保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法技术

本发明专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有‑15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法
本专利技术涉及一种保护膜形成用复合片及带保护膜的半导体芯片的制造方法。本申请基于2018年3月9日在日本提出的日本特愿2018-043567号主张优先权，并将其内容援用于此。
技术介绍
近年来，正在进行应用了被称作倒装(facedown)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，与半导体芯片的电路面为相反侧的背面有时会露出。在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。为了形成这样的保护膜，例如使用一种在具有基材的支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜，还可将支撑片用作切割片，能够制成保护膜形成用膜与切割片一体化而成的保护膜形成用复合片。作为这样的保护膜形成用复合片，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，/n所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180309 JP 2018-0435671.一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，
所述基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。


2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材具有下述特性：
以使所述基材的MD方向或CD方向为长边方向的方式，将所述基材裁切成长边110mm×短边22mm，以使加热前的测定间距L0约为100mm的方式对所述基材施加2.2g的载荷，并在该状态下以130℃加热2小时，然后放冷，在23℃下，测定加热后的测定间距L1时，
无论是将所述基材的MD方向裁切成长边时或者是将所述基材的CD方向裁切成长边时，下述式(1)所表示的热伸缩率X均为-3％以上+3％以下，
X＝[(L1-L0)/L0]×100···(1)。

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【专利技术属性】
技术研发人员：古野健太，米山裕之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP