【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、其制作方法及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板、其制作方法及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是以透明玻璃为基材的一种具有多功能薄膜层的场效应晶体管，它对显示器的工作性能具有十分重要的作用。工艺上常使用薄膜晶体管阵列技术来改善画面品质，因而被广泛应用于手机、平板、电脑显示器、电视等电子显示设备中。顶栅型TFT是TFT类型中的一种，它具有短沟道的特点，使其工作时的开态电流可以得到有效提升。另外，顶栅型TFT的栅极与源漏极重叠面积小，因而产生的寄生电容较小，因而可以显著提升显示效果并且能有效降低功耗。由于顶栅型TFT具有上述显著优点，所以越来越受到人们的关注。目前顶栅型TFT大都采用具有高载流子迁移率的铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)半导体做有源层。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示面板、其制作方法及显示装置，用以解决现有技术中驱动晶体管的源极与遮光层容易短路造成亮点不良...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上多个阵列排布的驱动晶体管；/n所述驱动晶体管包括：/n有源层，位于所述衬底基板上，所述有源层包括相互电连接的导体部和半导体部；其中，所述半导体部包括第一导体化区、第二导体化区以及位于所述第一导体化区和所述第二导体化区之间的沟道区；所述导体部位于所述第一导体化区远离所述沟道区的一侧，且所述导体部的材料为金属材料；/n栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影仅与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠；/n栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；/n层间绝缘层，位于所述栅...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底基板以及位于所述衬底基板上多个阵列排布的驱动晶体管；
所述驱动晶体管包括：
有源层，位于所述衬底基板上，所述有源层包括相互电连接的导体部和半导体部；其中，所述半导体部包括第一导体化区、第二导体化区以及位于所述第一导体化区和所述第二导体化区之间的沟道区；所述导体部位于所述第一导体化区远离所述沟道区的一侧，且所述导体部的材料为金属材料；
栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影仅与所述沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠；
栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；
层间绝缘层，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧；
源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧，且所述源漏极层包括源极和电源线；所述源极的一端与所述电源线电连接，所述源极的另一端通过贯穿所述层间绝缘层的第一过孔与所述导体部电连接；
所述导体部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述导体部和所述半导体部的厚度相同，所述导体部和所述驱动晶体管的栅极采用同一构图工艺形成。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述源漏极层还包括独立设置的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影交叠，且所述辅助电极通过贯穿所述层间绝缘层的第二过孔与所述栅极电连接。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述驱动晶体管的栅极的厚度不小于所述有源层的厚度。
5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述驱动晶体管之间覆盖所述衬底基板的缓冲层，位于所述驱动晶体管和所述缓冲层之间覆盖所述驱动晶体管的遮光层，位于所述驱动晶体管背离所述衬底基板一侧的钝化层，位于所述钝化层背离所述衬底基板一侧的平坦层，以及位于所述平坦层背离所述衬底基板一侧的阳极；
所述源漏极层还包括漏极；所述漏极的第一端通过贯穿所述层间绝缘层的第三过孔与所述第二导体化区电连接，所述漏极的第二端通过贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述遮光层电连接，所述漏极的第三端通过贯穿所述钝化层和所述平坦层的第五过孔与所述阳极电连接。
6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的显示面板。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括在衬底基板上形成多个阵列排布的驱动晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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