一种深紫外单模保偏光纤制作装置及方法制造方法及图纸

技术编号:24881350 阅读:27 留言:0更新日期:2020-07-14 18:07
本发明专利技术一种深紫外单模保偏光纤制作装置,包括高压釜,高压釜主腔体相对的两侧分别设置有激光输入口和激光输出口,输入口石英玻窗和输出口石英玻窗分别安装在高压釜主腔体的激光输入口的内侧和激光输出口的内侧,激光输入口、输入口石英玻窗、第一光纤耦合透镜和第一光纤法兰盘依次分布且同轴,第二光纤法兰盘、第二光纤耦合透镜、输出口石英玻窗、激光输出口依次分布且同轴。本发明专利技术还公开了一种深紫外单模保偏光纤制作方法,本发明专利技术不限于研制紫外单模保偏光纤,同样也适用于其他类型光纤(如:单模、多模、非保偏及某些特制光纤)的载氢以及去光暗化过程,提升光纤紫外光传输性能。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外单模保偏光纤制作装置及方法
本专利技术涉及深紫外单模保偏光纤加工
,具体涉及一种深紫外单模保偏光纤制作装置,还涉及一种深紫外单模保偏光纤制作方法。适用于激光、频标、量子信息、生物、医学、国防等需要紫外单模保偏光纤的领域。
技术介绍
光纤用来传输紫外激光时,紫外光与石英玻璃发生作用,在石英玻璃中产生色心缺陷,使其结构发生变化,从而阻止了紫外光的传输,增加了损耗,大大降低了紫外光的传输能力。为了克服紫外光在石英玻璃光纤中传输性能变异的缺点,改进石英玻璃光纤对紫外光的阻止作用。目前,主要采用两种办法:(1)在石英玻璃光纤芯中增加羟基含量(大于500ppm)。但羟基含量增高时候,紫外吸收边缘波长会加长,结果短波长不能在光纤中传输。另外,当羟基含量高出一定值(2000ppm)时,紫外光传输损耗也会加大。(2)另外一种方法是将紫外光纤进行载氢处理,这样也会改进短波长、高能量紫外光在光纤中的传输性能。将光纤放入高压氢气釜中几个星期完成光纤载氢过程,之后再将光纤拿出高压釜进行紫外激光耦合入光纤,紫外激光促使光纤内部发生光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种深紫外单模保偏光纤制作装置,包括高压釜,其特征在于,高压釜包括高压釜主腔体(1)和高压釜盖板(2),高压釜主腔体(1)相对的两侧分别设置有激光输入口(102)和激光输出口(104),输入口石英玻窗(101)和输出口石英玻窗(103)分别安装在高压釜主腔体(1)的激光输入口(102)的内侧和激光输出口(104)的内侧,/n第一光纤耦合透镜(301)和第一光纤法兰盘(302)固定在高压釜主腔体(1)内底板上,激光输入口(102)、输入口石英玻窗(101)、第一光纤耦合透镜(301)和第一光纤法兰盘(302)依次分布且同轴,/n待加工光纤(303)一端通过接头与第一光纤法兰盘(302)连接,...

【技术特征摘要】
1.一种深紫外单模保偏光纤制作装置,包括高压釜,其特征在于,高压釜包括高压釜主腔体(1)和高压釜盖板(2),高压釜主腔体(1)相对的两侧分别设置有激光输入口(102)和激光输出口(104),输入口石英玻窗(101)和输出口石英玻窗(103)分别安装在高压釜主腔体(1)的激光输入口(102)的内侧和激光输出口(104)的内侧,
第一光纤耦合透镜(301)和第一光纤法兰盘(302)固定在高压釜主腔体(1)内底板上,激光输入口(102)、输入口石英玻窗(101)、第一光纤耦合透镜(301)和第一光纤法兰盘(302)依次分布且同轴,
待加工光纤(303)一端通过接头与第一光纤法兰盘(302)连接,待加工光纤(303)绕成圆圈状放置在高压釜主腔体(1)底板上,待加工光纤(303)另一端通过接头与第二光纤法兰盘(305)连接,
第二光纤耦合透镜(304)和第二光纤法兰盘(305)固定在高压釜主腔体(1)内底板上,第二光纤法兰盘(305)、第二光纤耦合透镜(304)、输出口石英玻窗(103)、激光输出口(104)依次分布且同轴。


2.根据权利要求1所述的一种深紫外单模保偏光纤制作装置,其特征在于,所述的高压釜盖板(2)上设有氢气放气口(205)、氢气进气口(202)以及高压氢气压力表(201),氢气放气口(205)上设置有放气口阀门(206),氢气进气口(202)上设置有进气口阀门(203),高压氢气压力表(201)与不锈钢高压安全阀(204)连接。


3.根据权利要求2所述的一种深紫外单模保偏光纤制作装置,其特征在于,所述的高压釜主腔体(1)呈顶部开口的盒状,沿高压釜主腔体(1)的顶部开口处设置有圆环形凹槽,高压釜盖板(2)设置有圆环形凸槽,圆环形凹槽和圆环形凸槽的半径相同,耐高压氟橡胶O圈嵌入高压釜主腔体(1)的圆环形凹槽内,在盖设高压釜盖板(2)时,圆环形凸槽嵌入圆环形凹槽中并压紧耐高压氟橡胶O圈。


4.根据权利要求3所述的一种深紫外单模保偏光纤制作装置,其特征在于,所述的在输入口石英玻窗...

【专利技术属性】
技术研发人员:舒华林黄学人曹健晁思嘉魏远飞孙成龙
申请(专利权)人:中国科学院精密测量科学与技术创新研究院
类型:发明
国别省市:湖北;42

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