【技术实现步骤摘要】
恒压差产生电路及驱动装置
本专利技术属于集成电路
，尤其涉及一种恒压差产生电路及驱动装置。
技术介绍
功率放大器调制驱动器芯片多采用半桥式驱动器架构，用以推动高、低侧MOSFET分时工作。随着功率放大器技术的发展，功率放大器调制驱动器芯片的工作电压不断提高，电源电压VDD通常为28V甚至40V以上，但PMOS的栅源电压Vgs范围多为±20V，传统的0V/VDD的驱动信号不能满足高侧输出的应用需求，因此驱动信号需降压后提供给PMOS。现有技术中的降压电路输出的电压多为固定电压，当电源电压VDD发生变化时，PMOS的栅源电压Vgs也会发生变化，不能保证PMOS的稳定工作。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种恒压差产生电路及驱动装置，以解决现有技术中传统降压电路输出固定电压，从而导致PMOS的栅源电压随电源电压变化，不能保证PMOS稳定工作的问题。本专利技术实施例的第一方面提供了一种恒压差产生电路，包括：电源电压采样模块、输出电压采样模块、基准电压产生模块、减法器及...
【技术保护点】
1.一种恒压差产生电路，其特征在于，包括：电源电压采样模块、输出电压采样模块、基准电压产生模块、减法器及误差放大器；/n所述电源电压采样模块，输入端与外部电源端连接，输出端与所述减法器的正相输入端连接；/n所述输出电压采样模块，输入端与所述误差放大器的输出端连接，输出端与所述减法器的反相输入端连接；/n所述误差放大器，正相输入端与所述基准电压产生模块连接，负相输入端与所述减法器的输出端连接；/n所述电源电压采样模块的输出端的电压与所述电源电压采样模块的输入端的电压的比值为第一比例值；所述输出电压采样模块的输出端的电压与所述输出电压采样模块的输入端的电压的比值为第二比例值；所...
【技术特征摘要】
1.一种恒压差产生电路，其特征在于，包括：电源电压采样模块、输出电压采样模块、基准电压产生模块、减法器及误差放大器；
所述电源电压采样模块，输入端与外部电源端连接，输出端与所述减法器的正相输入端连接；
所述输出电压采样模块，输入端与所述误差放大器的输出端连接，输出端与所述减法器的反相输入端连接；
所述误差放大器，正相输入端与所述基准电压产生模块连接，负相输入端与所述减法器的输出端连接；
所述电源电压采样模块的输出端的电压与所述电源电压采样模块的输入端的电压的比值为第一比例值；所述输出电压采样模块的输出端的电压与所述输出电压采样模块的输入端的电压的比值为第二比例值；所述第一比例值和所述第二比例值相同；
所述误差放大器的输出端的电压与所述外部电源端的电压的压差恒定。
2.如权利要求1所述的恒压差产生电路，其特征在于，所述基准电压产生模块包括：第一功率管、第二功率管、第三功率管、第四功率管、第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；
所述第一功率管，第一端分别与内部电源端及所述第二功率管的第一端连接，第二端分别与所述第一功率管的控制端、所述第二功率管的控制端、所述第四功率管的第一端及所述第一三极管的集电极连接；
所述第二功率管的第二端与所述误差放大器的正相输入端连接，所述第二功率管的第二端还通过串联的所述第二电阻及所述第三电阻分别与所述第二三极管的集电极及所述第一三极管的基极连接；所述第一三极管的发射极接地；
所述第二三极管，基极与所述第二电阻及所述第三电阻的公共端连接，发射极接地；
所述第三功率管，控制端与所述第二功率管的第二端连接，第一端通过所述第一电阻与所述内部电源端连接，第二端接地；
所述第四功率管，控制端与所述第三功率管的第一端连接，第二端接地。
3.如权利要求2所述的恒压差产生电路，其特征在于，所述第一功率管和所述第二功率管均为PMOS管，所述第三功率管及所述第四功率管均为NMOS管，所述第一三极管及所述第二三极管均为NPN型三极管。
4.如权利要求1所述的恒压差产生电路，其特征在于，所述电源电压采样模块包括：第四电阻及第五电阻；
所述电源电压采样模块的输入端通过所述第四电阻及所述第五电阻接地；
所述第四电阻及所述第五电阻的公共端与所述电源电压采样模块的输出端连接。
5.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔玉旺，赵永瑞，张浩，师翔，贾东东，
申请(专利权)人：河北新华北集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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