【技术实现步骤摘要】
一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜及其制备方法
本专利技术属于光学薄膜和相变光学材料
，更具体地，涉及一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜及其制备方法。
技术介绍
随着人们对信息容量需求的爆炸式增长，面向移动互联和物联网技术的新型电子元器件的需求增长尤为显著。特别是5G产业的推进，面向新兴产业、采用新工艺或新材料的新型光电子元件获得产业界和科研界的高度重视。尤其是对片上集成光电子器件的提出小型化、集成化、多功能化的发展要求。基于这样的发展需求，如何实现在有限空间内完成多路光信号的馈入、实现大容量信息的处理成为进一步推进片上集成光电子器件发展的关键。近年来，非易失相变材料可以表现出晶态和非晶态两种状态，折射率和透过率都表现出极大的反差，因此在光开关、光逻辑器件和光存储器件的应用中获得广泛关注和研究。如经典的Ge2Sb2Te5硫系相变材料，作为一种性能卓越的非易失相变材料，已经在信息存储、全光信号处理、全光开关等领域获得广泛的研究和应用。然而，由于材料组分特点，它的透过波段限于大于2微米后的中...
【技术保护点】
1.一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，硫系薄膜化学组成为Sb
【技术特征摘要】
1.一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，硫系薄膜化学组成为SbxS100-x，20<x≤50。
2.根据权利要求1所述的可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，所述的硫系薄膜具有晶态和非晶态两种状态，并且在外场热作用下两种状态能够进行可逆转变。
3.根据权利要求2所述的可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，所述的硫系薄膜的晶态和非晶态能够在0.55μm～25μm范围内呈现两种折射率。
4.根据权利要求3所述的可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，所述的硫系薄膜呈现的两种折射率的折射率差≥0.5。
5.根据权利要求4所述的可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜，其特征在于，所述的x为40，所述的硫系薄膜的化学组成为Sb2S3。
6.一种可用于多谱段主动光学调控的硫系相变薄膜的制备方法，其特征在于，将获得的相变材料粉体通过高真空快速热蒸镀法沉积在衬底上获得非晶态薄膜，具体包括下述步骤：
S1.首先在石英安瓿管中通过传统的熔融-淬冷法制备SbxS100-x(20<x≤50)块体，将该块体研磨成粉末置入高真空蒸镀设备的加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，杨泽林，李朝晖，曾平羊，夏迪，吴家越，孙耀东，宋景翠，朱莺，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
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