求1所述的半导体用粘合膜,
其中所述磁性填料包括选自以下的至少一者:铁-硅-铝合金、铁-硅合金、铁-铬-硅合金、铁-铬合金、镍-铁合金、羰基铁、镍-锌铁氧体和锰-锌铁氧体。

【专利技术属性】
技术研发人员:张种民金熹正李光珠
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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