用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，三相电源通过整流二极管连接于压敏电阻RV3的一端，压敏电阻RV3接于电阻R1、MOS场效应管Q1、电容C10，电压芯片U6的1脚通过电阻R22接MOS场效应管Q1的G极，MOS场效应管Q1的G极与S极之间接有电阻R6，电压芯片U6的3脚接于MOS场效应管Q1的S极，电压芯片U6的5脚接于电阻R3和电容C1，电压芯片U6的4脚接电阻R7、电阻R11、电容C2，电阻7、电容C1、电容C2接地，电压芯片U6的3脚接有另一端接地的电阻R13、电阻R14，电阻R15接于电感L1、电压芯片U7的2脚，电感L1另一端接于电阻R13、电阻R14的接地端以及二极管D6和二极管D17，二极管D6、二极管D17另一端接于电容C10。该电路结构简洁、成本经济。

【技术实现步骤摘要】
用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路
本技术涉及通信
，尤其涉及一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路。
技术介绍
传统三相抗浪涌电路存在结构较为复杂，且整体空间占用较大，成本也较为不经济。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，其结构简洁、空间占用小，成本经济。本技术提出的一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，其包括：压敏电阻RV3、第一电压芯片U6、第二电压芯片U7；三相电源通过整流二极管连接于所述压敏电阻RV3的一端，压敏电阻RV3另一端通过电阻R28接电源N相，压敏电阻RV3的整流二极管连接端接于电阻R1、MOS场效应管Q1、电容C10，所述第一电压芯片U6的1脚通过电阻R22接MOS场效应管Q1的G极，MOS场效应管Q1的G极与S极之间接有电阻R6，第一电压芯片U6的3脚接于MOS场效应管Q1的S极，第一电压芯片U6的5脚接于电阻R3和电容C1，第一电压芯片U6的4脚接电阻R7、电阻R11、电容C2，电阻7、电容C1、电容C2接地，第一电压芯片U6的3脚接有另一端接地的电阻R13、电阻R14，电阻R15接于电感L1、第二电压芯片U7的2脚，电感L1另一端接于电阻R13、电阻R14的接地端以及二极管D6和二极管D17，二极管D6、二极管D17另一端接于电容C10，所述第二电压芯片U7的2脚与1脚还接有二极管D1、电容C14、电容C5、电阻R12，第二电压芯片U7的3脚接有二极管D3，二极管D3与第二电压芯片U7的1脚之间连接有电容C15、电容C4、二极管D10。进一步，所述整流二极管包括：整流二极管D24、整流二极管D25、整流二极管D19、整流二极管D21、整流二极管D4、整流二极管D11；所述整流二极管D24、整流二极管D25接于电源A相；所述整流二极管D19、整流二极管D21接于电源B相；所述整流二极管D4、整流二极管D11接于电源C相。进一步，所述第一电压芯片U6为BP6519。进一步，所述第二电压芯片U7为ME6209A-50P。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：该电路结构简洁，能够在空间有限的情况下可以合理的利用空间，在成本的考虑下也可节省原材料的成本。附图说明图1为用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路图。具体实施方式下面将结合示意图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。如图1所示，本技术公开了一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，其包括：压敏电阻RV3、第一电压芯片U6(BP6519)、第二电压芯片U7(ME6209A-50P)。从图1可以看出，三相电源通过整流二极管连接于所述压敏电阻RV3的一端，所述整流二极管包括：整流二极管D24、整流二极管D25、整流二极管D19、整流二极管D21、整流二极管D4、整流二极管D11，所述整流二极管D24、整流二极管D25接于电源A相，所述整流二极管D19、整流二极管D21接于电源B相，所述整流二极管D4、整流二极管D11接于电源C相。压敏电阻RV3另一端通过电阻R28接电源N相，电阻R28一端接地，压敏电阻RV3的整流二极管连接端接于电阻R1、MOS场效应管Q1、电容C10，电容C10接于第二电压芯片U7的1脚，所述第一电压芯片U6的1脚通过电阻R22接MOS场效应管Q1的G极，MOS场效应管Q1的G极与S极之间接有电阻R6，第一电压芯片U6的2脚接地，第一电压芯片U6的3脚接于MOS场效应管Q1的S极，第一电压芯片U6的5脚接于电阻R3和电容C1，第一电压芯片U6的4脚接电阻R7、电阻R11、电容C2，电阻7、电容C1、电容C2接地，第一电压芯片U6的3脚接有另一端接地的电阻R13、电阻R14，电阻R15接于电感L1、第二电压芯片U7的2脚，电感L1另一端接于电阻R13、电阻R14的接地端以及二极管D6和二极管D17，二极管D6、二极管D17另一端接于电容C10，所述第二电压芯片U7的2脚与1脚还接有二极管D1、电容C14、电容C5、电阻R12，第二电压芯片U7的3脚接有二极管D3，二极管D3与第二电压芯片U7的1脚之间连接有电容C15、电容C4、二极管D10。本技术提供的用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路中，三相电源经过整流二极管D4、整流二极管D11、整流二极管D19、整流二极管D21、整流二极管D24、整流二极管D25整流后到压敏电阻RV3的一端，压敏电阻RV3的一端经过电阻R28到电源N相。整流后通过第一电压芯片U6得到12V的直流电压，通过第二电压芯片U7得到5V直流电压给主板供电。从电路上看如浪涌施加在A相、B相上全靠二极管的耐压等级保护，一个二极管耐压为2000V两个就是4000V，通过二极管单向导通的原理，只要二极管不击穿，就不会形成回路。后面的供电电路就不会因浪涌而损坏。如浪涌施加在A相、C相和B相、C相上原理同施加在A相、B相上一样。从电路上看如浪涌施加在N相和A相上通过电阻R28和压敏电阻RV3进行保护。只要电阻和压敏电阻不坏，后面的供电电路就不会因浪涌而损坏。如浪涌施加在N相、B相和N相、C相上原理同施加在N相、A相上一样。上述仅为本技术的优选实施例而已，并不对本技术起到任何限制作用。任何所属
的技术人员，在不脱离本技术的技术方案的范围内，对本技术揭露的技术方案和
技术实现思路
做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本技术的技术方案的内容，仍属于本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，其特征在于，其包括：压敏电阻RV3、第一电压芯片U6、第二电压芯片U7；/n三相电源通过整流二极管连接于所述压敏电阻RV3的一端，压敏电阻RV3另一端通过电阻R28接电源N相，压敏电阻RV3的整流二极管连接端接于电阻R1、MOS场效应管Q1、电容C10，所述第一电压芯片U6的1脚通过电阻R22接MOS场效应管Q1的G极，MOS场效应管Q1的G极与S极之间接有电阻R6，第一电压芯片U6的3脚接于MOS场效应管Q1的S极，第一电压芯片U6的5脚接于电阻R3和电容C1，第一电压芯片U6的4脚接电阻R7、电阻R11、电容C2，电阻7、电容C1、电容C2接地，第一电压芯片U6的3脚接有另一端接地的电阻R13、电阻R14，电阻R15接于电感L1、第二电压芯片U7的2脚，电感L1另一端接于电阻R13、电阻R14的接地端以及二极管D6和二极管D17，二极管D6、二极管D17另一端接于电容C10，所述第二电压芯片U7的2脚与1脚还接有二极管D1、电容C14、电容C5、电阻R12，第二电压芯片U7的3脚接有二极管D3，二极管D3与第二电压芯片U7的1脚之间连接有电容C15、电容C4、二极管D10。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于小型重合闸断路器的三相抗浪涌电路，其特征在于，其包括：压敏电阻RV3、第一电压芯片U6、第二电压芯片U7；
三相电源通过整流二极管连接于所述压敏电阻RV3的一端，压敏电阻RV3另一端通过电阻R28接电源N相，压敏电阻RV3的整流二极管连接端接于电阻R1、MOS场效应管Q1、电容C10，所述第一电压芯片U6的1脚通过电阻R22接MOS场效应管Q1的G极，MOS场效应管Q1的G极与S极之间接有电阻R6，第一电压芯片U6的3脚接于MOS场效应管Q1的S极，第一电压芯片U6的5脚接于电阻R3和电容C1，第一电压芯片U6的4脚接电阻R7、电阻R11、电容C2，电阻7、电容C1、电容C2接地，第一电压芯片U6的3脚接有另一端接地的电阻R13、电阻R14，电阻R15接于电感L1、第二电压芯片U7的2脚，电感L1另一端接于电阻R13、电阻R14的接地端以及二极管D6和二极管D17，二极管D6、二极管D17另一端接于电容C10，所述第二电压芯片U7...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱鸿，李秋云，吴生思，
申请(专利权)人：杭州鸣扬科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33