薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板制造技术

本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板，薄膜晶体管阵列基板包括多个触控电极，每个所述触控电极分别通过触控走线与第一公共电源线和驱动芯片电性连接；所述触控电极包括沿第一方向排列的第一触控电极、第二触控电极和第三触控电极；所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量。本申请可消除或减弱不同触控电极上的电压突变，有利于提升显示画面的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板
本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板。
技术介绍
随着触控显示技术的发展，内嵌式触控(In-cellTouch)显示面板越来越多地应用到手机等电子显示设备中。因内嵌式触控显示面板将触控功能与显示功能集成在一起，即将触控电路与显示电路均做在薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate,TFTArraySubstrate)上，有利于穿透度的提升，且可以使手机等电子显示设备做得更加轻薄。内嵌式触控显示面板的触控功能通过集成于薄膜晶体管阵列基板中触控电极及电连接触控电极的触控走线和驱动芯片来完成。其中，触控电极与薄膜晶体管阵列基板中的公共电极电性连接，因此，触控电极的电压变化将直接影响公共电极的电压状态，进而影响显示面板的显示功能。公共电源线和驱动芯片分别通过触控走线电性连接触控电极，从而实现对触控电极的电压传输和信号采集。但是，考虑到驱动芯片中用于连接触控走线的通道数目有限，以及触控走线数目对面板解析率的影响，实际生产中通常无法保证每一个触控电极均连接相同数目的触控走线，连接触控电极的触控走线数目对该触控电极上电压状态有直接影响，进而影响公共电极上电压分布的均一性，造成显示面板出现上下分屏、显示不均的问题。
技术实现思路
基于上述现有技术中的不足，本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及触控显示面板，通过合理配置触控电极与第一公共电源线之间电性连接的触控走线的数量，消除或减弱不同触控电极上的电压突变，使触控电极和公共电极上电压分布趋于一致，进而提升显示面板的显示均匀性。本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底基板，具有非显示区；薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板上；以及触控功能层，设置于所述薄膜晶体管阵列层中，包括多个触控电极，每个所述触控电极分别与第一公共电源线和驱动芯片均通过触控走线电性连接；多个所述触控电极包括沿第一方向排列的第一触控电极、第二触控电极、以及第三触控电极，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；或者，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或者，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第一触控电极与所述第二触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或所述第二触控电极与所述第三触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第一触控电极、所述第二触控电极及所述第三触控电极沿所述第一方向依次相邻排列；所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。根据本申请一实施例，所述第一触控电极与所述第二触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或所述第二触控电极与所述第三触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底基板，具有非显示区；/n薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板上；以及/n触控功能层，设置于所述薄膜晶体管阵列层中，包括多个触控电极，每个所述触控电极分别与第一公共电源线和驱动芯片均通过触控走线电性连接；/n多个所述触控电极包括沿第一方向排列的第一触控电极、第二触控电极、以及第三触控电极，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；/n或者，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
衬底基板，具有非显示区；
薄膜晶体管阵列层，设置于所述衬底基板上；以及
触控功能层，设置于所述薄膜晶体管阵列层中，包括多个触控电极，每个所述触控电极分别与第一公共电源线和驱动芯片均通过触控走线电性连接；
多个所述触控电极包括沿第一方向排列的第一触控电极、第二触控电极、以及第三触控电极，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；
或者，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，
所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；
或者，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。


3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量大于或等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量；且
所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量小于或等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。


4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一触控电极与所述第二触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；或
所述第二触控电极与所述第三触控电极沿所述第一方向相邻排列，所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，且所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第三触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量。


5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一触控电极、所述第二触控电极及所述第三触控电极沿所述第一方向依次相邻排列；
所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量等于所述第一触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量大于所述第一触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触控走线的数量；且
所述第二触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量小于所述第三触控电极与所述第一公共电源线之间电性连接的所述触控走线的数量，所述第二触控电极与所述驱动芯片之间电性连接的所述触...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦阳，赵莽，田勇，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42