一种防反灌电路制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及电路保护领域，提供了一种防反灌电路。其中，防反灌电路包括第一开关电路，串联连接在防反灌电路的电路输入端和防反灌电路的电路输出端之间；第二开关电路，与第一开关电路连接，用于控制第一开关电路的工作状态；控制电路，分别与电路输入端、电路输出端以及第二开关电路连接，用于根据电路输入端的电压和电路输出端的电压，输出控制电压，以使第二开关电路根据控制电压，控制第一开关电路工作在闭合状态或断开状态。本实用新型专利技术实施例提升了电路的安全性。

【技术实现步骤摘要】
一种防反灌电路
本技术实施例涉及电路保护领域，尤其涉及一种防反灌电路。
技术介绍
在一些情况下，电路输出端的电压会大于电路输入端，使得电路输出端的电压、电流倒灌，损坏电路元器件或者使得电路输入端带电，导致存在安全隐患。
技术实现思路
本技术实施例旨在提供一种防反灌电路，其能够提升电路的安全性。为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种防反灌电路，包括：第一开关电路，串联连接在所述防反灌电路的电路输入端和所述防反灌电路的电路输出端之间；第二开关电路，与所述第一开关电路连接，用于控制所述第一开关电路的工作状态；控制电路，分别与所述电路输入端、所述电路输出端以及所述第二开关电路连接，用于根据所述电路输入端的电压和所述电路输出端的电压，输出控制电压，以使所述第二开关电路根据所述控制电压，控制所述第一开关电路工作在闭合状态或断开状态。可选地，所述第一开关电路包括PMOS管和第一电阻；所述PMOS管的漏极与所述电路输入端连接，所述PMOS管的源极与所述第一电阻的一端和所述电路输出端连接，所述PMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端和所述第二开关电路连接。可选地，所述第一开关电路还包括第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极与所述PMOS管的源极、所述第一电阻的一端以及所述电路输出端连接，所述第一稳压二极管的阳极与所述PMOS管的栅极、所述第一电阻的另一端以及所述第二开关电路连接。可选地，所述第二开关电路包括NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述第一开关电路连接，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极所述控制电路连接。可选地，所述第二开关电路还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与所述NMOS管的栅极连接，所述第二电阻的另一端与所述控制电路连接。可选地，所述第二开关电路还包括第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极与所述第二电阻的一端和所述NMOS管的栅极连接，所述第二稳压二极管的阳极接地。可选地，所述第二开关电路包括NPN型三极管和第三电阻；所述NPN型三极管的集电极与所述第一开关电路连接，所述NPN型三极管的发射极接地，所述NPN型三极管的基极与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端与所述控制电路连接。可选地，所述控制电路包括：第一电压采样电路，与所述电路输入端连接，用于采样所述电路输入端的电压；第二电压采样电路，与所述电路输出端连接，用于采样所述电路输出端的电压；比较电路，分别与所述第一电压采样电路、所述第二电压采样电路以及所述第二开关电路连接，用于根据所述电路输入端的电压和所述电路输出端的电压，输出控制电压，以使所述第二开关电路根据所述控制电压，控制所述第一开关电路工作在闭合状态或断开状态。可选地，所述第一电压采样电路包括第四电阻，所述第二电压采样电路包括第五电阻，所述比较电路包括比较器；所述第四电阻的一端与所述电路输入端连接，所述第四电阻的另一端与所述比较器的同相输入端连接；所述第五电阻的一端与所述电路输出端连接，所述第五电阻的另一端与所述比较器的反相输入端连接；所述比较器的输出端与所述第二开关电路连接，所述比较器的电源输入端与所述电路输入端连接，所述比较器的地端接地。可选地，所述比较电路还包括第一电容和第二电容；所述第一电容的一端与所述第四电阻的另一端和所述比较器的同相输入端连接，所述第一电容的另一端接地；所述第二电容的一端与所述第五电阻的另一端和所述比较器的反相输入端连接，所述第二电容的另一端接地。可选地，所述第一电压采样电路还包括第六电阻，所述第二电压采样电路还包括第七电阻；所述第六电阻的一端与所述第四电阻的另一端、所述比较器的同相输入端以及所述第一电容的一端连接，所述第六电阻的另一端接地；所述第七电阻的一端与所述第五电阻的另一端、所述比较器的反相输入端以及所述第二电容的一端连接，所述第七电阻的另一端接地。本技术的有益效果是：与现有技术相比较，本技术实施例提供了一种防反灌电路。通过将第一开关电路电连接在电路输入端和电路输出端之间，控制电路根据电路输入端的电压和电路输出端的电压，输出控制电压，第二开关电路根据控制电压，控制第一开关电路工作在闭合状态或断开状态，因此，实现对电路输出端的电压、电流信号反向隔离，保证电路输入端与电路输出端之间电压、电流信号的单向导通，从而提升了电路的安全性。【附图说明】一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。图1为本技术实施例提供的一种防反灌电路的结构示意图；图2为本技术另一实施例提供的一种防反灌电路的结构示意图；图3为本技术实施例提供的其中一种防反灌电路的电路连接示意图；图4为本技术实施例提供的其中一种防反灌电路的电路连接示意图；图5为本技术实施例提供的其中一种防反灌电路的电路连接示意图；图6为本技术实施例提供的其中一种防反灌电路的电路连接示意图。【具体实施方式】为了便于理解本申请，下面结合附图和具体实施方式，对本申请进行更详细的说明。需要说明的是，当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本技术。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。此外，下面所描述的本申请不同实施例中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。请参阅图1，为本技术实施例提供的一种防反灌电路的结构示意图。如图1所示，所述防反灌电路100包括第一开关电路10、第二开关电路20以及控制电路30。一般，所述防反灌电路100应用于充电电路、直流电源、开关电源等。其中，所述防反灌电路100包括电路输入端11和电路输出端12，所述电路输入端11用于与一输入电路连接，接收所述输入电路流经所述防反灌电路100的电压、电流信号；所述电路输出端12用于与一输出电路连接，输出流经所述防反灌电路100的电压、电流信号至所述输出电路，即所述防反灌电路100电性连接于一输入电路和一输出电路之间。可以理解，所述输入电路和所述输出电路可以为分立元件组成的模拟电路，也可以为集成电路或电路模块，还可以为实体装置，例如，通信串口、电池、直流电源等。所述防反灌电路100一般靠近所述输出电路一侧设置，用于保证所述电路输入端11和所述电路输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防反灌电路，其特征在于，包括：/n第一开关电路，串联连接在所述防反灌电路的电路输入端和所述防反灌电路的电路输出端之间；/n第二开关电路，与所述第一开关电路连接，用于控制所述第一开关电路的工作状态；/n控制电路，分别与所述电路输入端、所述电路输出端以及所述第二开关电路连接，用于根据所述电路输入端的电压和所述电路输出端的电压，输出控制电压，以使所述第二开关电路根据所述控制电压，控制所述第一开关电路工作在闭合状态或断开状态。/n

【技术特征摘要】
1.一种防反灌电路，其特征在于，包括：
第一开关电路，串联连接在所述防反灌电路的电路输入端和所述防反灌电路的电路输出端之间；
第二开关电路，与所述第一开关电路连接，用于控制所述第一开关电路的工作状态；
控制电路，分别与所述电路输入端、所述电路输出端以及所述第二开关电路连接，用于根据所述电路输入端的电压和所述电路输出端的电压，输出控制电压，以使所述第二开关电路根据所述控制电压，控制所述第一开关电路工作在闭合状态或断开状态。


2.根据权利要求1所述的防反灌电路，其特征在于，所述第一开关电路包括PMOS管和第一电阻；
所述PMOS管的漏极与所述电路输入端连接，所述PMOS管的源极与所述第一电阻的一端和所述电路输出端连接，所述PMOS管的栅极与所述第一电阻的另一端和所述第二开关电路连接。


3.根据权利要求2所述的防反灌电路，其特征在于，所述第一开关电路还包括第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阴极与所述PMOS管的源极、所述第一电阻的一端以及所述电路输出端连接，所述第一稳压二极管的阳极与所述PMOS管的栅极、所述第一电阻的另一端以及所述第二开关电路连接。


4.根据权利要求1-3任一项所述的防反灌电路，其特征在于，所述第二开关电路包括NMOS管，所述NMOS管的漏极与所述第一开关电路连接，所述NMOS管的源极接地，所述NMOS管的栅极所述控制电路连接。


5.根据权利要求4所述的防反灌电路，其特征在于，所述第二开关电路还包括第二电阻，所述第二电阻的一端与所述NMOS管的栅极连接，所述第二电阻的另一端与所述控制电路连接。


6.根据权利要求5所述的防反灌电路，其特征在于，所述第二开关电路还包括第二稳压二极管，所述第二稳压二极管的阴极与所述第二电阻的一端和所述NMOS管的栅极连接，所述第二稳压二极管的阳极接地。


7.根据权利要求1-3任一项所述的防反灌电路，其特征在于，所述第二开关电路包括NPN型三极管和第三电阻；
所述NPN型三极管的集电极与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦威，颜世智，
申请(专利权)人：深圳市道通智能航空技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44