用于超低漏电的ESD保护电路制造技术

本发明专利技术揭示了一种用于超低漏电的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括信号输入单元及ESD泄放电路，所述信号输入单元与内部电路和GND相连，ESD泄放电路与电源和GND相连，所述信号输入单元包括：若干第一二极管，电性连接于信号输入端与电源和/或信号输入端与GND之间；若干第二二极管，电性连接于第一二极管与电源和/或第一二极管与GND之间；电压跟随器，电性连接于信号输入端和第一二极管与第二二极管之间，用于复制输入信号；所述ESD保护电路通过第一二极管和第二二极管构成干泄放通路，正常工作时，各第一二极管两端的电压相等。本发明专利技术解决了ESD保护电路中二极管的漏电问题，具备ESD能力和超低漏电能力。

【技术实现步骤摘要】
用于超低漏电的ESD保护电路
本专利技术属于ESD保护
，具体涉及一种用于超低漏电的ESD保护电路。
技术介绍
静电放电(ESD，Electro-Staticdischarge)现象是引起集成电路产品失效的最主要的可靠性问题，据研究调查表明，集成电路失效产品中的30％都是由于遭受静电放电现象所引起的。因此，改善集成电路静电放电防护的可靠性对提高产品的成品率乃至带动整个国民经济具有不可忽视的作用。参图1所示为现有技术中ESD保护电路的示意图，输入信号首先经过信号输入单元，然后再连接到内部电路。信号输入单元通常是对电源的二极管D1和对GND的二极管D2(或者只有对GND的二极管D2)组成。当输入信号对GND触发ESD时，泄放通路主要包括ESDPathA(自信号输入端经过二极管D1，再通过ESD泄放通路到GND)和ESDPathB(自GND通过二极管D2到信号输入端)。其中，二极管D1和二极管D2是ESD通路的主要器件，ESD要求越大，要求D1/D2的尺寸越大。参图2、图3所示，正常应用时，二级管D1和D2处于反向结，二极管在高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于超低漏电的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括信号输入单元及ESD泄放电路，所述信号输入单元与内部电路和GND相连，ESD泄放电路与电源和GND相连，其特征在于，所述信号输入单元包括：/n若干第一二极管，电性连接于信号输入端与电源和/或信号输入端与GND之间；/n若干第二二极管，电性连接于第一二极管与电源和/或第一二极管与GND之间；/n电压跟随器，电性连接于信号输入端和第一二极管与第二二极管之间，用于复制输入信号；/n所述ESD保护电路通过第一二极管和第二二极管构成干泄放通路，正常工作时，各第一二极管两端的电压相等。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于超低漏电的ESD保护电路，所述ESD保护电路包括信号输入单元及ESD泄放电路，所述信号输入单元与内部电路和GND相连，ESD泄放电路与电源和GND相连，其特征在于，所述信号输入单元包括：
若干第一二极管，电性连接于信号输入端与电源和/或信号输入端与GND之间；
若干第二二极管，电性连接于第一二极管与电源和/或第一二极管与GND之间；
电压跟随器，电性连接于信号输入端和第一二极管与第二二极管之间，用于复制输入信号；
所述ESD保护电路通过第一二极管和第二二极管构成干泄放通路，正常工作时，各第一二极管两端的电压相等。


2.根据权利要求1所述的用于超低漏电的ESD保护电路，其特征在于，所述第一二极管包括二极管D11和二极管D12，第二二极管包括二极管D21和二极管D22，二极管D11的正极与信号输入端相连，二极管D11的负极与二极管D21的正极相连，二极管D21的负极与电源相连，二极管D12的负极与信号输入端相连，二极管D12的正极与二极管D22的负极相连，二极管D22的正极与GND相连。


3.根据权利要求2所述的用于超低漏电的ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括自信号输入端经过二极管D11、二极管D21及ESD泄放电路到GND的第一泄放通路和自GND经过二极管D22、二极管D12到信号输入端的第二泄放通路。


4.根据权利要求3所述的用于超低漏电的ESD保护电路，其特征在于，所述电压跟随器的输入端与信...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建刚，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32