【技术实现步骤摘要】
不同类型存储单元的控制装置及方法
本专利技术涉及存储装置，尤指一种用于控制不同类型存储单元的方法及装置。
技术介绍
闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置，主装置(Host)可在地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址，并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储在该地址上的数据。相反地，NAND闪存并非随机存取，而是序列存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样，可以存取任何随机地址，主装置反而需要写入序列的字节(Bytes)的值到NAND闪存中，用以定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。大量存储装置(MassStorageDevice)的存储空间可使用NAND闪存存储装置实施，其中包含大量的三层式单元(TripleLevelCells,TLCs)，用于存储大量的数据。然而，三层式单元的写入需要较长的时间。此外，三层式单元还需要耗费时间执行耗损平均(WearLev...
【技术保护点】
1.一种不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，包含：/n接口，连接至少二种不同类型的存储单元，其中，所述存储单元包含非易失性的混合型存储器；以及/n处理单元，耦接所述接口，用于通过所述接口对所述不同类型的存储单元存取数据。/n
【技术特征摘要】
20190103 US 62/787,8101.一种不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，包含：
接口，连接至少二种不同类型的存储单元，其中，所述存储单元包含非易失性的混合型存储器；以及
处理单元，耦接所述接口，用于通过所述接口对所述不同类型的存储单元存取数据。
2.如权利要求1所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述混合型存储器为类闪存存储器，所述存储单元还包含内存闪存存储器，所述类闪存存储器存储配置所述闪存存储器需要的参数，以及系统内编程。
3.如权利要求2所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述接口包含多个通道，每个所述通道连接闪存存储器模块及类闪存存储器模块，所述不同通道间的所述闪存存储器模块以第一信号启动，以及所述不同通道间的所述类闪存存储器模块以第二信号启动。
4.如权利要求3所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，在所述处理单元使用所述第一信号使能所述闪存存储器模块前，配置所述接口为存取所述闪存存储器模块的工作模式；以及所述处理单元使用所述第二信号启动所述类闪存存储器模块前，配置所述接口为存取所述类闪存存储器模块的工作模式。
5.如权利要求2所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述接口包含第一信道及第二信道，所述第一通道只连接闪存存储器模块，以及所述第二通道只连接类闪存存储器模块。
6.如权利要求5所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述处理单元包含第一处理器核心以及第二处理器核心，所述第一处理器核心用于控制所述第一通道，以及所述第二处理器核心用于控制所述第二通道。
7.如权利要求1所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述混合型存储器为类动态随机存取存储器，所述存储单元更包含动态随机存取存储器，所述类动态随机存取存储器存储配置所述动态随机存取存储器需要的参数，以及系统内编程。
8.如权利要求7所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述接口包含多个通道，每个所述信道连接动态随机存取存储器模块及类动态随机存取存储器模块，所述不同信道间的所述动态随机存取存储器模块以第一信号启动，以及所述不同信道间的该类动态随机存取存储器模块以第二信号启动。
9.如权利要求8所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，在所述处理单元使用所述第一信号启动所述动态随机存取存储器模块前，配置所述接口为存取所述动态随机存取存储器模块的工作模式；以及所述处理单元使用所述第二信号启动所述类动态随机存取存储器模块前，配置所述接口为存取所述类动态随机存取存储器模块的工作模式。
10.如权利要求7所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述接口包含第一信道及第二信道，所述第一信道只连接动态随机存取存储器模块，以及所述第二信道只连接类动态随机存取存储器模块。
11.如权利要求10所述的不同类型存储单元的控制装置，其特征在于，所述处理单元包含第一处理器核心以及第二处理器核心，所述第一处理器核心用于控制所述第一通道，...
【专利技术属性】
技术研发人员：许胜一，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。