一种准分子激光高压开关的触发及保护电路制造技术

技术编号:24892592 阅读:54 留言:0更新日期:2020-07-14 18:18
本发明专利技术公开了一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,中控系统将其所产生光脉宽信号同步传输给脉冲发生器和高压发生器,中控系统还将其所产生的充电基准电压光信号传输给高压发生器;变压器T

【技术实现步骤摘要】
一种准分子激光高压开关的触发及保护电路
本专利技术涉及高压开关控制
,尤其是一种准分子激光高压开关的触发及保护电路。
技术介绍
准分子激光器需要工作在高电压状态下。高压开关如IGBT和氢闸流管是用在高压回路中的两个典型开关、由于高压开关在导通的过程中会在触发端耦合进数十到数千伏的尖峰干扰电压。该尖峰干扰电压会干扰和损坏触发回路中的低压元件。因此,需要一种特殊的电路来产生高压开关的触发信号并且应具有抵抗尖峰电压干扰的能力,使得高压开关能长期稳定地工作。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中的缺陷,本专利技术提供一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,能够产生高压开关的触发信号并且具有抵抗高压尖峰脉冲干扰的能力,使得高压开关能长期稳定地工作。为实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案,包括:一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,触发及保护电路包括:中控系统、高压发生器、脉冲发生器、高压开关、变压器T0、反馈单元、共模扼流圈T1、激光发生单元;所述中控系统用于产生光脉宽信号和充电基准电压光信号;所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,触发及保护电路包括:中控系统、高压发生器、脉冲发生器、高压开关、变压器T

【技术特征摘要】
1.一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,触发及保护电路包括:中控系统、高压发生器、脉冲发生器、高压开关、变压器T0、反馈单元、共模扼流圈T1、激光发生单元;
所述中控系统用于产生光脉宽信号和充电基准电压光信号;所述中控系统分别与脉冲发生器和高压发生器相连接,中控系统用于将所产生的光脉宽信号同步传输给脉冲发生器和高压发生器,中控系统还用于将所产生的充电基准电压光信号传输给高压发生器;
所述变压器T0包括:初级线圈L1、次级线圈L2、次级线圈L3;
初级线圈L1的两端与脉冲发生器的输出端相连接;
次级线圈L2的一端与共模扼流圈T1的芯轴线的输入端相连接;次级线圈L2的另一端与共模扼流圈T1的屏蔽层的输入端相连接;
次级线圈L3的两端分别与反馈单元相连接;
所述反馈单元用于产生反馈信号,反馈脉冲发生器是否产生触发信号;
中控系统与反馈单元相连接,用于接收反馈单元所产生的反馈信号;
共模扼流圈T1的芯轴线的输出端与高压开关的触发端相连接;
共模扼流圈T1的屏蔽层的输出端与高压开关的接地端相连接;
高压发生器的输出端与高压开关的集电极端相连接;
高压发生器的输出端还与激光发生单元相连接;
所述激光发生单元用于产生激光。


2.根据权利要求1所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,触发及保护电路还包括:光纤头FB1、光纤头FB2、光纤头FB3;
所述中控系统通过第一光纤线与设置在脉冲发生器输入端的光纤头FB1相连接;所述中控系统通过第二光纤线和第三光纤线分别与设置在高压发生器输入端的光纤头FB2和光纤头FB3相连接;
所述第一光纤线和第二光纤线用于将中控系统所产生的光脉宽信号分别同步传输给脉冲发生器和高压发生器;所述第三光纤线用于将中控系统所产生的充电基准电压光信号传输给高压发生器。


3.根据权利要求1所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,反馈单元包括:分压电阻R4、光纤头FB4;
次级线圈L3的一端与分压电阻R4的一端相连接,次级线圈L3的另一端与光纤头FB4的一端相连接,分压电阻R4的另一端与光纤头FB4的另一端相连接;
中控系统通过第四光纤线与反馈单元中的光线头FB4相连接;所述第四光纤线用于将反馈单元所产生的反馈信号传输给中控系统。


4.根据权利要求1所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,触发及保护电路还包括:负偏压发生器、电容C1;
次级线圈L2的一端与电容C1的一端相连接,电容C1的另一端与共模扼流圈T1的芯轴线的输入端相连接;次级线圈L2的另一端与共模扼流圈T1的屏蔽层的输入端相连接;
负偏压发生器并联在电容C1的两端。


5.根据权利要求1所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,所述高压开关的触发端与接地端之间并联有电阻。


6.根据权利要求1所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,所述光纤头FB4的两端并联有二极管D1。


7.根据权利要求1~6任一项所述的一种准分子激光高压开关的触发及保护电路,其特征在于,所述高...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁勖朱能伟林颖方晓东
申请(专利权)人:中国科学院合肥物质科学研究院
类型:发明
国别省市:安徽;34

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