发声器件制造技术

本发明专利技术提供了一种发声器件，其包括盆架、振动系统和磁路系统，振动系统包括：上振膜，上振膜固定于盆架并共同围成收容空间，上振膜远离磁路系统的一侧与外界连通并充当上振膜发声的上前腔；呈环状的下振膜，下振膜的外周侧固定于所述盆架；上骨架分别与所述音圈和所述上振膜连接，下骨架与下振膜连接；呈环状的隔离振膜，隔离振膜的外周侧与盆架连接，其内周侧与上骨架及下骨架连接。与相关技术相比，本发明专利技术的发声器件声学响度更高，声学性能更好。

【技术实现步骤摘要】
发声器件
本专利技术涉及电声转换领域，尤其涉及一种运用于电子音箱产品的发声器件。
技术介绍
相关技术的发声器件包括盆架、固定于所述盆架的振动系统和具有磁间隙的磁路系统，所述磁路系统驱动所述振动系统振动发声，所述振动系统包括固定于所述盆架用于振动发声的振膜，贴合于所述振膜的球顶靠近所述磁路系统一侧的骨架以及插设于所述磁间隙并与骨架连接以驱动所述振膜振动的音圈。然而，相关技术的发声器件中，所述振动系统和所述磁路系统呈上下堆叠结构，在相同高度的发声器件中则限制了磁路系统的结构，从而限制了其磁场的BL值；另外，所述发声器件仅有一个振膜结构，振膜的有效振动面积(SD)较小，从而限制了所述发声器件的响度。因此，实有必要提供一种新的发声器件解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种响度大且声学性能更优的发声器件。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，所述振动系统包括：上振膜，所述上振膜固定于所述盆架，所述上振膜与所述盆架共同围成收容空间；下振膜，所述下振膜呈环状且环绕所述磁路系统间隔设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对并位于所述收容空间内，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内用以同时驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；上骨架，所述上骨架位于所述收容空间内且与所述磁路系统相互间隔，所述上骨架连接所述上振膜和所述音圈；下骨架，所述下骨架位于所述收容空间内，所述下骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述下骨架与所述下振膜连接；以及，隔离振膜，所述隔离振膜呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述隔离振膜位于所述收容空间内且间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧同时与所述上骨架及所述下骨架连接。优选的，所述上骨架包括间隔设置于所述磁路系统外周侧的上骨架本体、由所述上骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的上骨架延伸壁以及由所述上骨架延伸壁弯折延伸的呈弧形的上骨架连接壁；所述上骨架本体一端连接于所述上振膜，另一端连接于所述隔离振膜靠近所述上振膜的一侧；所述音圈呈带圆角的矩形结构，所述上骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处。优选的，所述上骨架本体包括两个且分别间隔设于所述音圈的相对两侧，每一所述上骨架本体的相对两端分别弯折形成两个所述上骨架延伸壁，每一所述上骨架延伸壁均弯折延伸形成一所述上骨架连接壁，四个所述上骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。优选的，所述上骨架本体包括上骨架本体壁、由所述上骨架本体壁靠近所述上振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一上加强壁以及由所述上骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二上加强壁；所述上骨架延伸壁由所述上骨架本体壁弯折延伸，所述第一上加强壁与所述上振膜连接，所述第二上加强壁与所述隔离振膜连接，且所述第一上加强壁与所述第二上加强壁位于所述上骨架本体壁的相异两侧。优选的，所述下骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的下骨架本体壁、由所述下骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一下加强壁、以及由所述下骨架本体壁靠近所述下振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二下加强壁，所述第一下加强壁与所述第二下加强壁分别位于所述下骨架本体壁的相异两侧；所述第一下加强壁与所述隔离振膜连接，所述第二下加强壁与所述下振膜连接。优选的，所述上振膜包括均呈环状的第一上折环部、环绕所述第一上折环部并相互间隔的呈环状的第二上折环部、由所述第一上折环部的外周侧弯折延伸的第一上振动部、由所述第一上折环部的内周侧弯折延伸的第一上固定部、由所述第二上折环部的内周侧弯折延伸的第二上振动部、由所述第二上折环部的外周侧弯折延伸的第二上固定部以及同时盖设固定于所述第一上振动部和所述第二上振动部远离所述下振膜一侧的上球顶部，所述第一上固定部固定于所述磁路系统，所述第二上固定部固定于所述盆架；所述上骨架连接于所述第一上振动部。优选的，所述上球顶部与所述隔离振膜间隔正对设置。优选的，所述下振膜包括呈环状的下折环部、由所述下折环部的内周侧弯折延伸的下振动部、由所述折环部的外周则弯折延伸的下固定部以及盖设固定于所述下振动部靠近所述上振膜一侧的呈环状的下球顶部；所述下球顶部与所述下骨架连接，所述下固定部与所述盆架连接。优选的，所述隔离振膜与所述下球顶部间隔正对设置，且所述隔离振膜沿垂直于所述上振膜的振动方向的宽度小于所述下球顶部的宽度。优选的，所述第二上折环部与所述下折环部正对设置。优选的，所述第二上折环部呈向远离所述下折环部方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部呈向远离所述第二上折环部方向凹陷形成的弧形结构。优选的，所述盆架包括固定支撑所述磁路系统的底壁、由所述底壁周缘弯折延伸的呈环状的侧壁以及由所述侧壁向靠近所述磁路系统方向延伸的呈环状的支撑壁；所述下固定部固定于所述侧壁并使所述下振膜与所述底壁间隔设置，所述第二上固定部固定于所述侧壁远离所述底壁的一端，所述隔离振膜的外周侧固定于所述支撑壁。优选的，所述侧壁包由所述底壁周缘弯折延伸的第一侧壁和由所述第一侧壁向远离所述底壁方向延伸的第二侧壁，所述支撑壁由所述第二侧壁弯折延伸；所述第二上固定部固定于所述第二侧壁远离所述底壁的一端，所述下固定部夹设固定于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间，所述发声孔贯穿所述第二侧壁设置。优选的，所述磁路系统包括支撑于所述底壁的磁轭和分别固定于所述磁轭的主磁钢以及环绕所述主磁钢的副磁钢，所述副磁钢与所述主磁钢间隔形成所述磁间隙；所述副磁钢设有让位口，所述上骨架经所述让位口延伸至所述磁间隙内并与所述音圈连接；所述第一上固定部固定于所述副磁钢远离所述磁轭的一侧。优选的，所述副磁钢包括间隔设置于所述主磁钢相对两侧的第一副磁钢和间隔设置于所述主磁钢另外相对两侧的第二副磁钢，相邻的所述第一副磁钢和所述第二副磁钢间隔形成所述让位口。优选的，所述磁路系统还包括盖设于所述副磁钢的导磁板，所述导磁板将所述第一上固定部压设于所述副磁钢上。优选的，所述导磁板抵接于所述主磁钢。优选的，所述副磁钢远离所述磁轭的一端呈倒角结构，所述第一上折环部正对于该倒角结构的位置设置，且所述第一上折环部呈向远离所述磁路系统方向凹陷形成的弧形结构。与相关技术相比，本专利技术的发声器件将所述振动系统与所述磁路系统由堆叠结构设计为平行结构，即将所述振动系统环绕于所述磁路系统设置，从而使得在同样高度的发声器件中，所述磁路系统可以有效利用了发声器件的高度空间而设计更厚，从而有效提高磁场BL值，使得磁路系统驱动力更大，提高了振动系统的振动性能，并极大程度的提高了振动系统的声学性能；同时，将振动系统设高振动方向计为上振膜和下振膜的双振膜结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，其特征在于，所述振动系统包括：/n上振膜，所述上振膜固定于所述盆架，所述上振膜与所述盆架共同围成收容空间；/n下振膜，所述下振膜呈环状且环绕所述磁路系统间隔设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对并位于所述收容空间内，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；/n音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内用以同时驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；/n上骨架，所述上骨架位于所述收容空间内且与所述磁路系统相互间隔，所述上骨架连接所述上振膜和所述音圈；/n下骨架，所述下骨架位于所述收容空间内，所述下骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述下骨架与所述下振膜连接；以及，/n隔离振膜，所述隔离振膜呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述隔离振膜位于所述收容空间内且间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧同时与所述上骨架及所述下骨架连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，其特征在于，所述振动系统包括：
上振膜，所述上振膜固定于所述盆架，所述上振膜与所述盆架共同围成收容空间；
下振膜，所述下振膜呈环状且环绕所述磁路系统间隔设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对并位于所述收容空间内，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；
音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内用以同时驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；
上骨架，所述上骨架位于所述收容空间内且与所述磁路系统相互间隔，所述上骨架连接所述上振膜和所述音圈；
下骨架，所述下骨架位于所述收容空间内，所述下骨架呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述下骨架与所述下振膜连接；以及，
隔离振膜，所述隔离振膜呈环状并环绕所述磁路系统间隔设置，所述隔离振膜位于所述收容空间内且间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧同时与所述上骨架及所述下骨架连接。


2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架包括间隔设置于所述磁路系统外周侧的上骨架本体、由所述上骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的上骨架延伸壁以及由所述上骨架延伸壁弯折延伸的呈弧形的上骨架连接壁；所述上骨架本体一端连接于所述上振膜，另一端连接于所述隔离振膜靠近所述上振膜的一侧；所述音圈呈带圆角的矩形结构，所述上骨架连接壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处。


3.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架本体包括两个且分别间隔设于所述音圈的相对两侧，每一所述上骨架本体的相对两端分别弯折形成两个所述上骨架延伸壁，每一所述上骨架延伸壁均弯折延伸形成一所述上骨架连接壁，四个所述上骨架连接壁分别设于所述音圈的四个圆角处。


4.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述上骨架本体包括上骨架本体壁、由所述上骨架本体壁靠近所述上振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一上加强壁以及由所述上骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二上加强壁；所述上骨架延伸壁由所述上骨架本体壁弯折延伸，所述第一上加强壁与所述上振膜连接，所述第二上加强壁与所述隔离振膜连接，所述第一上加强壁与所述第二上加强壁位于所述上骨架本体壁的相异两侧。


5.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述下骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的下骨架本体壁、由所述下骨架本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一下加强壁、以及由所述下骨架本体壁靠近所述下振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二下加强壁，所述第一下加强壁与所述第二下加强壁分别位于所述下骨架本体壁的相异两侧；所述第一下加强壁与所述隔离振膜连接，所述第二下加强壁与所述下振膜连接。


6.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述上振膜包括均呈环状的第一上折环部、环绕所述第一上折环部并相互间隔的呈环状的第二上折环部、由所述第一上折环部的外周侧弯折延伸的第一上振动部、由所述第一上折环部的内周侧弯折延伸的第一上固定部、由所述第二上折环部的内周侧弯折延伸的第二上振动部、由所述第二上折环部的外周侧弯折延伸的第二上固...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋威，张帆，金鑫，
申请(专利权)人：瑞声科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG