一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法，包括荧光屏和钨微纳米图形，六羰基钨通过氦离子显微镜沉积在所述荧光屏上形成所述钨微纳米图形，所述钨微纳米图形为多个同心圆，同心圆的圆心位于所述荧光屏的中心处。利用氦离子显微镜离子辅助沉积，在荧光屏上构建钨微纳米图形，移动荧光屏时，电子束打在荧光屏的斑点形状及其大小将会发生变化，依据钨微纳米图形的尺寸和大小直接测量电子束束斑和电子束发散角。该装置具有多功能、测量精度高、操作简单等优点；制备方法具有精度高、易控制、工艺简单等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法
本专利技术涉及电子束发散角测量
，特别是涉及一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法。
技术介绍
反射式高能电子衍射仪(RHEED)主要由电子枪和荧光屏组成，是当今表面科学和原子级的人工合成材料工程中的强有力的原位分析与监控的手段。为了提高电子衍射的分辨率，对电子束的发散角要求比较高，一般小于0.1mrad。测量电子束发散角的常规方法有荧光屏法、多缝法、单缝扫描法和胡椒孔法等，但这些方法存在测量精度不高。目前较为先进的方法是切伦科夫辐射法，如文献“高亮度电子束发射度、束长和束斑的先进测量方法研究(清华大学博士论文，2008)”和专利“一种电子束发散角分布测量装置及测量方法(CN106970411A)中介绍了切伦科夫辐射法测量电子束发散角，但是这种测量方法对实验装置的准直性要求极高，存在系统调节复杂，不易在测量现场开展等问题，不适合反射式高能电子衍射仪的电子束发散角的测量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子束发散角测量装置及其制备方法和测量方法，以解决上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子束发散角测量装置，其特征在于：包括荧光屏和钨微纳米图形，六羰基钨通过氦离子显微镜沉积在所述荧光屏上形成所述钨微纳米图形，所述钨微纳米图形为多个同心圆，同心圆的圆心位于所述荧光屏的中心处。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子束发散角测量装置，其特征在于：包括荧光屏和钨微纳米图形，六羰基钨通过氦离子显微镜沉积在所述荧光屏上形成所述钨微纳米图形，所述钨微纳米图形为多个同心圆，同心圆的圆心位于所述荧光屏的中心处。


2.根据权利要求1所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述荧光屏的形状为正方形，其边长为20-30mm，厚度为1-3mm。


3.根据权利要求2所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述荧光屏的边长为25mm，厚度为2mm。


4.根据权利要求1所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述六羰基钨沉积得到的钨线，钨线的形状为圆柱形，直径为50-150nm；所述同心圆由所述钨线形成。


5.根据权利要求4所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述钨线的直径为100nm。


6.根据权利要求4所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述钨微纳米图形的多个同心圆中圆的最小半径为10μm，最大半径150μm；相邻两同心圆的半径间隔10-20μm。


7.根据权利要求1所述的电子束发散角测量装置，其特征在于：所述氦离子显微镜的离子辅助沉积功能采用氦离子源，加速电压为25-30kV，束流为5-10pA。

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉田，刘俊标，韩立，赵伟霞，王鹏飞，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11