一种优化的三模冗余加固电路结构制造技术

技术编号:24207758 阅读:103 留言:0更新日期:2020-05-20 15:25
本发明专利技术提出一种优化的三模冗余加固电路结构,涉及三模冗余电路优化技术领域,能够更好地改善现有技术中面积和功耗上的浪费情况。所述电路结构包括:COMB1一端连接DATA_IN_TMRO,另一端与DFF1和VOTER5的一端连接;所述DFF1一端连接CLKTMRO,另一端与VOTER1和VOTER2的一端连接;所述VOTER1的一端还与DFF2的一端和DFF5的另一端连接,所述VOTER1的另一端与COMB3的一端连接;所述COMB3的另一端与DFF3和VOTER6的一端连接;所述DFF3的一端输入CLK_TMRO,所述DFF3的另一端与VOTER3的一端、VOTER7的一端连接;所述VOTER3的一端还与DFF4的一端、DFF6的一端连接,所述VOTER3的另一端连接DATAOUTTMRO;还包括COMB2,所述COMB2的一端连接DATA_IN_TMR1,另一端与DFF2的一端和所述VOTER5的一端连接;所述DFF2的一端连接CLK_TMR1,另一端与所述VOTER2的一端连接。

An optimized three mode redundancy reinforced circuit structure

【技术实现步骤摘要】
一种优化的三模冗余加固电路结构
本专利技术涉及三模冗余电路优化
,尤其涉及一种优化的三模冗余加固电路结构。
技术介绍
一般来说,对集成电路设计SEU(单粒子翻转)加固的方法可以分为两类:一种是建立DICE(dualinterlockedcell,DICE)即双立互锁单元库,一种是TMR(triple-modularredundancy,TMR)即三模冗余方法。TMR主要采用软件方法,将输入网表变成三份,从而达到抗辐照的目的,其优点是自动化程度高,开发周期短,缺点是抗辐照性能不如建立抗辐照单元库,同时面积和功耗增加很多。如果全部采用TMR模式无疑会增加很多面积和功耗。为此我们引入DMR(dual-modularredundancy,DMR)即两模冗余模式和自我反向锁存的三路选择器来实现TMR的效果。其中三路数据判决器简称Voter,是一种三输入单输出单元。输出为Z,三个输入为A,B,C。A、B、C三个输入中的任意两个为高时Z输出高电平,反之Z输出为低电平。模块功能函数为Z=AB+AC+BC。传统的三模冗余方案,参见图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种优化的三模冗余加固电路结构,其特征在于:所述电路结构包括:/nCOMB1,所述COMB1一端连接DATA_IN_TMRO,另一端与DFF1和VOTER5的一端连接;所述DFF1一端连接CLKTMRO,另一端与VOTER1和VOTER2的一端连接;所述VOTER1的一端还与DFF2的一端和DFF5的另一端连接,所述VOTER1的另一端与COMB3的一端连接;所述COMB3的另一端与DFF3和VOTER6的一端连接;所述DFF3的一端输入CLK_TMRO,所述DFF3的另一端与VOTER3的一端、VOTER7的一端连接;所述VOTER3的一端还与DFF4的一端、DFF6的一端连接,所述VO...

【技术特征摘要】
1.一种优化的三模冗余加固电路结构,其特征在于:所述电路结构包括:
COMB1,所述COMB1一端连接DATA_IN_TMRO,另一端与DFF1和VOTER5的一端连接;所述DFF1一端连接CLKTMRO,另一端与VOTER1和VOTER2的一端连接;所述VOTER1的一端还与DFF2的一端和DFF5的另一端连接,所述VOTER1的另一端与COMB3的一端连接;所述COMB3的另一端与DFF3和VOTER6的一端连接;所述DFF3的一端输入CLK_TMRO,所述DFF3的另一端与VOTER3的一端、VOTER7的一端连接;所述VOTER3的一端还与DFF4的一端、DFF6的一端连接,所述VOTER3的另一端连接DATAOUTTMRO;
还包括COMB2,所述COMB2的一端连接DATA_IN_TMR1,另一端与DFF2的一端和所述VOTER5的一端连接;所述DFF2的一端连接CLK_TMR1,另一端与所述VOTER2的一端连接;所述VOTER2的一端与所述DFF2的另一端、所述DFF1的另一端、所述VOTER1的一端、所述DFF5的另一端连接;所述VOTER2的另一端与COMB4的一端连接,所述COMB4的另一端与DFF4...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙玉焕黄高中徐烈伟俞军
申请(专利权)人:上海复旦微电子集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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