包括自支承三层叠堆的基底制造技术

技术编号:24895250 阅读:33 留言:0更新日期:2020-07-14 18:20
本发明专利技术描述了一种包括自支承三层叠堆的基底。该三层叠堆包括第一外层和第二外层以及双轴向取向层,该双轴向取向层设置在该第一外层与该第二外层之间并且与该第一外层和该第二外层直接接触。该双轴向取向层可包含具有大于45摩尔%的萘二甲酸酯单元和大于45摩尔%的乙烯单元的第一聚酯。该第一外层和该第二外层中的每一者均包含第二聚酯,该第二聚酯可包含40摩尔%至50摩尔%的萘二甲酸酯单元、至少25摩尔%的乙烯单元和10摩尔%至25摩尔%的支链或环状的C4‑C10烷基单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括自支承三层叠堆的基底
技术介绍
基底用于各种显示器应用中。例如,显示器的发射层可设置在基底上。作为另一示例,用于显示器中的触摸传感器的电极可设置在基底上。
技术实现思路
在本说明书的一些方面,提供了一种包括自支承三层叠堆的基底。三层叠堆包括第一外层和第二外层以及双轴向取向层,该双轴向取向层设置在第一外层与第二外层之间并且与第一外层和第二外层直接接触。双轴向取向层包含具有大于45摩尔%的萘二甲酸酯单元和大于45摩尔%的乙烯单元的第一聚酯。第一外层和第二外层中的每一者均包含第二聚酯,该第二聚酯包含40摩尔%至50摩尔%的萘二甲酸酯单元、至少25摩尔%的乙烯单元和10摩尔%至25摩尔%的支链或环状的C4-C10烷基单元。在本说明书的一些方面,提供了一种包括自支承三层叠堆的基底。三层叠堆包括第一外层和第二外层以及双轴向取向层,该双轴向取向层设置在第一外层与第二外层之间并且与第一外层和第二外层直接接触。双轴向取向层包含含有多个第一单体单元的第一聚酯并且第一外层和第二外层中的每一者均包含第二聚酯。第一聚酯具有至少90℃的玻璃化转变温度。第二聚酯为包含多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底,所述基底包括自支承三层叠堆,所述三层叠堆包括第一外层和第二外层以及双轴向取向层,所述双轴向取向层设置在所述第一外层和所述第二外层之间并且与所述第一外层和所述第二外层直接接触,其中所述双轴向取向层包含具有大于45摩尔%的萘二甲酸酯单元和大于45摩尔%的乙烯单元的第一聚酯,其中所述第一外层和所述第二外层中的每一者均包含第二聚酯,所述第二聚酯包含40摩尔%至50摩尔%的萘二甲酸酯单元、至少25摩尔%的乙烯单元、和10摩尔%至25摩尔%的支链或环状的C4-C10烷基单元。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 US 62/592,5551.一种基底,所述基底包括自支承三层叠堆,所述三层叠堆包括第一外层和第二外层以及双轴向取向层,所述双轴向取向层设置在所述第一外层和所述第二外层之间并且与所述第一外层和所述第二外层直接接触,其中所述双轴向取向层包含具有大于45摩尔%的萘二甲酸酯单元和大于45摩尔%的乙烯单元的第一聚酯,其中所述第一外层和所述第二外层中的每一者均包含第二聚酯,所述第二聚酯包含40摩尔%至50摩尔%的萘二甲酸酯单元、至少25摩尔%的乙烯单元、和10摩尔%至25摩尔%的支链或环状的C4-C10烷基单元。


2.根据权利要求1所述的基底,其中所述双轴向取向层具有至少4.5GPa的杨氏模量。


3.根据权利要求1所述的基底,其中所述双轴向取向层具有为至少0.18的面外双折射率。


4.根据权利要求1所述的基底,其中所述双轴向取向层的厚度为所述三层叠堆的厚度的至少80%。


5.根据权利要求1所述的基底,其中所述第二聚酯不具有通过差示扫描量热法可检测到的熔点。


6.根据权利要求1所述的基底,其中所述第二聚酯具有小于10J/g的熔融焓。


7.根据权利要求1所述的基底,其中所述第一外层和所述第二外层各自具有小于0.02的面内双折射率和小于0.02的面外双折射率。


8.根据权利要求1所述的基底,其中对于所述第二聚酯,所述萘二甲酸酯单元的摩尔%、所述乙烯单元的摩尔%和所述支链或环状的C4-C10烷基单元的摩尔%相加为100摩尔%,并且对于所述第一聚酯,所述萘二甲酸酯单元的摩尔%和所述乙烯单元的摩尔%相加为100摩尔%。


9.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:斯蒂芬·A·约翰逊德里克·W·帕茨曼理查德·Y·刘约翰·F·范德洛弗斯科三世克里斯托弗·J·德克斯维克托·霍凯文·T·哈斯拜
申请(专利权)人:三M创新有限公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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