一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体制造技术

技术编号:24894683 阅读:54 留言:0更新日期:2020-07-14 18:20
本发明专利技术提供了一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体,包括半圆形外壳、半圆形加速电极Dee盒、粗调结构、细调结构和馈电结构,加速电极Dee盒设置在半圆形外壳内部,且电极Dee板的外周与半圆形外壳之间有间隙,粗调结构和细调结构分别位于半圆形外壳的两侧,粗调结构包括调谐杆,粗调圆筒和粗调短路片,细调结构包括细调圆筒和细调短路片,馈电结构为高频腔体传输高频能量,加速电极Dee盒提供离子加速电压,半圆形腔体外壳与电极的间隙提供离子加速高频电场,移动相应的短路片来调节高频腔体电磁场工作频率。本发明专利技术既可满足多离子变能量工作模式对频率调谐范围的要求,又可解决腔体频率调谐结构与磁铁线圈之间的干涉问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体
本专利技术属于粒子加速器领域,尤其是涉及一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体。
技术介绍
加速器的高频腔体主要由加速腔及频率调谐结构组成,频率调谐结构的作用是改变高频腔体的工作频率,以适应不同离子的不同加速能量需求。频率调谐结构分粗调结构及细调结构,粗调结构一般为圆筒状,粗调结构一般沿加速器腔体扇形面法向分量放置,细调结构为片状插入式,一个典型的三次谐波模式双调谐结构回旋加速器高频腔体结构如图1所示。为了满足多离子变能量状态要求,也就是使得多种不同离子在回旋加速器中加速至指定能量状态的要求,高频腔体的工作频率需要具有较宽的调谐范围,因此高频腔体的调谐结构的物理尺寸往往较为庞大,否则难以达到符合要求的宽频带调谐指标。无磁扼方案的线圈结构经重新设计后,其结构与有磁扼结构差异较大,磁铁线圈结构常覆盖整个高频腔体上方。这意味着,实现高温超导无磁扼的线圈结构将与实现多离子变能量高频腔体庞大的频率调谐结构构成干涉,即由于空间不足,无法同时放置线圈及频率调谐结构。这一问题给高温超导无磁扼多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体,其特征在于:包括半圆形外壳(1)、加速电极Dee盒(2)、粗调结构(3)、细调结构(4)和馈电结构(5),所述加速电极Dee盒(2)为半圆形,所述加速电极Dee盒(2)设置在半圆形外壳(1)的内部,且加速电极Dee盒(2)的外周与半圆形外壳(1)之间设有间隙,所述粗调结构(3)和细调结构(2)分别位于半圆形外壳(1)的两侧,所述的粗调结构(3)包括调谐杆(8),粗调圆筒(6)和粗调短路片(7),所述的粗调圆筒(6)的一端与半圆形外壳(1)相连,所述的调谐杆(8)放置于粗调圆筒(6)内,调谐杆(8)的一端穿过半圆形外壳(1)与加速电极Dee盒...

【技术特征摘要】
1.一种高温超导无磁扼多离子变能量回旋加速器高频腔体,其特征在于:包括半圆形外壳(1)、加速电极Dee盒(2)、粗调结构(3)、细调结构(4)和馈电结构(5),所述加速电极Dee盒(2)为半圆形,所述加速电极Dee盒(2)设置在半圆形外壳(1)的内部,且加速电极Dee盒(2)的外周与半圆形外壳(1)之间设有间隙,所述粗调结构(3)和细调结构(2)分别位于半圆形外壳(1)的两侧,所述的粗调结构(3)包括调谐杆(8),粗调圆筒(6)和粗调短路片(7),所述的粗调圆筒(6)的一端与半圆形外壳(1)相连,所述的调谐杆(8)放置于粗调圆筒(6)内,调谐杆(8)的一端穿过半圆形外壳(1)与加速电极Dee盒(2)相连,所述的粗调短路片(7)连接调谐杆(8)和粗调圆筒(6),所述的粗调短路片(7)在粗调圆筒(6)内滑动设置,所述的细调结构(4)包括细调圆筒(9)和细调短路片(10),所述的细调圆筒(9)的一端与半圆形外壳(1)相连,所述的细调短路片(10)滑动设置在细调圆筒(9)内,所述馈电结构(5)自半圆形外壳(1)边缘处伸入高频腔体内;
所述馈电结构(5)为同轴线结构,为高频腔体传输高频能量,所述加速电极Dee盒(2)提供离子加速所需电压,半圆形外壳(1)与加速电极Dee盒(2)的间隙提供离子加速所需的高频电场,通过移动粗调结构...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈晚郝焕锋蒋洪平刘剑利张健张韬陈启明韩正男姚庆欢李忠宇李振宇窦彦昕
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:黑龙;23

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