高压电平移位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种电平移位电路。该电路由该电平移位电路由两级反相器，一级电阻分压网络构成。第一级反相器工作在0~VDD的电压区间，第二级反相器工作在VDD~2VDD的电压区间。电阻分压网络将第一级反相的输出提升到VDD~2VDD的区间，再通过第二级反相器，输出VDD~2VDD的逻辑电平，解决电路工作电压与Mosfet的耐压之间的矛盾。

【技术实现步骤摘要】
高压电平移位电路
本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种用于电源管理芯片的电平移位电路。
技术介绍
DC/DC转换器因具有输入范围宽、转换效率高、输出电流大等优点，被广泛应用于各种电子产品中。电平移位电路是传统DC/DC转换器的必要组成部分，其作用是对DC/DC中的Mosfet功率管进行控制。随着集成电路工艺发展，Mosfet的工作电压逐步降低。传统DC/DC转换器的电压输入范围可能超出集成电路工艺中Mosfet的工作电压范围，此时需要使用低压Mosfet器件完成高压电平移位功能。
技术实现思路
专利技术目的：提供一种可工作在VDD~2VDD电压区间的电平移位电路。VDD为集成电路工艺中Mosfet的耐压值。技术方案：提供一种使用低压Mosfet器件，即可工作在高压环境中的电平移位电路。有益效果：解决电路工作电压与Mosfet的耐压之间的矛盾。附图说明图1为本专利技术的高压电平移位电路图；图2为本专利技术的高压电平移位电路在IN输入高电平状态下的等效电路图；图3为本专利技术的高压电平移位电路在IN输入低电平状态下的等效电路图。具体实施方式本专利技术的电路图如图1所示。本实施方式中，PM1与NM1构成反相器。工作电压为VDD~0。Y1为反相器输出，控制NM3的导通和关断。R1，R2为分压电阻，两者值相等。IN输入高电平，Y1输出低电平，NM3导通，等效电路如图2所示，R1，R2的阻值远大于Mosfet的导通电阻RON，此时Y2的电压在分压电阻的作用下，为VDD。PM2与NM2构成的反相器，VOUT输出2VDD。IN输入低电平，Y1输出高电平，NM3截止，等效电路如图3所示，R1，R2的阻值远小于Mosfet的关断电阻ROFF，此时Y2的电压为2VDD。PM2与NM2构成的反相器，VOUT输出VDD。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压电平移位电路，其特征在于：包含第一级输入反相器级（1），电阻分压网络（2），第二级反相器输出级（3）构成。/n

【技术特征摘要】
1.一种高压电平移位电路，其特征在于：包含第一级输入反相器级（1），电阻分压网络（2），第二级反相器输出级（3）构成。


2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所描述的第一级输入反相器级（1）：第一级反相器（1）包含一个NMOS管（NM1）和一个PMOS管（PM1），PM1的源极所接电压为VDD，衬底与源极相连；PM1的栅极与NM1的栅极相连，构成反相器的输入端；PM1的漏极与NM1的漏极相连，构成反相器的输出端，反相器的输出端与电阻分压网络的输入端相连；NM1的源极与衬底接地电位。


3.根据权利要求1所述的高压电平移位电路，其特征在于，所描述的电阻分压网络（2），其特征在于：电阻R1与R2串联，一端所接电压为2VDD，另一端与NM...

【专利技术属性】
技术研发人员：管志强，赵文虎，刘树廷，邓礼君，
申请(专利权)人：苏州芯通微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32