【技术实现步骤摘要】
从异步功率损耗中恢复存储器优先权主张本申请要求以全文引用的方式并入本文中的2018年12月31日提交的标题为“Nand可靠性改进(NandReliabilityImprovements)”的第62/787,007号美国申请和以全文引用的方式并入本文中的2019年8月29日提交的标题为“从异步功率损耗中恢复存储器(RecoveryOfMemoryFromAsynchronousPowerLoss)”第16/555,508号美国申请的优先权权益。
本公开的实施例总体上涉及存储器管理,并且更具体地,涉及从异步功率损耗中恢复一或多个存储器组件。
技术介绍
存储器装置是为主机系统(例如,计算机或其它电子装置)提供数据的电子存储的半导体电路。存储器装置可以是易失性或非易失性的。易失性存储器需要功率来维护数据,并且包含例如随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)之类的装置。非易失性存储器可以在未供电时保留所存储数据,并且包含例如快闪存储器 ...
【技术保护点】
1.一种存储系统,其包括:/n至少一个非易失性存储器装置,其包括以物理页组织的多个存储器单元;以及/n控制器,其耦合到所述至少一个非易失性存储器装置,其中指令存储在所述存储系统中,其中所述指令当由所述控制器执行时使所述控制器执行以下操作,包括:/n响应于在所述存储系统处检测到的异步功率损耗APL,确定第一物理页的存储器单元中存储的零的数目;以及/n使用所述第一物理页中确定的零的数目来确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页。/n
【技术特征摘要】
20181231 US 62/787,077;20190829 US 16/555,5081.一种存储系统,其包括:
至少一个非易失性存储器装置,其包括以物理页组织的多个存储器单元;以及
控制器,其耦合到所述至少一个非易失性存储器装置,其中指令存储在所述存储系统中,其中所述指令当由所述控制器执行时使所述控制器执行以下操作,包括:
响应于在所述存储系统处检测到的异步功率损耗APL,确定第一物理页的存储器单元中存储的零的数目;以及
使用所述第一物理页中确定的零的数目来确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页。
2.根据权利要求1所述的存储系统,
其中响应于所述检测到的APL,所述控制器经配置以检测一或多个伪编程页,其中所述第一物理页是检测到的伪编程页。
3.根据权利要求1到2中任一项所述的存储系统,
其中所述控制器经配置以在从低功率状态恢复操作时检测此类低功率状态是否是APL。
4.根据权利要求1到2中任一项所述的存储系统,
其中所述第一物理页的存储器单元中的每一存储器单元包括下页LP、上页UP和额外页XP,
其中为了确定所述第一物理页的存储器单元中存储的零的所述数目,所述控制器经配置以确定所述第一物理页的存储器单元中的所述存储器单元的所述XP中存储的零的数目,并且
其中为了确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页,所述控制器经配置以确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页的存储器单元中的存储器单元的所述XP。
5.根据权利要求4所述的存储系统,
其中为了确定所述第一物理页的存储器单元中的所述存储器单元的所述XP中存储的零的所述数目,所述控制器经配置以读取所述第一物理页的存储器单元的所述XP中存储的值。
6.根据权利要求1到2中任一项所述的存储系统,
其中为了确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页,所述控制器经配置以将所述确定的零的数目与阈值进行比较,并且
其中所述控制电路经配置以在零的所述数目超过所述阈值的情况下将虚拟数据写入所述第一物理页的存储器单元。
7.根据权利要求6所述的存储系统,
其中所述阈值是所述第一物理页中的存储器单元的数目和所述多个存储器单元中的位的数目的函数。
8.根据权利要求1到2中任一项所述的存储系统,
其中为了确定是否将虚拟数据写入所述第一物理页,所述控制器经配置以将所述确定的零的数目...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗贤钢,J·黄,P·富马加利,S·A·斯多勒,A·马格纳瓦卡,A·波扎托,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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