一种电源网络设计方法、装置和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电源网络设计方法、装置和存储介质，所述方法包括：识别待处理电源域中的各个存储器宏单元的坐标；根据各个存储器宏单元的坐标，确定第一区域的坐标、每个第二区域的坐标和每个第三区域的坐标；根据设计要求确定第一区域的第一金属线排布参数，根据每个第二区域的坐标确定每个第二区域的第二金属线排布参数和以及根据每个第三区域的坐标确定每个第三区域的第三金属线排布参数；根据第一区域的坐标、每个第二区域的坐标和每个第三区域的坐标及相应的第一金属线排布参数、第二金属线排布参数和第三金属线排布参数，对第一区域、每个第二区域和每个第三区域进行电源网络排布。本发明专利技术提供的方案能够缩短设计周期、保证芯片供电稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电源网络设计方法、装置和存储介质
本专利技术涉及芯片设计领域，尤其涉及一种电源网络设计方法、装置和存储介质。
技术介绍
在芯片设计中，电源网络的设计非常重要，关系到芯片工作的稳定性。电源网络设计的好坏，直接影响到芯片的运行速度，功能的稳定性。如果电源网络中某些部位出现供电的弱点，导致问题区域的电路器件产生大的电压降，最终会使电路功能异常。芯片多电源域设计，是指芯片由多种电源供电或内部分开几种电源。存在复杂的设计方法有：电源关断(MTCMOSPowerGating)、带状态保持功能的电源关断(PowerGatingwithStateRetention)、动态电压频率调整(DynamicVoltageandFrequencyScaling)、低电压待机(Low-VddStandby)等。在大型芯片设计中，芯片中包含大量存储器宏单元，如果叠加电源关断技术，对存储器宏单元的供电会提出很高的要求，为保证大量存储器宏单元的正常工作，供电网络的设计必须考虑这些存储器的用电需求，以及开关电瞬间的供电能力。多电源域的电源网络设计中，需满足上述技术的设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电源网络设计方法，其特征在于，包括：/n识别待处理电源域中的各个存储器宏单元在所述待处理电源域中的坐标；所述存储器宏单元为矩形；所述坐标，包括：存储器宏单元的四个角的平面坐标；/n根据所述各个存储器宏单元在所述待处理电源域中的坐标，确定所述待处理电源域中的第一区域的坐标、每个第二区域的坐标和每个第三区域的坐标，其中，所述第二区域包括相邻存储器宏单元之间的区域，所述第三区域包括各个独立的存储器宏单元的区域，所述第一区域包括排除所有所述第一区域和所述第二区域之外的区域；/n根据设计要求确定所述待处理电源域中的第一区域中的第一金属线排布参数，根据每个第二区域的坐标分别确定每个第二区域中相应的...

【技术特征摘要】
1.一种电源网络设计方法，其特征在于，包括：
识别待处理电源域中的各个存储器宏单元在所述待处理电源域中的坐标；所述存储器宏单元为矩形；所述坐标，包括：存储器宏单元的四个角的平面坐标；
根据所述各个存储器宏单元在所述待处理电源域中的坐标，确定所述待处理电源域中的第一区域的坐标、每个第二区域的坐标和每个第三区域的坐标，其中，所述第二区域包括相邻存储器宏单元之间的区域，所述第三区域包括各个独立的存储器宏单元的区域，所述第一区域包括排除所有所述第一区域和所述第二区域之外的区域；
根据设计要求确定所述待处理电源域中的第一区域中的第一金属线排布参数，根据每个第二区域的坐标分别确定每个第二区域中相应的第二金属线排布参数和以及根据每个第三区域的坐标分别确定每个第三区域中相应的第三金属线排布参数；
根据确定的所述第一金属线排布参数、第二金属线排布参数和第三金属线排布参数，分别对所述待处理电源区域中的第一区域、每个第二区域和每个第三区域进行电源网络排布。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据各个存储器宏单元在所述待处理电源域中的坐标，确定所述待处理电源域中每个第二区域的坐标，包括：
根据所述待处理电源域中的各个存储器宏单元的编号，将所述各个存储器宏单元中的每两个编号相邻的存储器宏单元及其之间的第二区域作为一个分析单元；
根据每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元的坐标，确定所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的坐标。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元的坐标，确定所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的坐标，包括：
将每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元中编号在前的存储器宏单元的右上顶点坐标和右下顶点坐标相应作为所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的左上顶点坐标和左下顶点坐标；
将每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元中编号在后的存储器宏单元的左上顶点坐标和左下顶点坐标，相应作为所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的右上顶点坐标和右下顶点坐标；
将每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元中编号在前的存储器宏单元的第二顶点坐标和第四顶点坐标相应作为所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的第一顶点坐标和第三顶点坐标；
将每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元中编号在后的存储器宏单元的第一顶点坐标和第三顶点坐标，相应作为所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的第二顶点坐标和第四顶点坐标。


4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，在根据每个所述分析单元中的所述两个编号相邻的存储器宏单元的坐标，确定所述两个编号相邻的存储器宏单元之间的第二区域的坐标之前，还包括：
确定每个所述分析单元中所述两个编号相邻的存储器宏单元之间是否存在第二区域。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，确定每个所述分析单元中所述两个编号相邻的存储器宏单元之间是否存在第二区域，包括：
判断所述两个编号相邻的存储器宏单元中编号在后的存储器宏单元的第一顶点坐标/第三顶点坐标的横坐标与编号在前的存储器宏单元的第二顶点坐标或第四顶点坐标的横坐标之间的差值是否大于零；
若是，则确定所述两个编号相邻的存储器宏单元之间存在第二区域。


6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，第一金属线排布参数、第二金属线排布参数和/或第三金属线排布参数，包括：
第一距离参数，所属区域的第一侧的第一组金属线中，第一侧的第一条金属线的中间位置与所属区域的第一侧边的距离O；
第二距离参数，每组金属线中相邻两条金属线之间的距离S；
第三距离参数，相邻两组金属线的第一侧的第一条金属线之间的距离P；
宽度参数，每组金属线中各条金属线的宽度W。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
根据设计要求确定所述待处理电源域中的第一区域中的第一金属线排布参数，包括：
按照设计要求确定每个第一区域的宽度参数W1和第二距离参数S1；
按照第一预设规则，根据每个第一区域的所述宽度参数W1和第一预设调整参数因子k1确定每个第一区域的第一距离参数O1；
按照第二预设规则，根据每个第一区域的所述宽度参数W1和所述第二距离参数S1确定每个第一区域的第三距离参数P1；
所述第一预设规则，包括：O1＝W1/2+k1；
所述第二预设规则，包括：P1＝i(W1+S1)；
其中，W1为每个第一区域的宽度参数，S1为每个第一区域的第二距离参数，P1为每个第一区域的第三距离参数，i为每组金属线的条数；
和/或，
根据每个第二区域的坐标分别确定每个第二区域中相应的第二金属线排布参数，包括：
按照设计要求确定每个第二区域的宽度参数W2；
按照第三预设规则，根据所述宽度参数W2确定每个第二区域的第一距离参数O2；其中，所述第三预设规则，包括：O2＝W2/2；
根据每个第二区域的坐标利用如下公式分别确定每个第二区域的第二距离参数S2和第三距离参数P2：
S2＝{{(Xn+1)-(Xn+WMn)}-i*W2}/(i-1)；
P2＝{(Xn+1)-(Xn+WMn)}+S2；
其中，W2为每个第二区域的宽度参数，S2为每个第二区域的第二距离参数，P2为每个第二区域的第三距离参数，i为每组金属线的条数，(Xn+1)为每个第二区域的第二顶点坐标或第四顶点坐标的横坐标，(Xn+WMn)为每个第二区域的第一顶点坐标或第三顶点坐标的横坐标；n为存储器宏单元的编号；
和/或，
根据每个第三区域的坐标分别确定每个第三区域中相应的第三金属线排布参数，包括：
按照设计要求确定每个第三区域的宽度参数W3；
按照第四预设规则，根据所述宽度参数W3和第三预设调整参数因子k3确定每个第三区域的第一距离参数O3；
其中，所述第四预设规则，包括：O3＝W3/2+k3；
根据每个第三区域的坐标利用如下公式分别确定每个第三区域中相应的第三金属线排布参数：
S3＝{{(Xn+WMn)-(Xn)}-i*W3}/(i-1)；
P3＝{(Xn+WMn)-(Xn)}+S3；
其中，W3为每个第三区域的宽度参数，S3为每个第三区域的第二距离参数，P3为每个第三区域的第三距离参数，i为每组金属线的条数，(Xn+WMn)为每个第三区域的第二顶点坐标或第四顶点坐标的横坐标，Xn为每个第三区域的第一顶点坐标或第三顶点坐标的横坐标；n为存储器宏...

【专利技术属性】
技术研发人员：张馨然，刘振声，李耿民，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44