用于真空断路器的真空断流器制造技术

本发明专利技术提供一种用于真空断路器的真空断流器，其安装在真空断路器中并且构造为阻断负载电流或事故电流的引入，其特征在于，所述真空断流器包括：上绝缘壳体；布置在所述上绝缘壳体下方的下绝缘壳体；固定电极部分，其安装为固定到所述上绝缘壳体的内部；致动电极部分，其安装在所述下绝缘壳体的内部以面向所述固定电极部分并且与所述固定电极部分接触或分开；以及中间屏蔽件，其布置在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体之间，以收容所述固定电极部分以及所述致动电极部分，所述中间屏蔽件使得在电流开断过程中产生的金属蒸汽不沉积在所述上绝缘壳体和所述下绝缘壳体的内壁。

【技术实现步骤摘要】
用于真空断路器的真空断流器本申请是中国专利申请号为201710217129.1，申请日为2017年04月05日，专利技术名称为“用于真空断路器的真空断流器”的申请的分案申请。
本专利技术涉及用于真空断路器的真空断流器，并且更具体地说涉及一种其中设置在真空断流器中的中间屏蔽件布置在与绝缘壳体相同的直线上以减小绝缘壳体的全部尺寸以及节约制造成本的、用于真空断路器的真空断流器。
技术介绍
通常来说，断路器与开关是用于通过打开或闭合电力系统中的电路来直接地控制到负载的电力供给的器件。作为断路器与开关的实例，具有阻挡包括负载电流的故障电流的能力的断路器以及用于打开或闭合负载电流的开关已被广泛使用。根据芯部的绝缘介质，此断路器分类成液压断路器、空气断路器、气体断路器、以及真空断路器。在断路器中，真空断路器具有小尺寸、高可靠性、卓越的多频切换特性以及容易维护，由此具有高压高容量的真空断路器以及具有中压低容量的真空断路器已经被广泛地使用。与此同时，真空断流器用作为真空断路器的断电器，并且安装在壳体组件本体内部并且感测通过整流器在高压电路的高压线上产生的电流或电压。并且，如果切换驱动件执行直线往复运动以便操作者改变高压电路的切换状态，则安装在操作者一侧处的真空断流器的致动电极部分与固定电极部分接触与分开以供给与阻挡电力。同时，图1是示出设置在相关技术的真空断路器中的真空断流器10的横截面视图。如图1中所示，相关技术的真空断流器10包括：绝缘壳体13，其由四个陶瓷件制成并且通过固定法兰板11与致动法兰板12密封；固定电极部分14，其在一端处具有固定电极14a；设置有致动电极15a的致动电极部分15，其与固定电极部分14接触或分开；中间屏蔽件16与辅助屏蔽件17，其中固定电极部分14与致动电极部分15布置在绝缘壳体13内部以彼此相互地面向。此时，中间屏蔽件16在绝缘壳体13内部布置在中部处并且位于致动电极15a与固定电极14a之间，并且辅助屏蔽件1在绝缘壳体13内部布置在中间屏蔽件16的上侧与下侧的每个处。然而，如上构造的用于根据相关技术的真空断路器的真空断流器10，具有如下问题。即，由于中间屏蔽件16与辅助屏蔽件17布置在绝缘壳体13内部，因此绝缘壳体13的内径应该大于每个屏蔽件16、17的外径，由此会发生每个屏蔽件16、17都接收在其中的绝缘壳体13应该以大尺寸来制造的问题。此外，由于真空断流器10的尺寸增加，因此陶瓷件的使用数量增加，从而会发生真空断流器的制造成本极大地增加的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是解决上述问题。本专利技术的另一个目的是提供用于真空断路器的真空断流器，其中设置在真空断流器中的中间屏蔽件布置在与绝缘壳体相同的线上以减小绝缘壳体的尺寸并且节约制造成本。为实现这些与其它目的并且根据如这里体现与广义地描述的本专利技术的目的，用于真空断路器的真空断流器包括：上绝缘壳体；布置在上绝缘壳体下方的下绝缘壳体；固定电极部分，其安装为固定到上绝缘壳体的内部；致动电极部分，其安装在下绝缘壳体的内部以面向固定电极部分并且与固定电极部分接触或分开；以及中间屏蔽件，其布置在上绝缘壳体与下绝缘壳体之间，以接收固定电极部分与致动电极部分。此外，用于真空断路器的真空断流器还包括设置在上绝缘壳体与下绝缘壳体内部的第一辅助屏蔽件。此外，中间屏蔽件具有等于或大于上绝缘壳体与下绝缘壳体中的每个的内径的外径。此外，一固定电极形成在固定电极部分的一端处，与固定电极接触或分开的致动电极形成在致动电极部分的一端处，并且中间屏蔽件具有大于固定电极或致动电极的外径与固定电极和致动电极之间的距离总和的内径。此外，第一辅助屏蔽件设有固定部分，上绝缘壳体包括第一上壳体与布置在第一上壳体下方的第二上壳体以允许固定部分适配在第一上壳体与第二上壳体之间，并且下绝缘壳体包括第一下壳体与布置在第一下壳体下方的第二下壳体以允许固定部分适配在第一下壳体与第二下壳体之间。此外，第一上壳体和第二下壳体的上部长度与下部长度与第二上壳体和第一下壳体的上部长度与下部长度相同。此外，一第二辅助屏蔽件相应地形成在上绝缘壳体与中间屏蔽件之间以及形成在下绝缘壳体与中间屏蔽件之间。此外，第二辅助屏蔽件设有形成为向外地突出的突出部。此外，突出部与第二辅助屏蔽件形成为单个本体或者通过焊接与第二辅助屏蔽件连接。此外，突出部具有形成为以圆形形状或弯曲形状向内地弯曲的一端。此外，法兰板设置在上绝缘壳体上方以及下绝缘壳体下方以密封上绝缘壳体与下绝缘壳体的内部。如上所述，根据本专利技术的用于真空断路器的真空断流器允许中间屏蔽件布置在上绝缘壳体与下绝缘壳体之间，由此减小了相应绝缘壳体的上部长度与下部长度。此外，中间屏蔽件布置在上绝缘壳体与下绝缘壳体之间，由此中间屏蔽件不设置在绝缘壳体中的每个的内部并且由此相应绝缘壳体的外径被减小。此外，由于绝缘壳体的上部长度和下部长度以及外径被减小，因此绝缘壳体的整体尺寸被减小，由此，用于制造绝缘壳体的陶瓷数量被减小并且由此显著地节约了制造成本。此外，由于第二辅助屏蔽件设有突出部并且突出部的一端形成为弯折圆形形状或弯曲形状，因此防止在中间屏蔽件、上绝缘壳体和下绝缘壳体的结合区域处、即通过钎焊的结合区域发生电场集中，由此防止在结合区域处发生局部放电或绝缘击穿。通过下文提供的详细描述本专利技术的其它应用范围将会变得更加显而易见。然而，应该理解的是，详细的描述与特定的实例，尽管指示本专利技术的优选实施方式，仅以描述的方式提供，因为通过详细的描述本专利技术的精神与范围内的多种改变与修改对于本领域中的技术人员来说将会变得显而易见。附图说明包括以提供对本专利技术进一步理解以及并入且构成此说明书的一部分的附图，示出了示例性实施方式并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。在附图中：图1是示出设置在相关技术的真空断路器中的真空断流器的横截面视图；图2是示出根据本专利技术的一个实施方式的设置在真空断路器中的真空断流器的横截面视图；图3是示出根据本专利技术的另一个实施方式的设置在真空断路器中的真空断流器的横截面视图；以及图4是示出根据本专利技术的设置在真空断路器中的真空断流器的第二辅助屏蔽件的局部放大视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细地描述设置在根据本专利技术的一个实施方式的真空断路器中的真空断流器。图2是示出根据本专利技术的设置在真空断路器中的真空断流器的横截面视图,图3是示出根据本专利技术的另一个实施方式的设置在真空断路器中的真空断流器的横截面视图；以及图4是示出根据本专利技术的设置在真空断路器中的真空断流器的第二辅助屏蔽件的局部放大视图。如图2和图3中所示，根据本专利技术的用于真空断路器的真空断流器100包括上绝缘壳体111、下绝缘壳体113、固定电极部分115、致动电极部分117、中间屏蔽件119、以及第一辅助屏蔽件121。上绝缘壳体111由陶瓷或加强玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于真空断路器的真空断流器，其安装在真空断路器中并且构造为阻断负载电流或事故电流的引入，其特征在于，所述真空断流器包括：/n上绝缘壳体；/n布置在所述上绝缘壳体下方的下绝缘壳体；/n固定电极部分，其安装为固定到所述上绝缘壳体的内部；/n致动电极部分，其安装在所述下绝缘壳体的内部以面向所述固定电极部分并且与所述固定电极部分接触或分开；以及/n中间屏蔽件，其布置在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体之间，以收容所述固定电极部分以及所述致动电极部分，/n所述中间屏蔽件使得在电流开断过程中产生的金属蒸汽不沉积在所述上绝缘壳体和所述下绝缘壳体的内壁。/n

【技术特征摘要】
20160405 KR 10-2016-00418661.一种用于真空断路器的真空断流器，其安装在真空断路器中并且构造为阻断负载电流或事故电流的引入，其特征在于，所述真空断流器包括：
上绝缘壳体；
布置在所述上绝缘壳体下方的下绝缘壳体；
固定电极部分，其安装为固定到所述上绝缘壳体的内部；
致动电极部分，其安装在所述下绝缘壳体的内部以面向所述固定电极部分并且与所述固定电极部分接触或分开；以及
中间屏蔽件，其布置在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体之间，以收容所述固定电极部分以及所述致动电极部分，
所述中间屏蔽件使得在电流开断过程中产生的金属蒸汽不沉积在所述上绝缘壳体和所述下绝缘壳体的内壁。


2.根据权利要求1所述的用于真空断路器的真空断流器，其特征在于，
还包括设置在所述上绝缘壳体与所述下绝缘壳体内部的第一辅助屏蔽件。


3.根据权利要求2所述的用于真空断路器的真空断流器，其特征在于，
第二辅助屏蔽件相应地形成在所述上绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间以及形成在所述下绝缘壳体与所述中间屏蔽件之间。


4.根据权利要求3所述的用于真空断路器的真空断流器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳在燮，
申请(专利权)人：LS产电株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR