一种防腐开帽垫片制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种防腐开帽垫片，保护不开帽区域不被腐蚀；包括垫圈，喷酸口；所述喷酸口为长方形，设置在所述垫圈1的中心部；所述喷酸口还包括外框，内框；所述外框的高度低于所述内框的高度；本发明专利技术的有益效果为：1、样品开帽进行时，仅样品需要开帽的区域开帽，不需要开帽的区域能被很好的保护；2、各中心点均重合，只要将样品卡住在垫片上放到喷酸台即可，方便员工操作；3、分析成功率100％，不需要依赖人员的操作水平。

【技术实现步骤摘要】
一种防腐开帽垫片
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种防腐开冒垫片。
技术介绍
半导体失效分析过程中,需要进行开帽分析，但是现有的技术无法保护不需要进行开帽的地方，导致不需要开帽的地方也容易被腐蚀到，影响下一步分析，分析成功率高度依赖员工操作水平，需要指定人员才可进行此工作。已公开中国专利技术专利，公开号：CN103187403B，专利名称：半导体失效分析结构及形成方法、检测失效时间的方法，申请日：20111231，其公开了一种半导体失效分析结构及其形成方法、检测失效时间的方法，其中所述半导体失效分析结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有待测区、第一串联区和第二串联区；位于所述半导体衬底的待测金属层、第一金属层和第二金属层；位于层间介质层内的第一导电插塞使第一金属层、第二金属层和待测金属层串联；位于所述第一串联区的若干第一电阻金属层；位于所述第二串联区的若干第二电阻金属层；位于第一串联区层间介质层内的若干第二导电插塞；位于第二串联区层间介质层内的若干第三导电插塞；所述第一导电插塞、第二导电插塞、第三导电插塞将所述待测金属层、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防腐开帽垫片，包括垫圈(1)，喷酸口(2)；/n其特征在于，/n所述喷酸口(2)为长方形，设置在所述垫圈(1)的中心部；所述喷酸口(2)还包括外框(21)，内框(22)；所述外框(21)的高度低于所述内框(22)的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种防腐开帽垫片，包括垫圈(1)，喷酸口(2)；
其特征在于，
所述喷酸口(2)为长方形，设置在所述垫圈(1)的中心部；所述喷酸口(2)还包括外框(21)，内框(22)；所述外框(21)的高度低于所述内框(22)的高度。


2.根据权利要求1所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述垫圈直径为25mm。


3.根据权利要求2所述的一种防腐开帽垫片，其特征在于，所述外框(21)的长与宽分别为11mm和7.5mm。


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【专利技术属性】
技术研发人员：汤剑波，
申请(专利权)人：海太半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32