适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源。本发明专利技术适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源，包括：启动和偏置电路、Banba型带隙基准源核心电路、高阶温度补偿电路、分段温度补偿电路以及输出电路五部分。本发明专利技术的有益效果：本发明专利技术所提出的带隙基准源电路实现了低温度系数，值得一提的是，本发明专利技术所提出的带隙基准源具有更宽的工作温度范围，适用于商用、民用、军用等各个领域。

【技术实现步骤摘要】
适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源
本专利技术涉及带隙基准源领域，具体涉及一种适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源。
技术介绍
带隙基准源一直是模拟集成电路领域的热点研究模块，近几年来国内外的研究方向主要包括以下几个方面：低温度系数、高电源抑制比、低压低功耗等。由于带隙基准源的功能是输出一个与温度无关的基准电压，因此低温度系数带隙基准源的研究更是十分必要。为了降低带隙基准源输出基准电压的温度系数，各种温度补偿技术被提出，如二阶温度补偿技术、指数曲率补偿技术、电阻比例补偿技术等。(1)二阶温度补偿技术一种用于模数转换器的二阶温度补偿带隙基准源电路，如图1所示。在传统的带隙基准源基础上，通过增加双极性晶体管Q2、电阻R4A和R4B实现了二阶温度补偿。由于晶体管Q0和Q1的集电极电流具有正温度系数，所以其基极-发射极电压可以表示为而晶体管Q2的集电极电流与温度无关，因此其基极-发射极电压可以表示为因此，流过电阻R4(R4A＝R4B)的二阶补偿电流INL可以表示为最终，电流INL和电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源，其特征在于，包括：启动和偏置电路、Banba型带隙基准源核心电路、高阶温度补偿电路、分段温度补偿电路以及输出电路五部分；/n启动和偏置电路包括NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6；NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM7、NMOS管NM8的源极和PMOS管PM1的栅极接地；NMOS管NM1...

【技术特征摘要】
1.一种适用于宽温度范围的低温度系数带隙基准源，其特征在于，包括：启动和偏置电路、Banba型带隙基准源核心电路、高阶温度补偿电路、分段温度补偿电路以及输出电路五部分；
启动和偏置电路包括NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM5、NMOS管NM6、NMOS管NM7、NMOS管NM8、PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6；NMOS管NM1、NMOS管NM2、NMOS管NM3、NMOS管NM4、NMOS管NM7、NMOS管NM8的源极和PMOS管PM1的栅极接地；NMOS管NM1的栅极、NMOS管NM4的栅极和漏极、PMOS管PM4的漏极连接NMOS管NM5、NMOS管NM6的栅极；NMOS管NM1、PMOS管PM1的漏极连接NMOS管NM2、NMOS管NM3的栅极；NMOS管NM2、NMOS管NM9、PMOS管PM9的漏极连接PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM7、PMOS管PM8的栅极；NMOS管NM3、NMOS管NM6、PMOS管PM6的漏极连接PMOS管PM4、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM9、PMOS管PM10、PMOS管PM12的栅极；NMOS管NM5的源极连接NMOS管NM7的漏极；NMOS管NM5、PMOS管PM5的漏极连接NMOS管NM7、NMOS管NM8的栅极；NMOS管NM6的源极连接NMOS管NM8的漏极；PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、PMOS管PM6的源极接电源；PMOS管PM2的漏极连接PMOS管PM4的源极；PMOS管PM3的漏极连接PMOS管PM5的源极；
Banba型带隙基准源核心电路包括NMOS管NM9、NMOS管NM10、PMOS管PM7、PMOS管PM8、PMOS管PM9、PMOS管PM10、电阻R1、电阻R2、电阻R3、PNP管Q1、PNP管Q2；电阻R2、电阻R3的一端、PNP管Q1、PNP管Q2的基极和集电极接地；电阻R1的一端连接PNP管Q2的发射极；电阻R1的另一端连接电阻R3的另一端、NMOS管NM10的源极；电阻R2的另一端连接NMOS管NM9的源极、PNP管Q1的发射极；NMOS管NM9、NMOS管NM10的栅极连接NMOS管NM10、PMOS管PM10的漏极；NMOS管NM9、PMOS管PM9的漏极连接PMOS管PM7、PMOS管PM8的栅极；PMOS管PM9的栅极连接PMOS管PM10的栅极；PMOS管PM9的源极连接PMOS管PM7的漏极；PMOS管PM10的源极连接PMOS管PM8的漏极；PMOS管PM7、PMOS管PM8的源极接电源；
高阶温度补偿电路包括NMOS管NM11、NMOS管NM12、NMOS管NM13、NMOS管NM14、PMOS管PM13、PMOS管PM14、PMOS管PM15、PMOS管PM16、电阻R4；电阻R4的一端和NMOS管NM14的源极接地；电阻R4的另一端接NMOS管NM13的源极；NMOS管NM13、NMOS管NM14的栅极连接NMOS管NM12、PMOS管PM16的漏极；NMOS管NM13的漏极连接NMOS管NM11的源极；NMOS管NM14的漏极连接NMOS管NM12的源极；NMOS管NM11的栅极连接NMOS管NM12的栅极；NMOS管NM11、PMOS管PM15的漏极连接PMOS管PM13、PMOS管PM14的栅极；PMOS管PM15、PMOS管PM16的栅极连接PMOS管PM18、PMOS管PM21、PMOS管PM22的栅极；PMOS管PM15的源极连接PMOS管PM13的漏极；PMOS管PM16的源极连接PMOS管PM14的漏极；PMOS管PM13、PMOS管PM14的源极接电源；
分段温度补偿电路包括NMOS管NM15、NMOS管NM16、NMOS管NM17、NMOS管NM18、NMOS管NM19、NMOS管NM20、PMOS管PM17、PMOS管PM18、PMOS管PM19、PMOS管PM20、PMOS管PM21、PMOS管PM22、电阻R5、PNP管Q3；NMOS管NM17、NMOS管NM18的源极、电阻R5的一端、PNP管Q3的基极、集电极接地；NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晨健，安景慧，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32