【技术实现步骤摘要】
高压电平移位电路
本专利技术涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种用于电源管理芯片的电平移位电路。
技术介绍
DC/DC转换器因具有输入范围宽、转换效率高、输出电流大等优点,被广泛应用于各种电子产品中。电平移位电路是传统DC/DC转换器的必要组成部分,其作用是对DC/DC中的Mosfet功率管进行控制。随着集成电路工艺发展,Mosfet的工作电压逐步降低。传统DC/DC转换器的电压输入范围可能超出集成电路工艺中Mosfet的工作电压范围,此时需要使用低压Mosfet器件完成高压电平移位功能。
技术实现思路
专利技术目的:提供一种可工作在VDD~2VDD电压区间的电平移位电路。VDD为集成电路工艺中Mosfet的耐压值。技术方案:提供一种使用低压Mosfet器件,即可工作在高压环境中的电平移位电路。有益效果:解决电路工作电压与Mosfet的耐压之间的矛盾。附图说明图1为本专利技术的高压电平移位电路图;图2为本专利技术的高压电平移位电路在IN输入高电平状态下的等效电路图;图3为本专利技术的高压电平移位电路在IN输入低电平状态下的等效电路图。具体实施方式本专利技术的电路图如图1所示。本实施方式中,PM1与NM1构成反相器。工作电压为VDD~0。Y1为反相器输出,控制NM3的导通和关断。R1,R2为分压电阻,两者值相等。IN输入高电平,Y1输出低电平,NM3导通,等效电路如图2所示,R1,R2的 ...
【技术保护点】
1.一种高压电平移位电路,其特征在于:包含第一级输入反相器级(1),电阻分压网络(2),第二级反相器输出级(3)构成。/n
【技术特征摘要】
1.一种高压电平移位电路,其特征在于:包含第一级输入反相器级(1),电阻分压网络(2),第二级反相器输出级(3)构成。
2.根据权利要求1所述的高压电平移位电路,其特征在于,所描述的第一级输入反相器级(1):第一级反相器(1)包含一个NMOS管(NM1)和一个PMOS管(PM1),PM1的源极所接电压为VDD,衬底与源极相连;PM1的栅极与NM1的栅极相连,构成反相器的输入端;PM1的漏极与NM1的漏极相连,构成反相器的输出端,反相器的输出端与电阻分压网络的输入端相连;NM1的源极与衬底接地电位。
3.根据权利要求1所述的高压电平移位电路,其特征在于,所描述的电阻分压网络(2),其特征在于:电阻R1与R2串联,一端所接电压为2VDD,另一端与NM...
【专利技术属性】
技术研发人员:管志强,赵文虎,刘树廷,邓礼君,
申请(专利权)人:苏州芯通微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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