半导体装置制造方法及图纸

提供半导体装置，在反电动势的钳位时，能够利用较少的齐纳电流使开关元件转变为接通状态。半导体装置当伴随开关元件(3)从接通状态向断开状态的转变而在感性负载(2)中产生反电动势时，利用来自连接在开关元件的漏极与栅极之间的齐纳二极管(ZD1)的齐纳电流(Ic)使开关元件转变为接通状态，其中，具备：放电电阻(R2、R3的并联电路)，其在开关元件的断开驱动时从栅极进行电荷的放电；检测电路(5)，其作为检测齐纳电流的检测部发挥功能，并且作为向栅极供给齐纳电流的供给部发挥功能；以及切换电路(6)，其在检测出齐纳电流的期间，作为将放电电阻的电阻值切换为较高的值(R2)的切换部发挥功能。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及驱动对流过感性负载的电流进行控制的开关元件的半导体装置。
技术介绍
驱动对流过感性负载的电流进行控制的开关元件的半导体装置具备通过以规定的电压对在感性负载中产生的反电动势(逆起電圧)进行钳位来保护开关元件不受反电动势的影响的动态钳位功能(例如，参照专利文献1、2)。在专利文献1、2中，通过在开关元件的控制端子与一个主电极之间连接齐纳二极管，以规定的电压对开关元件关断时产生的反电动势进行钳位，并且利用齐纳电流使开关元件转变为接通状态，使从感性负载释放的电荷经由开关元件释放。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-261020号公报专利文献2：日本特开2017-158106号公报然而，在开关元件关断时从控制端子进行电荷的放电的放电电阻被设定为较低的值，以减小开关损耗。因此，为了利用齐纳电流使开关元件转变为接通状态，需要在齐纳二极管中流过较多的电流，存在损耗和尺寸也不能忽视的问题点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术的上述问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其通过对具备两个主电极和控制端子的开关元件进行接通断开驱动，来控制在感性负载中流动的电流，当伴随所述开关元件的断开驱动而在所述感性负载中产生了反电动势时，利用来自连接在所述开关元件的一个所述主电极与所述控制端子之间的齐纳二极管的齐纳电流对所述开关元件进行接通驱动，该半导体装置的特征在于，具备：/n放电电阻，其在所述开关元件的断开驱动时从所述控制端子进行电荷的放电；/n检测部，其检测所述齐纳电流；/n供给部，其向所述控制端子供给所述齐纳电流；以及/n切换部，其在由所述检测部检测出所述齐纳电流的期间，将所述放电电阻的电阻值切换为较高的值。/n

【技术特征摘要】
20190108 JP 2019-0011221.一种半导体装置，其通过对具备两个主电极和控制端子的开关元件进行接通断开驱动，来控制在感性负载中流动的电流，当伴随所述开关元件的断开驱动而在所述感性负载中产生了反电动势时，利用来自连接在所述开关元件的一个所述主电极与所述控制端子之间的齐纳二极管的齐纳电流对所述开关元件进行接通驱动，该半导体装置的特征在于，具备：
放电电阻，其在所述开关元件的断开驱动时从所述控制端子进行电荷的放电；
检测部，其检测所述齐纳电流；
供给部，其向所述控制端子供给所述齐纳电流；以及
切换部，其在由所述检测部检测出所述齐纳电流的期间，将所述放电电阻的电阻值切...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉永充达，中村浩章，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP