闪存控制器、管理闪存模块的方法及相关的电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种闪存控制器，其中所述闪存控制器系用来存取闪存模块，所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，且所述闪存控制器包括有用来存储一程序码的只读存储器以及微处理器。当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于临界值时，所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。通过本发明专利技术，每次上电时所需要写入的单层式存储区块的数量可以根据先前操作来动态地决定，以更符合记忆装置的真实使用状况。

【技术实现步骤摘要】
闪存控制器、管理闪存模块的方法及相关的电子装置
本专利技术关于闪存控制器。
技术介绍
目前的闪存模块通常会具有多种不同型式的区块，例如单层式存储(Single-LevelCell，SLC)、双层式存储(Multi-LevelCell，MLC)区块、三层式存储(Triple-LevelCell，TLC)区块或是四层式存储(Quad-LevelCell，QLC)区块中的其中两种，以供有效率地进行读写操作。传统上，闪存控制器在将数据写入至闪存模块时，可以先将数据写入到单层式存储区块中，之后再将多个单层式存储区块中的有效数据搬移到双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块中，此方法的好处是一开始数据所写入的是稳定性高且速度快的单层式存储区块，但缺点是后续需要另外花时间来将数据搬移至数据存储密度较高区块中。在另一传统方法中，闪存控制器在将数据写入至闪存模块时，可以先直接将数据写入到双层式存储区块或是三层式存储区块，此方法的好处是节省了后续数据搬移的时间，但数据在写入的速度会比较慢，而且在目前立体闪存架构中的双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存控制器，用来存取一闪存模块，所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，所述闪存控制器的特征在于，包括有：/n一只读存储器，用来存储一程序码；以及/n一微处理器，用来执行所述程序码以控制对所述闪存模块的存取；/n其中当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时，所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。/n

【技术特征摘要】
20190102 TW 1081000051.一种闪存控制器，用来存取一闪存模块，所述闪存模块包括了多个第一区块以及多个第二区块，所述闪存控制器的特征在于，包括有：
一只读存储器，用来存储一程序码；以及
一微处理器，用来执行所述程序码以控制对所述闪存模块的存取；
其中当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，所述微处理器仅会将所述数据写入至所述多个第一区块中；以及直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于一临界值时，所述微处理器才会将后续数据写入至所述多个第二区块中。


2.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述多个第一区块为单层式存储区块，且所述多个第二区块为双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块。


3.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，直到所述闪存控制器上电后所写入的第一区块的数量高于所述临界值时，所述微处理器根据所述后续数据的数据量以决定将所述后续数据写入至所述多个第一区块或是所述多个第二区块中。


4.如权利要求3所述的闪存控制器，其特征在于，当所述后续数据被判断为低数据量时，所述微处理器将所述后续数据写入至所述多个第一区块；以及当所述后续数据被判断为高数据量时，所述微处理器将所述后续数据写入至所述多个第二区块。


5.如权利要求4所述的闪存控制器，其特征在于，所述多个第一区块为单层式存储区块，且所述多个第二区块为双层式存储区块、三层式存储区块或是四层式存储区块。


6.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，若是所述闪存控制器在上电之前最后一个写入的区块为所述多个第二区块中的一特定第二区块，且所述特定区块尚有剩余的数据页可供写入，则当所述闪存控制器上电时，若是所述闪存控制器需要将数据写入至所述闪存模块时，微处理器仍然会将所述数据写入至所述多个第一区块中。


7.如权利要求6所述的闪存控制器，其特征在于，在所述闪存控制器在上电之前系发生不正常断电，且当所述闪存控制器上电时，所述微处理器将所述特定第二区块中可以成功解码的至少一部份数据页的数据搬移至所述暂存区块中，并将与无法成功解码的数据页属于同一字线组或是相邻字线组的空白数据页写入无效数据。


8.如权利要求1所述的闪存控制器，其特征在于，所述临界值系为一变动值。


9.如权利要求8所述的闪存控制器，其特征在于，所述微处理器根据所述闪存控制器在上电前所设定的一前一临界值、以及所述闪存控制器在上电前一操作区间内所写入的一区块总数，以产生所述临界值。


10.如权利要求9所述的闪存控制器，其特征在于，若是所述区块总数高于所述前一临界值，则所述微处理器设定所述临界值高于所述前一临界值；以及若是所述区块总数低于所述前一临界值，则所述微处理器设定所述临界值低于所述前一临界值。


11.如权利要求10所述的闪存控制器，其特征在于，所述临界值具有一上限值以及一下限值，且若是所述区块总数...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文生，
申请(专利权)人：慧荣科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71